鴻海、比亞迪、IDM風雲會 布局第三代半導體逐鹿中原
電子時報00:06何致中/綜合報導
新世代半導體發展趨勢風起雲湧,醞釀20多年的氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)並非嶄新的「黑科技」,但隨著無線通訊技術、充電技術越來越需要具「高功率密度」特性的寬能隙(WBG)元件,GaN、SiC等明顯優於主流矽基(Si-Based)半導體的性能備受重視。
特別是在「未來車」相當有機會成為下一個資通訊產業革命的主戰場的此刻,欲想在電動車卡位的龍頭集團業者無不摩拳擦掌。除領頭的國際IDM大廠包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、Cree、羅姆(Rohm)等業者外,中系功率半導體與電動車大廠比亞迪集團,以及台灣EMS龍頭的鴻海集團,紛紛著手對於SiC、GaN領域更深遠的布局藍圖。而針對近期包括兩岸、海外等龍頭大廠布局狀況,以下為DIGITIMES所作整理。
IDM廠轉向8吋廠生產 凸顯領跑者角色
儘管台系業者包括鴻海、中美晶、台積、聯電、富采投控、漢民、穩懋等,力求大打跨界集團戰儘速合縱連橫。惟領跑的國際IDM大廠「轉進8吋晶圓廠」生產已然增速,包括意法、羅姆等,近期英飛凌也宣布與Panasonic共同量產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)新品,預期2023年上半新品將進入市場。
而此舉正是力圖突破目前第三代半導體元件價格明顯高於矽基元件2~3倍的主要方向之一,目前主流的6吋廠產能也不足以因應未來被廣泛應用於3C充電領域的GaN-on-Si元件。
英飛凌大中華區總裁蘇華、意法亞太區副總裁暨台灣區總經理Giuseppe Izzo等也公開指出,第三代半導體領域IDM大廠們已經卡好最佳位置,GaN、SiC的市場接受度目前看來也比預期快。
IDM廠在技術、產品組合、整體解決方案都相當完整,甚至是第三代半導體在材料以外的各種電源IC週邊包括驅動器、MCU等全方位配套策略,目前恐怕仍是寬能隙元件領域發展最全面的主力。
比亞迪、鴻海各自出招 共逐EV、第三代半導體大計
鴻海總裁劉揚偉於SEMI論壇中指出,EV將持續替第三代半導體的SiC、GaN鋪路,未來也可望成為一座「新護國神山」。
新世代化合物半導體潛力高 新護國神山待醞釀
事實上,化合物半導體也包括一般稱為第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等,穩懋副董事長王郁琦指出,化合物半導體繼5G RF應用、手機用3D感測應用等,後續包括未來的6G、衛星通訊、車用光達(LiDAR)、生物辨識等,在在都需要更多的化合物半導體,也將成為次世代半導體關鍵之一。
整體來看,舉凡光學元件、充電元件、通訊元件等,囊括寬能隙材料的第三代半導體潛力持續被市場重視,而不管是業界老鳥或集團新兵,組隊大打世界盃的風雲集結態勢為現在進行式,更可能往國家產業戰略方向角度前進,這也回應鴻海總裁劉揚偉所述,台灣已經在矽半導體享有高度成就,如何複製到剛起步的第三代半導體,打造一座「新護國神山」,更是未來產官學研界重點任務。
隊長資料整理:
TrendForce示,2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,第三代半導體氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。據TrendForce研究,氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品,至2025年市場規模將達8.5億美元,年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查,截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機,且筆電廠商也有意跟進。
全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元,年複合成長率達38%,前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%,新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗。
漢民科技集團,控股公司。打入華為5G基地台供應鏈。
旗下「嘉晶」(61.2%)為國內前二大磊晶矽晶圓供應商。
旗下「漢磊科技」(100%)為國內最大功率/類比IC晶圓代工廠、全球第九大矽磊晶圓廠,生產MOSFET、IGBT及二極體。
4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。
6吋廠1700V SiC SBD/MOSFET已量產
SiC晶圓薄化可達100微米。
因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求,研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程,漢磊旗下三座晶圓廠都已通過車規認證並量產。
去年EPS-1.64元。今年上半年EPS 0.07元轉虧為盈。
今年7月營收6.31億元續創新高,月增4.43%、年增41.08% 八月營收再創新高
漢磊布局化合物半導體超過10年,這將是未來營運主軸,近2年策略上正往氮化鎵、碳化矽、車用MOSFET、二極體、靜電保護等TVS等5類別發展,特別鎖定車用相關,今年已看到成效,由於碳化矽與氮化鎵產品價格比一般半導體高,對漢磊營收或獲利都會有幫助。漢磊下半年到明年上半年營運展望皆樂觀,因為還有很多客戶排隊要產能,「客戶追單仍多,產能滿到年底沒有問題」。惟上半年剛虧轉盈,EPS還未顯現,
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升壓轉換器應用 在 EE Times Taiwan Facebook 的最佳貼文
新一代SiC FET的規格大幅改進,因而能够在將400V/500V匯流排用於軟/硬開關應用的龐大功率轉換市場,如電動車/太陽能轉換器、電池充電、PFC級、直流轉換和IT基礎架構交直流轉換⋯
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[狂人新聞台] 全新第四代A3 Spotback 新潮上市
#小編:引進三款動力規格並涵蓋七款車型
作為四環旗下最具指標性的掀背車款,Audi A3 車系自1996年問世至今,於1996、2012,2013和2020年四度獲得德國金舵獎最佳小型掀背車的殊榮,依循歷代車系優異的設計傳統,全新A3 Sportback 銳利動感的外觀造型,其線條元素融合四環新世代設計語彙,車頭前方內建蜂巢格柵的大型寬幅單體式六角型水箱護罩,前保桿兩側下方大型斜角設計進氣口,散發出強烈運動跑格與銳利無比的視覺感受。此外極為傾斜的C柱設計、採用內凹設計的車側鈑件折線、楔形尾燈組及周圍環形肩線,刻劃出充滿肌力感的車身線條,搭配後尾門擾流板及後保桿下方擴散器和梯形尾飾管,賦予全新A3 Sportback 更多運動跑格元素。
此外Audi 最引以為傲的先進燈光照明科技,其設計所蘊藏的涵義不斷與時俱進,全新A3 Sportback 全車系標配LED極光頭燈、LED識別燈和LED尾燈組(含動態指示方向燈),車主另可選配Matrix 矩陣式 LED 頭燈(含數位日行燈),提供包括智慧控制的防眩Matrix LED遠光燈、動態轉向輔助燈等許多功能,以及離家/返家的動態燈光展演。未來Audi 車款的燈光設計將不僅止於提供照明而已,更是耀眼的潮流指標,其設計上的獨特性及強大科技應用,將成為汽車主動與周遭用車環境進行溝通的重要媒介,以及提升人車安全的關鍵環節。
這次導入國內的全新A3 Sportback 搭載兩款四環新世代動力規格,分別為30 TFSI車型的1.0升缸內直噴渦輪增壓引擎,以及35 TFSI車型的1.5升缸內直噴渦輪增壓引擎,兼具體積輕巧、節能舒適與高效率、高效能等優點。其中「節能新星」全新A3 Sportback 30 TFSI車型搭載的1.0升引擎,在缸內直噴技術和渦輪增壓科技的加持下,可輸出110 hp 最大馬力和200 Nm 最大扭力,不僅可完整滿足一般都會行駛需求,透過多項尖端技術的優化調校,賦予引擎擁有平順、流暢的運轉品質,並具備低稅負優勢,其整體油耗表現一舉達到20.1 km/l的優異水準!
至於35 TFSI車型的1.5升引擎除了擁有「同級最強」的動力輸出外,在缸內直噴技術及渦輪增壓科技加持下,可輸出同級車中最強勁的150 hp最大馬力和250 Nm最大扭力,同時在先進的CoD主動式汽缸管理系統精準控制下,能夠在引擎處於低、中負載時,透過油門踏板感知器關閉兩個汽缸啟動運作模式,讓引擎擁有最節能的表現。
上述兩款新世代動力系統,均同步搭載四環最先進的48V輕型複合動力系統,完美結合出色結合效能與便利性。透過48V皮帶啟動馬達發電機、DC-DC 轉換器與48V 電力系統等三大核心元件的完美運作下,系統中的48V 鋰電池可協助在引擎熄火滑行期間,供應電力至各個附屬裝置,並在引擎耗能較大的起步階段,透過此系統讓起步更為平順細緻,不僅可減少引擎耗能,更創造出優異的油耗表現。
四環旗下最新世代的「勁潮鋼砲」Audi S3 Sportback 同步火熱登場,造型設計上維持高性能車款一貫的霸氣造型,除了醒目的S3專屬運動化外觀套件外,搭配全景式電動玻璃天窗、S3 專屬鋁合金塗裝車外後視鏡,營造出強烈鋼砲車格設定。全新Audi S3 Sportback 的車室座艙除延續駕駛導向設計之外,更同步增添許多運動化配件,如Fine Nappa真皮跑車式座椅、黑色織布頂篷、不鏽鋼油門 / 煞車踏板及S 式樣門檻踏板,打造性能味十足的駕駛座艙。
全新Audi S3 Sportback 強悍的性能表現,源自其所搭載的2.0升缸內直噴渦輪增壓汽油引擎,可爆發出310 hp 最大馬力與400 Nm 最大扭力,在七速 S-tronic 自手排變速箱及quattro 智慧型恆時四輪傳動系統的強勢加持下,僅需 4.8秒即可完成0-100 km/h 加速衝刺,極速達250 km/h。為了匹配其強悍性能,更標配18吋Audi Sport鋁圈搭配紅色塗裝卡鉗、跑車式轉向系統、運動化電子可調式阻尼懸吊等性能配備。
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