關於 載子濃度遷移率 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 浅析几种迁移率的概念——DJ from进化半导体材料有限公司

“碳化硅的电子迁移率是900，碳化硅MOSFET的沟道迁移率是50，体迁移率是1000” 看到这样的 ... 其中q是元电荷，n是载流子浓度，σ是电导率，ρ是电阻率。

#12. 實驗二Van Der Pauw 量測與霍爾效應

因電阻值、晶片厚度與. 磁場密度皆可由實驗量得,代入(1),(2),(3)式, 由此可求出電阻率、載子濃度與遷移率. (四) 材料與儀器. 1. n-type 矽晶片與p-type 矽晶片. 2. 游標尺 ...

#13. 107 年公務人員高等考試三級考試試題 - 公職王

二、砷化鎵(GaAs)於溫度T=300K 時，其能隙(bandgap)Eg=1.42eV、本質載子濃度， ... 請說明「載子遷移率(carrier mobility，μ)」之物理意義？(10 分).

#14. CN101840458A - 载流子迁移率的提取方法 - Google Patents

本发明提出一种载流子迁移率的提取方法，包括：测量给定MOS器件的转移特性以及输出特性；根据栅源电压V gs 的初始值和沟道横向电场E x 的初始值获得载流子迁移率的计算 ...

#15. 第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1：

T=300 °K 求矽之本質載子濃度. 解：代入公式即可 ni=1.5×10 ... 本質半導體的電子電洞濃度相當小，僅可有微量電流。 ... 電洞遷移率μp =480 (cm2/V-s) --低摻雜矽.

#16. 高載子遷移率電晶體之電性與能量傳遞模擬 - 博碩士論文網

本論文利用Silvaco軟體模擬氮化鎵高功率電子遷移率電晶體之元件特性， ... 一般將此現象歸因於電子遷移率隨電場與溫度上升而下降，本論文模擬結果顯示，二維電子氣濃度 ...

#17. 第四章半导体中的载流子在电磁场中的运动

迁移率 与温度和杂质浓度的关系. ○载流子的散射. ○电阻率与温度和杂质浓度的关系. ○玻耳兹曼方程、电导率的统计理论. ○强电场下的效应、热载流子.

#18. 有機高分子材料之電子與半導體特性分析

件:一是遷移率較低的半導體材料;二是電. 極與半導體間的接觸為歐姆接觸。當注入到. 空間電荷區中的載子濃度平衡載子濃度和摻. 雜濃度時,這些注入的載子將成為空間電荷.

#19. 霍爾效應測試儀 - 元智機械系

主要利用Van Der Pauw 四點探針法和霍爾效應，量測薄膜中多數載子濃度與遷移率，此系統可於77K與室溫下量測各種N型與P型半導體及化合物半導體薄膜電特性。 儀器規格.

#20. 载流子迁移率 - 搜狗百科

如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm 2 V -1 s -1 ，而空穴的迁移率仅为480cm 2 V -1 s -1 。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能：. 一是和载流子浓度一起决定半导体材料的 ...

#21. 二維半導體的電子傳輸性質

子濃度較低，可以有效地以電場控制載子濃度，這是所有二維材料所共有的特性，根據 ... 二維TMD場效電晶體的優值（figure of merit）之一為載子遷移率，一般依元件品質 ...

#22. 霍爾效應及鍺晶體的導電載子的密度

2.利用霍爾效應觀察並了解不同溫度對載子濃度的影響。 3.由導電率測量半導體能隙。 原理: 在1879 年，霍爾(Edwin ...

#23. Mn:ZnO 透明導電氧化物與稀磁半導體薄膜之製備與性質

阻、高穿透率與具磁性的ZnMnO 薄膜，而摻雜. Mn 之ZnO 薄膜以RTA 退火600°C，可得到最. 低電阻率為4.29×10-1. Ωcm ，載子濃度為. 3.85×1018 cm-3 ，電子遷移率為3.77 ...

#24. 氧化鎵的晶體成長、特性及其元件應用(下) - 材料世界網

從以上的結果可以發現，通過摻雜錫來實現表面平整度以及載子濃度控制的最 ... 的電子移動度或遷移率(Electron Mobility)大約~100 cm 2 /V.s，而載子濃度 ...

#25. 授課教師：洪夢聰

發生碰撞或散射事件之前電洞. 的淨速度峰值為. Page 206. 206. 兩種影響載子遷移率的機制為：晶. 格散射與游離雜質散射。 原子因熱能做隨機振動，破壞晶體. 原有週期性位能 ...

#26. 霍尔效应测试仪可测载流子浓度、迁移率、导电类型等

测量结果：体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率;霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率等。 样品效果图. 测试效果图. 仪器特色&服务特色.

#27. 三五族半導體簡介

高飽和電子速率及高電子遷移率，. 使得有效載子濃度高，能收集到更多的光電流。 ‧GaAs串接電池之轉換效率已可 ...

#28. 迁移率随载流子浓度变化原创 - CSDN博客

载流子迁移率随载流子浓度变化，弱场下几乎保持恒定，然而

#29. 热电材料的载流子迁移率优化 - 金属学报

当利用半导体掺杂提高材料体系的载流子浓度(carrier density，n) 来优化电性能时，掺杂剂以及增大的载流子浓度会增强载流子的散射，从而降低载流子迁移率(carrier mobility ...

#30. 半导体物理基础

在低掺杂浓度的半导体中, 迁移率随温度升高而大幅度下降, 其. 原因就在这里. 1.3.2 电离杂质散射. 半导体中的杂质原子和晶格缺陷都可以对载流子产生 ...

#31. 國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...

其中，固定鍺濃度為22.5 %且元件閘極寬度為10 μm，當改. 變元件通道長度為0.11、1 與10 ... 變技術予以提高載子遷移率之方式，增加元件之特性與表現。有關電晶體特.

#32. (PDF) 淺論電子學- | 子龍張 - Academia.edu

(注意： n p 1 ) 3 25 N4 N3 N 2 N1 載子遷移率與雜質濃度及溫度的關係如圖所示。 N1 N2 N3 N4 ＊載子的遷移率與雜質濃度的關係為： T 300 K 雜質 ...

#33. 实验十霍尔效应

3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 4、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 5、确定试样的导电类型、载流子浓度及迁移率。 二、实验仪器.

#34. 極限能隙半導體材料的新發展：金剛石(Diamond)

金剛石於工業上主要應用於切割、鑽鑿和研磨等機械領域，但其實它具有極高的熱傳導率(傳熱能力)、載子遷移率(即載子受到外在電場的作用下，能移動的多 ...

#35. 载流子迁移率 - 电子元器件百科知识

迁移率 主要影响到晶体管的两个性能： 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载 ...

#36. [半導體] 半導體中的電流- drift current & diffusion current

半導體中的電流是由電子(electron)及電洞(hole)兩種載子(carrier)移動所產生 ... 稱μ 為遷移率(mobility)，是用來描述在有電場作用下，用以測量載子 ...

#37. Chapter 2 半導體的基本特性

電荷載子出發，描述何謂摻雜和載子的傳輸狀況；在pn 接面重點中，首先先點 ... 2.1.1 載子濃度的修正 ... 其中μp 為電洞的遷移率，其值為480 cm2/V．s。

#38. 霍爾效應分析儀應用

載子種類(P & N type). ➢電阻率(Electrical resistivity)(Ω-cm). ➢載子濃度(Carrier density)(cm-3). ➢載子遷移率(Mobility of carriers)(cm2/Vs) ...

#39. 半导体霍尔效应测试方案 - 泰克

度，以及载流子浓度同温度的关系，由此可以确定材. 料的禁带宽度和杂质电离能；通过霍尔系数和电阻率. 的联合测量能够确定载流子的迁移率，用微分霍尔效.

#40. 透明導電薄膜特性及光電元件應用 - 大永真空設備

透明導電薄膜特性及光電元件應用 · 導電性質 金屬氧化物薄膜的高導電性主要源於帶電的載子(載子濃度)以及可快速移動的路徑(遷移率)，傳導帶的電子利用金屬離子的摻雜與氧 ...

#41. 第二讲半导体的基本概念

总体上，不考虑杂质的作用，迁移率会随温度上升而下降，这就. 是为什么金属的电阻率会随着温度上升而增大的原因；但对于半导. 体，由于随温度上升，导电载流子浓度的快速 ...

#42. 载流子迁移率[单位电场作用下的平均漂移速度] - 快懂百科

人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。 ... 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移 ...

#43. AZO 透明導電膜及其特性研究

發現當以DC 沉積之薄膜在可見光(380nm ~ 780nm)範圍內有. 80%以上的穿透率，且其折射率有隨著基板溫度的升高而有遞減的. 現象發生，而晶粒大小、載子濃度與載子遷移 ...

#44. 高電子遷移率電晶體高頻參數萃取與微波模型建立 - 逢甲大學

這些優點是直接來自於藉由使用未摻雜的. GaAs 來作為FET 的通道層所獲得的優異傳輸性質。如同先. 前所說明已經發現，在一條無摻雜的通道之中獲致適宜的載. 子濃度的一種 ...

#45. 三五族高載子遷移率電晶體與其臨界電壓調變之研究

三五族化合物半導體 ； 氮化鎵 ； 砷化銦鎵 ； 高載子遷移率電晶體 ； 臨界電壓 ； 增強型元件 ； 鰭狀通道 ； 氟離子摻雜 ； 側壁 ； 蕭特基能障 ； 泊松-飄移擴散載 ...

#46. 載流子遷移率測量方法總結 - 人人焦點

式中μ爲載流子的漂移遷移率，簡稱遷移率，表示單位電場下載流子的平均漂移速度，單位是m2/V・s或cm2/V・s。 遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要 ...

#47. 載子遷移率及密度量測/ Microwave Hall Effect

微波霍爾量測系統是美國Lehighton Electronics Inc. 於2003 所開發的非接觸式載子遷移率及密度量測技術。目前已被廣泛應用於化合物半導体之元件開發，包括Si, SiC, ...

#48. 目錄

砷化鎵元件電子移動率（μn）較大，故比矽更適合作為高速微波元件. 材料。 鍺的本質濃度ni 值 ... 電洞濃度p，即在本質（intrinsic）或純質半導體，其載子濃度表示如.

#49. 考點速習掃描011 考例迅學研析121

本質濃度提高 b. 雜質半導體. T 上升，則多數載子濃度摻雜濃度. 少數載子濃度ni. 2／摻雜濃度，（升高↑）. (3) 溫度對遷移率（ ）的影響.

#50. 6H-SiC的本征载流子浓度不是更高吗？

翻译成通俗语：本征载流子越多，漏电流越大。所以；这可不是越大越好参数。 对于器件来讲，重要的是迁移率和绝缘强度。材料耐压越高，同样电压下；需要的阻挡层越薄， ...

#51. !"#载流子浓度和迁移率的光谱研究 - 物理学报

用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的!2%.3外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究&通过测. 量蓝宝石衬底和不同)(掺杂浓度的一系列%.3外延膜的远红外反射谱并 ...

#52. HgCdTe 多载流子体系的定量迁移率谱分析3

摘要本文利用定量迁移率谱分析技术, 通过研究样品霍尔系数和电阻率对磁场强度的依赖. 关系, 获得了样品中参与导电的电子和空穴的浓度和迁移率, 结果表明了定量迁移率谱 ...

#53. 載子遷移率

於文獻中，作者都是利用外力彎曲矽基板，其結果顯示，在汲極電流與載子遷移率也有 ... 絕緣體厚度d；接面深度rj和基片摻質濃度NA。在矽的積體電路裡，P-MOSFET使用厚 ...

#54. 氮摻雜氧化亞銅薄膜之製備及性質研究 - isu.edu.tw - 義守大學

根據半導體材料的導電率公式，導電率(σ)正比於載子濃度和載子遷移率 ... 多晶薄膜的載子遷移率不如單晶，主要是因為會受到以下幾種散射機制的影.

#55. 本章主要讨论载流子在外加电场资源下的漂移运动 - km2000.us

第四章 半导体的导电性下载. 本章介绍： 本章主要讨论载流子在外加电场资源下的漂移运动，半导体的迁移率、电阻率随杂质浓度和温度的变化规律。 为了深入理解迁移率的 ...

#56. 太阳能电池载流子特性分析系统 - 测试狗

电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量；. 电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量。 项目案例.

#57. 寒假轉學生招生考試試題紙- 科目:電子學第1頁共3頁 - 聯合大學

一個n型矽半導體的電子遷移率=1250cm²/V-s、電洞遷移率p=450cm²/V-s;在18V/cm 的外加電場 ... (b) 漂移電流是由半導體中載子(carrier)濃度分布不均所導致.

#58. 迁移率计算公式 - 分析测试百科网

迁移率 代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。电场强度是用来表示电场的强弱和方向的物理量。实验表明，在电场中某一点， ...

#59. 载流子浓度迁移率测试仪 - 上海埃飞科技

载流子浓度迁移率测试仪. *无机半导体材料，有机半导体材料OLED等； *有机太阳能电池OPV； *钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell； *无机太阳能电池（例如：单晶 ...

#60. 電子遷移率電洞遷移率– Adamzabin

PDF 檔案電子遷移率μn =1350 (cm2/V-s) --低摻雜矽p 型半導體： 3. ... 也因為電子遷移率與電洞遷移率的差異， 筆電休眠自動關機休眠設定win10 存在著載子遷移率不平衡 ...

#61. 载流子迁移率测量方法总结 - 电子工程世界

迁移率 是反映半导体中载流子导电能力的重要参数，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，半导体材料的导电率越高。迁移率的大小不仅关系着导电能力的强弱， ...

#62. 实验五霍尔效应实验

修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）。 （3）结合电导率的测量，求载流子的迁移率 μ 。电导率σ 与载流子浓度n 以及迁移率 μ. 之间有如下关系：.

#63. 明新科技大學校內專題研究計畫成果報告- 接觸蝕刻截止層厚度 ...

近年來，其他學者提出應變矽技術以提高元件的載子遷移. 率，進而提升元件的驅動電流。一般而言，此應變技術是以利用矽與鍺的晶格常. 數不同造成匹配不均，來產生電晶體 ...

#64. 电子迁移率 - 中国大百科全书

载流子迁移率及载流子浓度决定了半导体的电导率。 电子迁移率与电子的有效质量和散射概率成反比。通常情况下，空穴的有效质量比电子的大 ...

#65. 静电掺杂对InAs 纳米线中载流子浓度和迁移率的影响 ... - X-MOL

在-2 V 到2 V 的液栅电压区间内，载流子浓度可以提高两个数量级。同时，离子积累对纳米线表面的影响对半导体纳米结构的电子迁移率是有害的：电子迁移 ...

#66. 軍用射頻關鍵元組件技術開發研究成果報告(完整版)

子遷移率電晶體材料的成長參數，再把AlGaN/GaN HEMT 結. 構成功地成長在碳化矽基板上。 ... 佳化調變後，由霍爾量測得知其載子遷移率及載子濃度分別.

#67. 实验二半导体电阻率和迁移率的测量

掌握载流子的电阻率与载流子浓度和迁移率之间的依赖关系. 3． 掌握实验上测量Hall 电压对样品和电极的要求、Hall 电压测量过程中各种附加效. 应产生的误差及消除、测量 ...

#68. 【聚焦】半导体工艺制程不断缩小高迁移率沟道材料需求迫切

迁移率 ，是单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度，迁移率与载流子浓度共同决定了半导体的电导率。随着半导体技术不断进步，市场对高迁移率沟道 ...

#69. 如何1分钟完成厘米二维材料的载流子迁移率测量 - 化工仪器网

衡量二维材料载流子传输能力的主要参数是载流子迁移率μ, 它直接反映了载流 ... 无损快速测量设备-ONYX，可在1 min之内完成厘米样品的载流子浓度测量。

#70. 光能轉換成電能：材料的光、熱、電特性之影響 - 物理雙月刊

也因為電子遷移率與電洞遷移率的差異，存在著載子遷移率不平衡的載子再復合過程，因而降低太陽能電池的元件表現。電子與電洞的遷移是描述載子於晶體材料或 ...

#71. 电输运测量-霍尔效应测试

通过测量霍. 尔系数和电导率，可以得到材料的导电类型、载流子浓度和载流子迁移率等主要参数。若能测得霍尔系数和. 电导率随温度变化的关系，还可以得出半导体材料的杂质 ...

#72. [問題] 關於半導體中雜質濃度- 看板Physics - 批踢踢實業坊

nevinyrrals:電阻率載子遷移率載子濃度三者的關係就像你寫的公式 10/27 00:34. → fantasy0310:不好意思忘了打"在矽樣本上"..... 10/27 00:34.

#73. 奈米尺度電性縱深分析(DHEM) - 台灣半導體研究中心

塊材電阻率 (Bulk Resistivity) (Ω-cm) 塊材載子遷移率 (Bulk Mobility) (cm 2 /V-s) 塊材載子濃度 (Bulk Carrier Concentration)

#74. 4-1 载流子漂移运动与迁移率 - BiliBili

4-2 载流子的散射 · 3-3 本征半导体载流 子浓度 · 5-2 非平衡载流子的寿命 · 半导体物理学动画5：载流子漂移运动 · 4.3;4.4 迁移率 ，电阻率 · 半导体物理载流子 ...

#75. DX-30永磁体霍尔效应测试系统-企业官网

DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体 ...

#76. 第三代半導體明日之星—碳化矽功率元件近況與展望

GaN的載子遷移率比4H-SiC高，可望有更高的工作頻率以及更低的導通阻抗， ... 功率MOSFET為了承受高電壓，汲極端會有一個低濃度的漂移區，漂移區的電阻 ...

#77. 第三章电磁场中载流子的输运现象 - 中国科学技术大学

对半导体,两种载流子导电: j =( neμ. -. + peμ. +. ) ε σ= neμ. -. + peμ. +. 电导率决定于载流子浓度和迁移率. • 在相同电场下,电子和空穴的漂移速度.

#78. 载流子迁移率测量系统-参数-价格 - 仪器信息网

* 无机半导体光电器件，有机半导体光电器件； · * 最大功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强，迁移率（I-V测试& I-V-L测试，空间电荷限制电流SCLC法） · * 载流子浓度，载流子 ...

#79. 99年公務人員特種考試海岸巡防人員考試

和力qX，能隙為Eg，摻雜濃度為ND，本質載子濃度為ni，電洞遷移率μp，電子遷移. 率μn，電洞擴散常數Dp，電洞生命期τp：（35 分）. 二、由金屬與n型半導體形成一個理想的 ...

#80. LabVIEW 學習by Yu-Han Tseng - Prezi

AZO 薄膜樣品電阻率ρ、遷移率μ 、載子濃度n：. 1. LabVIEW 軟體學習. 實驗原理. 實驗流程. LABVIEW軟體. 霍爾效應. 實驗目的. 1879，艾德溫. 霍爾測得霍爾電壓.

#81. 霍尔效应测试仪 - 广东省科学院半导体研究所

设备介绍： 基本原理：利用霍尔效应可以测量半导体材料的导电特性，从而获得载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数。 当电流垂直于外磁场通过导体时， ...

#82. 透明導電薄膜簡介 - 台灣儀器科技研究中心

為ITO 薄膜具有相當高的自由載子濃度(> 1 ¥ 1019 cm–3)，其載子處於一種電漿狀態，和光之間的作. 用性強，因此將入射光反射，而隨著載子濃度提. 高，薄膜的反射率也隨 ...

#83. 退火温度对铜铟镓硒薄膜电学性能的影响 - 材料研究学报

使用磁控溅射铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2, CIGS)四元陶瓷靶材制备沉积态预制膜, 在240-550℃对预制膜进行退火处理, 着重研究了退火温度对薄膜电学性能(载流子浓度及迁移率) ...

#84. 载流子迁移率测量方法总结-

迁移率 是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。

#85. [19]中华人民共和国国家知识产权局

该. 方法的核心是用电化学C-V方法测定载流子浓度,用范德堡方法测定电阻率,然后根据式. (1)确定磁性半导体的载流子迁移率。 本发明与现有技术相比有如下优点: (1) 本方法不 ...

#86. 基礎半導體物理載子傳輸現象電場及濃度梯度影響下之帶電載子 ...

傳輸過程包括： 載子飄移(carrier drift) 載子擴散(carrier diffusion) 產生與復合 ... 18 3.1.3霍爾效應（Hall Effect） 可測得試片為n型或p型、載子濃度以及遷移率。

#87. 我院刘川教授团队在探测晶体管运作和迁移率的普适方法研究 ...

研究人员首先将这个方法应用于数值模拟器件上，验证了其探测载流子浓度和迁移率的准确性；并发现，即使在含接触电阻和大量缺陷的器件中，也同样可以 ...

#88. 把太陽光轉成化學能：擺脫庫倫作用力的光觸媒 - 科技大觀園

半導體的費米能階位置反應其載子濃度的高低，較接近導帶下緣的有較高的電子濃度。n ... 科學家因此採用下列方式增進光電子與光電洞的分離，以及光載子遷移至半導體材料 ...

#89. 請問一個半導體載子傳輸問題

若溫度上升時半導體的電阻會下降電流會上升但今天讀了遷移率(mobility)它寫說溫度上升 ... mobility主要受三個東西的影響: 電場, 溫度, 雜質濃度電場:(以Si的電子為例)

#90. 霍尔效应测试半导体 - 科学指南针

可在不同的磁场、温度和电流下根据测试结果计算出电阻率、霍尔系数、载流子浓度和霍尔迁移率，并绘制曲线图。 方案特点. 1.标准系统可进行在不同磁场和 ...

#91. 半导体材料电阻率_浓度_温度_载流子 - 搜狐

半导体载流子的电阻率σ取决于载流子浓度n和载流子迁移率μ，即σ=1/nqμ。当温度升高至某一个以上，这个温度也就是pn结开始本征激发起重要作用的温度， ...

#92. 半导体物理基础知识- 大大通(中国)

本征半导体载流子浓度很低，本征硅300K时n_i=1.02×10^10/〖cm〗^3,电阻率 ... 半导体中迁移率不但与材料的种类有关，还与温度及杂质浓度有关。

#93. 黄高山复旦大学材料科学系

... 大，本征载流. 子浓度低，导电性差。 ... 在低温受强光照时，激子浓度可达1017cm-3，相应的，自由激 ... 电子或者空穴的载流子迁移率都是正的，但通常大小不等，因.

#94. 5 1 3迁移率与杂质浓度和温度的关系 - YouTube

... 载流子的散射5.1.3 迁移率 与杂质 浓度 和温度的关系5.1.4 电阻率及其与杂质 浓度 和温度的关系5.1.5 强电场效应、热载流子第五章三维半导体中载流子的 ...

#95. 石墨烯中超快載子動力學研究

及光學特性，理論上石墨烯可有很高的載子遷移率 ... 構、電聲子耦合、折射率等物理性質。 ... 到與載子濃度開根號成正比， 為石墨烯的費米速.

#96. 载流子迁移率 - 费米科技

关键词：迁移率，电声耦合（电子-声子相互作用），温度相关载流子输运性质，电导率（conductivity）. 在本教程中，我们将介绍如何计算石墨烯（graphene）中的声子限制 ...