關於 highk材料 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 驚豔台灣半導體材料市場商機High K 材料市場 - IEK產業情報網

一、High k 材料的應用領域與特性; (一)CMOS電晶體; (二)記憶體絕緣膜 · 二、全球High k的發展正方興未艾 · 三、IEK的觀點

#12. High k/metal gate 金氧半場效電晶體熱載子可靠度研究The ...

不過使用High k材料也會產生許多問題，根據paper [2]我們知道High k材料中， remote phonon scattering會降低mobility(μ)如圖1.2.3，因此我們使用metal gate來解. 決此問題 ...

#13. 以原子層化學氣相沉積之高介電薄膜於金氧半場效電晶體的應用

程，使得原子層化學氣相沉積是一用來鍍製高介電材料重要的技術。 ... Among the high-k candidates, hafnium oxide (HfO2) has attracted much attention due to its ...

#14. 淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

... 電子遷移率材料以及特殊絕緣層材料等，來強化其在先進製程的競爭優勢。 ... 閘極（high-k／metal gate），介電層的k 值愈大，氧化層電容（Cox）愈 ...

#15. 1022001INER014 可撓性基板之電性隔研究 - 行政院原子能 ...

膜與基板之附著性之特性以增加Low K 材料之絕緣性與附著性。因. 此我們利用不同的材料 ... In the present day, the silicon oxide and high-K materials were used.

#16. 氮氣熱退火處理對鉿基閘極介電層可靠度之研究

高介電係數材料(high dielectric constant, High-K)可用來取代極薄(ultra-thin)的二氧化矽(silicon dioxide, SiO2)閘極氧化層，以解決極薄二氧化矽直接穿隧(direct ...

#17. High-K_百度百科

由於二氧化硅（SiO2）具有易制性(Manufacturability)，且能減少厚度以持續改善晶體管效能，因此過去40餘年來，處理器廠商均採用二氧化硅做為製作柵極電介質的材料。

#18. High-K:由於二氧化矽（SiO2）具有易制性(Manufactur

由於二氧化矽（SiO2）具有易制性(Manufacturability)，且能減少厚度以持續改善電晶體效能，因此過去40餘年來，處理器廠商均採用二氧化矽做為製作柵極電介質的材料。

#19. 一种高介电常数材料栅结构及其制备工艺 - Google Patents

因此，本发明采用氮氧化硅(SiON)材料来作为high-k材料与衬底硅之间的缓冲层，它直接自衬底硅生长而来，因此与硅衬底有非常好的界面特性，而且此材料又非常致密，已被证明为 ...

#20. 閘介電層 - 政府研究資訊系統GRB

為了改善high-k gate dielectric 之電特性與可靠性，high-k 材料與半導體基 ... High-k 材料用於4H 型碳化矽閘極絕緣體之研究近年來碳化矽(SiC)半導體元件在電力電子 ...

#21. 以High-k材料作為矽晶及HIT太陽電池鈍化層之研究 - Airiti ...

在本篇論文中,使用原子層化學氣相沉積法(Atomic layer chemical deposition,簡稱ALD)來鍍製High-k 材料薄膜當作鈍化層。首先鍍製不同High-k材料於單晶矽太陽電池，試了 ...

#22. 出版品代號:::CT

@內文:除上述外，為了讓晶片有更快的效能，因而提出了高介電質（High-k）與應變矽（strained silicon）等技術，高介電質材料主要是替換原有位在閘極金屬電極與矽基板間的 ...

#23. 前沿｜2D High-K材料為電晶體提供新的方向 - 每日頭條

名詞解析什麼是High-K?「K」代表介電常數，一般指的是材料集中電場的能力。在高介電常數的絕緣體中，相同的材料厚度下，該材料能夠儲存更多的電流容量 ...

#24. 半导体问答网-问题

由于High-k闸极电介质和现有硅闸极并不兼容，英特尔全新45纳米晶体管设计也必须开发新金属闸极材料，目前新金属的细节仍属商业机密，英特尔现阶段尚未说明 ...

#25. 知識力

Low K材料此外，各層金屬之間必須以絕緣材料隔開，這種絕緣材料又稱 ... 介電常數大(High K)的絕緣材料：代表這種絕緣材料容易吸引電子與電洞，所以 ...

#26. 高k 介质在新型半导体器件中的应用* - 物理学报

题及从材料结工等万面采取的解决措施, 重点介绍了高k 材料新型导体器件中的应用, 并望了未. 来的发趋势. ... It is necessary to replace SiO2 with high-k materials.

#27. High-K_中文百科全書

由於二氧化矽（SiO2）具有易制性(Manufacturability)，且能減少厚度以持續改善電晶體效能，因此過去40餘年來，處理器廠商均採用二氧化矽做為製作柵極電介質的材料。

#28. 參加2008年固態元件暨材料國際研討會心得報告目的

此次參加固態元件暨材料國際研討會，對電子材料之未來趨勢中，以太陽光電帶動相關延伸的材料與發展半導體High-k材料為主要驅動力來源，商業化之矽晶圓型電池模組以提升 ...

#29. 成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心

(MIC/MILC)的技術結合High-k高介電材料來增進薄膜電晶體的特性。 最後利用所研製的大晶粒與高移動率之薄膜，結合所開發高品質之高介電層材料感測膜，以製作出高靈敏度 ...

#30. 高介電值閘極介電物技術-技術移轉-產業服務 - 工業技術研究院

開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要。 Abstract. High-k (k>20) gate dielectric technology including ...

#31. PDF file1 半導體製程 高介電（High K）材料的介紹江長凌林煥祐

Text of 半導體製程㆗高介電（High K）材料的介紹... · 1. High K embedded · 2. BaTiO3. DK 3000~8000 BaTiO3 · 3. polarization)(polar. crystal) · 4. (hexagonal) 1460.

#32. HKMG: High-K Metal Gate–The Road so far! - 人人焦點

而隨著尺寸的Shrink/Scaling，必然伴隨新的技術或材料的使用才能一次次突破摩爾定律的極限，滿足新的器件物理或電學特性，此處僅以柵極詳述其發展歷程。

#33. 前沿|2D High-K材料为晶体管提供新的方向 - 中国半导体照明网

“K”代表介电常数，一般指的是材料集中电场的能力。在高介电常数的绝缘体中，相同的材料厚度下，该材料能够储存更多的电流容量。因此，High-K材料一般 ...

#34. 國立臺灣師範大學機電工程學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...

Ferroelectric of HfO2 dielectric layer by high power impulse ... 層進而提升氧化層的介電常數，而這種摻雜後的材料則稱為High-k 材料，.

#35. 用于45nm及以下集成电路工艺的高介电常数绝缘栅材料

高电介质常数介质膜被业界认为是开发45nm以下硅集成电路芯片技术的关键. 业界普遍认为利用high K绝缘层技术的MOS器件是20世纪60年代MOS晶体管出现以来，晶体管技术发生的 ...

#36. English - 國立成功大學機構典藏

傳統SiO2材料應用於奈米元件的主要挑戰，在於超薄閘極SiO2層漏電流之 ... 於此情況下，高介電係數(high-k)材料乃為發展新世代CMOS製程技術，顯然發展 ...

#37. 【low k材料有哪些】資訊整理& high k材料有哪些相關消息

2011年1月19日— [2] 最有希望取代SiO2 栅介质的高K 材料主要有两大类： 氮化物和金属氧化物。 1.氮化物氮化物主要包括Si3N4，SiON 等。Si3N4 介电常数比SiO2 高，作栅介质 ...

#38. 氧化層-半導體(MOHOS)/金屬-高介電材料

論文名稱(中文):, 金屬-氧化層-高介電材料-氧化層-半導體(MOHOS)/金屬-高介電材料- ... Metal-High-k-High-k-Oxide-Semiconductor(MHHOS) Capacitors and Transistors ...

#39. Item 987654321/6833 - National Kaohsiung University of ...

題名: 以第一原理研究High-K介電材料氧空缺特性. 其他題名: First-Principle Investigation on Oxygen Vacancy in High-K Dielectric Materials. 作者: 林京憲

#40. PDF file1 半導體製程 高介電（High K）材料的介紹江長凌林煥祐

High K. embedded. passives 0.13m High K. BaTiO3. /. BaTiO3/epoxy. miniaturization. Intel. 486 Pentium. 13. Discrete passives.

#41. low-k - 華人百科

不同電介質的介電常數k 相差很大，真空的k 值為1，在所有材料中最低;空氣的k值為1.0006;橡膠的k值為2.5~3.5;純凈水的k值為81。工程上根據k值的不同，把電介質分為高k(high- ...

#42. High K Gate Dielectrics - 博客來

作者簡介. Michel Houssa Laboratoire Materiaux et Microelectronique de Provence, Universite de Provence, France Silicon Processing and Device Technology ...

#43. High-k膜技術 - SCREENホールディングス

High -k 材料としては、ハフニウム系、タングステン系、コバルト系の材料などが候補に挙がっている。ただし、これらの材料は酸などにほとんど溶けないため、エッチング ...

#44. high k優點 - 軟體兄弟

high k優點,High-k意指高介電常數，是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。空氣是此一常數的參考點，其k值為1。High-k材料，如HfO2 ZrO2及TiO2，天生具有超過二氧化矽3.9 ...

#45. Giga bit DRAM世代的High-k材料的最新技術動向 - 數位典藏與 ...

資料識別：: A01019462; 資料類型：: 期刊論文; 主題與關鍵字：: Giga bit DRAM世代高介電常數膜電子材料High-k; 描述：: 來源期刊:電子月刊: 卷期:7:9=74 民90.09 ...

#46. 高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate, HKMG）和鰭式場效 ...

積體電路的晶圓製造工程，在西元2000 年以後從0.13 μm 步入90 nm、65 nm、45 nm、32 nm，一路以來的閘極尺寸縮小和金屬導線材料由Al 轉為Cu ，可以有效的 ...

#47. 一种高介电常数材料栅结构及其制备工艺 - Google

因此，本发明采用氮氧化硅(SiON)材料来作为high-k材料与衬底硅之间的缓冲层，它直接自衬底硅生长而来，因此与硅衬底有非常好的界面特性，而且此材料又非常致密，已被证明为 ...

#48. 半導體製程 高介電（high k）材料的介紹... - Vdocuments.mx.

Documents · 1. High K embedded. passives 0.13m High K · 2. BaTiO3. DK 3000~8000 BaTiO3 · 3. polarization)(polar. crystal) · 4. (hexagonal) 1460.

#49. 看過此文還不懂半導體制程發展史，小編我將吐血辭職…_芯師爺

具備high-k性質的材料很多，但是最終被採用的材料，一定要具備許多優秀的電學性質，因為二氧化矽真的是一項非常完美的電晶體絕緣層材料，而且製造工藝 ...

#50. 一篇文章说清半导体制程发展史（三） - 分析行业新闻

具备high-k性质的材料很多，但是最终被采用的材料，一定要具备许多优秀的电学性质，因为二氧化硅真的是一项非常完美的晶体管绝缘层材料，而且制造工艺 ...

#51. Sematech宣稱在45奈米High K材料有重大突破

晶片製造協會Sematech宣稱在High K/金屬閘電晶體的隧道遷移率和可靠性方面有了突破性的進展。據該協會指稱，這將使針對CMOS的High K技術能應用於45奈 ...

#52. high k 材料– 介電常數k

high k 材料. 而由于High-k闸极电介质和现有硅闸极并不兼容，Intel全新45nm晶体管设计也必须开发新金属闸极材料，目前新金属的细节仍属商业机密，Intel现阶段尚未说明 ...

#53. 所谓的High K工艺用的是什么？ - 智于博客

由于这个高温退火（一般在1000C以上），限制了前面金属栅只能使用高熔点的材料。 gate last的话，在源漏注入之前，和传统工艺一样，先形成poly-silicon ...

#54. Intel的High-k | T客邦

Intel找到了一種更好的材料當閘極，並且解決閘極愈做愈薄時所產生的問題。 製程縮小就會發生漏電流，絕緣能力不好是其中一個原因，所以絕緣的材質上， ...

#55. 氮氣熱退火處理對矽氧化鉿高介電質可靠度之研究 - 逢甲大學

現今金屬-氧化物-半導體(Metal Oxide Semiconductor，MOS)元. 件的氧化層已經由其他高介電係數材料(High Dielectric Constant，. High-k)取代原本的二氧化矽(Silicon ...

#56. 第五章晶圓製程設備產業智慧資源規劃實證研究第一節主要設備 ...

參考李佳玲半導體奈米製程迎. 戰新High k/ Low K 材料技術，電子時報。 100 ALD 可在高深寬比溝槽上，比傳統PVD 和CVD 製作階梯覆蓋率極佳的薄膜，在 ...

#57. high-k材料 | 日経クロステック（xTECH）

high -k 材料としては，HfSiO（ハフニウムシリケート）あるいはNを添加したHfSiOを用いる可能性が高い。32nm世代以降としては，HfSiOなどよりもゲート・ ...

#58. 雅克科技：公司TFT光刻胶已涨价high-k材料主要供应长鑫存储

目前国内项目的high-k材料最主要的客户有长鑫存储，随着制程更加先进，前驱体的用量会变得更多。公司有望成为国内前驱体市场头部供应商。

#59. PLD Lab - 南京大学

Surface Modification on Solution Processable ZrO2 High-k ... 以高介电常数(K)材料来取代传统SiO2最大的好处是：高K材料可以以数倍于SiO2的物理 ...

#60. Electrical and reliability analysis for GDH High-k Films after ...

快速热退火Gd2O3掺杂HfO2高k 薄膜电性能及瞬时击穿. 分析. 王小娜，张心强，熊玉华*，杜军，杨萌萌. 先进电子材料研究所，北京有色金属研究总院，北京100088.

#61. 高介電常數閘極介電層TDDB崩潰行為之研究 - 9lib TW

是High-k 材料，而k值稱為介電常數(Dielectric Constant) 。 [2] 高介電常數材料常以High-k稱呼之，主要功能是用來隔絕閘極的漏電流，傳統氧化層使用的是二氧化 ...

#62. 使用雷射退火之鍺基底N 型 - CHUR

的關係(< 500℃)可使得原件特性(閘極、high-k 材料)能夠保持完整性。然而，就是 ... Keywords: Ge、high-k gate dielectric、laser annealing ...

#63. KIYO系列產品

此外，元件堆疊中的金屬閘和高介電值(high-k)材料也需要先進的多層薄膜蝕刻能力。先進的晶片設計會同時出現如凹陷通道(recessed channel) 和3D閘極電晶體，以及傳統 ...

#64. FSI發表45奈米製程high-k薄膜蝕刻技術 - CTIMES

FSI表示，隨著IC業者持續開發45奈米技術節點電晶體，矽酸鉿（hafnium silicates）這類的high-k材料將會取代二氧化矽（SiO2）成為閘極介電質；在閘極結構形成後，從接觸 ...

#65. high K - SCIdict学术词典-在线专业词典

【high K】的中文译词：高介电常数栅介质; 高介电常数材料; 【high K】的相关专业术语翻译：High K Gate Dielectrics 高k栅介质; high K composites 高K复合材料; ...

#66. 雅克科技：公司TFT光刻胶已涨价high-k材料主要供应 ... - 集微网

集微网消息近日，雅克科技在接受机构调研时表示，预计明年国内前驱体项目将建设完成，届时开始投产，公司就可以开始向中国客户提供产品。目前国内项目的high-k材料最 ...

#67. Bi2O2Se：Bi2O5Se High-K Stack作为Si：SiO2的二维模拟

诺贝尔奖获得者赫伯特·克鲁默（Herbert Kroemer）创造了一个著名的短语，即“接口就是设备”，强调了材料接口对于电子设备的功能和性能的重要性。

#68. Ultimate high-k challenge - Open Innovation - Merck KGaA

Provide ultimate High-k dielectric materials pushing the boundaries for electronic materials in next generation digital technologies.

#69. 鉻緩衝層厚度在鈦酸鍶鋇薄膜之介電性質及機械應力之研究

High -k 電容候選的新材料，預測0.15 µm 以後將會採用Ta2O5 膜。0.15. µm 以後則是STO/BST 登場的時候[26]，要抑制蓄積電極的高度正檢. 討MIM( ...

#70. 成功大學電子學位論文服務

使用高介電係數（high-k）絕緣材料作為MIS穿透結構閘極絕緣層，於獲得相同閘極電容值條件下，可允許採用較二氧化矽厚度k/3.9 倍之厚度以抑制閘極漏電流，已成為新 ...

#71. 科技人才學習網

本次課程首先介紹為什麼奈米元件必須放棄SiO2/poly結構而採用high-k/metal gate ... 此外，在元件尺寸縮小化的趨勢下，為達到厚度薄且均勻性高之高介電材料和金屬薄膜 ...

#72. 看過此文還不懂半導體製程發展史，小編我將吐血辭職… - 壹讀

具備high-k性質的材料很多，但是最終被採用的材料，一定要具備許多優秀的電學性質，因為二氧化矽真的是一項非常完美的電晶體絕緣層材料，而且製造工藝 ...

#73. 中文摘要

為了解薄膜之介電及. 電化學性質，本研究導入平板電容之觀念架設一薄膜低頻介電量測系. 統，量測出BP 之介電值約為16，為一High-k 材料，並知其比電容. 值為150 F/g 且循環 ...

#74. CVD/ALD Precursor "High K" 材料市場預測>> 必富未上市財經 ...

會員：黑馬股10000249 發表時間:2007/8/6 下午02:52:41. CVD/ALD Precursor High K 材料IEK 2007年國內市場預測 2007年台灣High k材料的成長率將超過100%

#75. 半導體料材技術動向及挑戰:SOI,RC-Delay,High-k,製程材料類

除上述外，為了讓晶片有更快的效能，因而提出了高介電質（High-k）與應變矽（strained silicon）等技術，高介電質材料主要是替換原有位在閘極金屬電極 ...

#76. 半導體製程，經歷了哪些重大的發展節點？ - GetIt01

High K Gate，解決了SiO2厚度不夠，隧穿電流太大的問題。 ... 隨著外加電場的方向而改變自己的分布，high-k材料的介電常數之所以高的原因，就跟內部的 ...

#77. 什么是High K - 360doc个人图书馆

为解决此关键问题，英特尔正规划改用较厚的High-K材料(铪hafnium元素为基础的物质）作为闸极电介质，取代沿用至今已超过40年的二氧化硅，此举也成功使 ...

#78. 推动发展不光靠挤CPU材料学平民解读 - 科技

第2页：电介质的性质，low-K与high-K. 首先我们要知道CPU内部的集成电路除了，金属导线，半导体材料之外，还有分布于他们周围的至关重要 ...

#79. 电介质的性质low-K与high-K-中关村在线

首先我们要知道CPU内部的集成电路除了，金属导线，半导体材料之外，还有分布于他们周围的至关重要的“电介质”，“电介质.

#80. 什么是Low-K?什么是High-K? | 胶 朋友—电子胶水学习

IBM声称，Low-K材料帮助解决了芯片中的信号干扰问题。而Intel的目的是使用低介电常数的材料来制作处理器导线间的绝缘体。这种材料可以很好地降低线路 ...

#81. high k 材料鉿基高K(high - Guvxn

鉿基高K(high k)柵極是什么？？_百度知道. 新材料的使用可大幅度減小漏電電流，降低耗電量。目前有望用于high-k材料的有Al2O3，HfO2，ZrO2，Zr-Al-Si-O。其中Zr和Hf 等 ...

#82. low k 材料– 介電係數表 - Nicolago

High -K和Low-K 电介质材料不同电介质的介电常数k 相差很大，真空的k 值为1，在所有 ... Low－K材料简介在半导体制程中，Low－K是相对于二氧化硅具有小的相对介电常数的 ...

#83. Japanese semiconductor confidence? - YouTube

手握全球5成半導體 材料 南韓曾吃過苦頭！台積電填息行情要看美元臉色？還有舒服價位可進場？#美日#製程#晶片#日本#美國#半導體#IBM#英...

#84. High-k gate dielectrics - YouTube

High - k gate dielectrics. 3,602 views3.6K views. Aug 31, 2016. 32. Dislike. Share. Save. nptelhrd. nptelhrd. 1.98M subscribers. Subscribe ...

#85. 進展嚇人！台積電2nm晶片：四大核心技術太恐怖。三星已無暇 ...

由於摩爾定律的重要性正在減弱，晶片的能源效率和低功耗將成為未來的新基準。和電晶體結構的變化類似，二維 材料 的應用也是為了解決電晶體微縮後帶來的 ...

#86. Intel 4工艺剖析：可以算是4nm吗？ - 电子工程专辑

有分析师认为，Intel在10nm时代采用钴材料的激进行为，是导致10nm工艺延后 ... 具体的是通过新型high-k高介电常数材料在<0.1nm的薄层中沉积，在两个或 ...

#87. Longines 推出全新Ultra-Chron High-Beat 潛水錶款 - Hypebeast

每日+6/-4 秒的精度，測試是整支錶進行而非單純針對機芯。 Longines 全新Ultra-Chron High-Beat 具備300 米防水功能，並提供皮革、不鏽鋼、回收材料製成的 ...

#88. Saint-Gobain

Saint-Gobain designs and delivers innovative and high performance solutions that improve our habitat and our daily lives.

#89. 台積電(TSM.US)將在2024年使用阿斯麥(ASML.US)下一代光刻機

這種被稱爲“high-NA EUV”的設備用于産生聚焦光束，在手機、筆記本電腦、汽車和智能音箱等人工智能設備中需要用到的計算機芯片成型前創建出微型電路。

#90. Hikvision

#91. Design - Material Design

Build beautiful, usable products faster. Material Design is an adaptable system—backed by open-source code—that helps teams build high quality digital ...

#92. BLICK Art Materials: Art Supplies

Blick offers the best selection of art supplies online. Shop paint, drawing supplies, crafts, framing, and more. Find all your art supply needs in one ...

#93. MUI: The React component library you always wanted

"MUI offers a wide variety of high quality components that have allowed us to ship features ... 2.4k. Open-source contributors. 17k. Followers on Twitter ...

#94. Browse all - Learn - Microsoft Docs

Dyslexia Awareness: Part 2, in partnership with Made By Dyslexia. 55 min. 4.9 (2.5K). Flipgrid; K-12 Educator; Intermediate. Save. Learning Path ...

#95. 纳米金刚石/酵母-壳聚糖复合微球的制备及光热控释性能

壳聚糖(CS)作为一种来源广泛、无毒、可自然降解的天然高分子材料，其球状凝胶具有制备简单、粒径可控、表面化学键丰富等优势，被广泛应用于药物吸附和输送。

#96. 高科技產業製程安全技術與管理: 本質較安全設計

閘極(Gate)電介質目前最主要的材料為二氧化矽(SiO2 )其 K 值為 3.9,其他 Low-K 材料 ... 性的高介電質材料(High-K Materials)研究,High-K 介電值厚度是二氧化矽之數倍, ...