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小弟不才，來這野人獻曝了
loading effect分兩種，跟斯斯不一樣，分別是marco loading 與micro loading。
Marco loading effect發生在晶圓曝露面積不同時，有不同的蝕刻率，一般文獻你會看到
叫open area ratio。當open area ratio越大時，代表光阻覆蓋區越小，以同樣蝕刻poly
silicon來說，open area ratio大的蝕刻率會較慢，對應的是EPD時間變長。
Micro loadind effect則是晶圓內部細微的差異，在圖案密集區，如一般說的density ar
ea或稱array area的蝕刻率會與periphery area不同，一般來說periphery area蝕刻率會
較快，EPD抓到之後，會再補足一定量over etch，確保array area也是有蝕刻開來。 再
微觀一點的是pitch的差異，同一片wafer上有不同pitch的圖案時，兩種pitch也會存在不
同的蝕刻率，這些都統稱micro loading。
當然，這是比較common的說法，在不同的tool與不同的gas ratio下，行為都不見得會相
同，甚至與調整壓力或是功率也都會有極大的反差，這些都必須實際上機看才知道結果，
沒有一以貫之的理論。頂多參考一下F/C ratio估算，大概是醬子。
抱歉，眼殘沒看到第二個問題
microtrench比較常發生在沒有stop layer且傾斜度較大的蝕刻，比方說shallow trench
isolation。由於sidewall slop比較傾斜，蝕刻ion會順著斜坡向下，造成坡底下的蝕刻
速率大於平面區，最終會看到—√的圖型，稱microtrench。除此之外，蝕刻時間較長，
易讓光阻帶有較高負電荷，也有同樣的情況。
Fence /facet 兩組一起來，多半是做dual damascene。Fence 顧名思義就是柵欄，在dua
l damascene就是hole上方的柵欄，形成原因...先跳過
facet指的是hole到trench平面間的斜坡，詳情請找谷哥要圖。
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