關於 mosfet短路測試 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 如何实现SiCMOSFET的短路检测及保护？

本文章探讨了几种能够实现快速短路保护的方法，并且通过实际测试验证了可行性。 SiC MOSFET短路特性. 功率器件有多种不同的短路模式，其中 ...

#12. 大功率IGBT/MOSFET動態測試系統 - Quatek

TRd系列是一款針對大功率IGBT/MOSFET/二極體器件和晶片的動態特性測試系統，覆蓋8000A/10000V以內的模快測試，短路電流高達14000A, 200度高溫平臺.

#13. SiC MOSFET 短路保护技术综述（上）

其次，在短路工况下，SiC MOSFET 较弱的界面质量会带来栅极氧化层可靠性问题， ... MOSFET 短路保护方面做了很多工作，主要涵盖SiC MOSFET 短路测试 ...

#14. SiC MOSFET短路检测与保护研究综述

最后本文在前人的基础上提出一种降栅压短路保护电路，并且通过Pspice仿真软件以及实验验证了方案的可行性。 学术简报︱SiC MOSFET短路检测与保护研究综述. 图1 短路测试 ...

#15. SiC MOSFET短路保护技术综述

短路测试是研究功率器件短路特性、测试短路保护电路性能的重要方法。目前常见的SiC MOSFET短路测试方法有两种，各自优缺点和适用场合见表2。 （1）基于双脉冲测试 ...

#16. 善用參考設計半導體開路/短路測試快又好

開路與短路測試將針對半導體晶片的防護二極體電路，找出可能的產品瑕疵，因此屬於結構 ... 須注意，CMOS積體電路是以場效電晶體(FET)技術為架構，亦常 ...

#17. 西安理工大学科研人员发表SiC MOSFET短路保护 ...

在600V母线电压下对1200V/ 33A SiC MOSFET进行硬短路测试，被测器件在约13μs后失效损坏，然而在短路发生约5μs时被测器件栅-源极泄漏电流突然增大，这表明栅-源极已经退化。

#18. 什麼是功率MOSFET短路保護設計，它的功能應用意義什麼？

在不同的柵級電壓下測量短路電流，測試波形如圖2所示，採用的功率MOSFET為AOT266。圖2(a): VGS電壓為13V，短路電流達1000A，MOSFET在經過47us後電流 ...

#19. 经过严格测试，派恩杰SiC MOSFET短路能力已达世界一流水平

测试 表明，派恩杰短路测试平台稳定可靠。派恩杰的SiC MOSFET中P3M12017K4和P3M12025K4的短路能力已经达到了实际应用电路的使用要求 ...

#20. IGBT的短路测试(Short-circuit Test)

在现代电子设备和电力系统中，功率开关器件起着至关重要的作用。而MOS管（金属氧化物半导体场效应管）和IGBT管（绝缘栅双极型晶体管）作为两种常见的功率 ...

#21. 如何實現SiC MOSFET的短路檢測及保護？ - 雪花台湾

本文章探討了幾種能夠實現快速短路保護的方法，並且通過實際測試驗證了可行性。 SiC MOSFET短路特性. 功率器件有多種不同的短路模式，其中最嚴重的一種是 ...

#22. 增強型MOSFET 接腳測量

工具準備. 增強型MOSFET測量的第1步是先判定閘極(G)，先把三用電表檔位選擇到“ΩX10” ，紅、黑測試棒先短路接觸，調整三用電表“黃色Ω 歸零” 旋鈕，使 ...

#23. AN-1001 了解功率MOS 规格参数

UIS 测试电路，当提供VGS 驱动信号给待测MOSFET，待测MOSFET 导通，电流开始 ... 为了测量MOSFET 的击穿电压，首先将栅极和源极短路，然后慢慢的增加漏极-源极的电压，.

#24. [参考译文] BQ76200：MOSFET 在短路测试期间出现故障

我们正在测试我们的设计。 测试期间硬件失败。 电池组上的受控短路测试期间、一个(两个中的一个) MOSFET 出现故障。 栅极、源极和漏极都短接在一起。

#25. (PDF) Short-circuit Evaluation and Temperature-dependent ...

路测试。针对SiC MOSFET 短路中的过电流，文. 献[25-31]设计了保护电路，并通过具体的实验验证. 了保护电路的可行性。然而，现有的研究对SiC.

#26. 2019年

OPTO2020M多功能測試機，用以測試PHOTO MOS 包括NO、NC及ONE CHANNEL或DUAL CHANNEL之 ... 短路：SHORT; 開路：OPEN; 漏電流：ID; 轉折電壓：VZS, VZ; 崩潰顛壓：VBO ...

#27. SiC MOSFET短路保护技术综述

... 关于“SiC MOSFET短路保护技术综述”的一篇研究报告，以期促进本领域的学术交流和技术进步，主要包括SiC MOSFET短路故障分类、短路测试方法、短路 ...

#28. 电动汽车用碳化硅(SiC)场效应晶体管(MOSFET) 模块评测规范

注1：SiC模块内部包含MOSFET芯片、二极管芯片时，应分别对热阻进行测试；当模块的散热结构 ... 数测试. 热阻. 测试. 短路. 测试. 绝缘耐压. 测试. 1. 高温反向偏压.

#29. 基于瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路保护策略

仿真测试了其针对两种不同短路故障工况的监测性能,验证了提出的短路检测的有效性.结果表明提出的短路保护方法响应时间短,短路峰值电流小. 下载App查看全文.

#30. 短路条件下1200 V SiC MOSFET的稳健性评估

设计了一个测试电路(图1a和1b)，用于评估1200v, 80 mΩ SiC mosfet (Littelfuse LSIC1MO120E0080)(图2)在各种工作条件下的短路能力。采用高带宽、高电压无源探针测量漏源极( ...

#31. 极端应用下的SiCMOSFET老化测试装置及测试方法研究

以SiC MOSFET为代表的宽禁带半导体功率器件具有导通电阻低、开关速度快、极限工作 ... 将造成极为严重的影响，其次SiC MOSFET 芯片面积小，电流密度大，短路电流耐受 ...

#32. 標籤: SiC MOSFET

經過多年的開發工作，以實現最低的導通電阻和穩健的短路和雪崩性能, 我們很高興發佈業界 ... GeneSiC的1200V SiC MOSFET分立器件100 % 雪崩(UIL) 生產過程中經過測試 ...

#33. 想瞭解SiC驅動、短路、保護？ 英飛淩碳化矽直播季有答案

趙佳分享了SiC MOSFET的短路特性與4種保護方法，並介紹了英飛凌用於短路保護的兩種驅動晶元系列——1ED332X及1ED34/38系列; 鄭姿清介紹了門極驅動能力及測試方法對SiC ...

#34. SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估

短路 和雪崩是可能導致電源轉換器開關嚴重失效的異常事件[5-6]。 短路事件可能是錯誤和失控的工作 ... 在UIS條件下的雪崩能量測試結果被用於定義SiC MOSFET的魯棒性。

#35. SIC1181KQ/SIC1182KQ

具有電流感測端子的SiC MOSFET 過電流偵測. • 超快速短路監控、關閉和報告. • SiC MOSFET 關閉期間的過壓限制. 絕對安全且符合法規. • 100% 經過生產部分放電測試.

#36. MOSFET结构、原理及测试 - 芯片测试技术-ic test

相邻晶粒方法确实需要右侧的MOSFET（在探针D和F之间）处于工作状态。如果这个晶粒上的栅极和源极被短路，那么测量结果可能不正确。 RDS(on)的取值是 ...

#37. 重复短路测试下平面和沟槽SiC MOSFET 中VTH 退化的栅极 ...

SiC MOSFET 在短路(SC) 应力等恶劣工作条件下的可靠性仍然是一个主要问题。在本文中，开发了一个专用老化平台来研究SiC 平面和沟槽栅极MOSFET 在 ...

#38. 研究1.2-kV SiC JBS 集成MOSFET 短路测试的失效机制 ...

在本文中，1.2-kV 单片结势垒控制肖特基二极管集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(JMOS) 在短路(SC) 测试下的失效机制已通过实验验证和模拟分析。

#39. MOS测试原理解析

MOS测试 原理解析-GTM_ENG 學習資料17MOSFET的直流參數及測試目的▻ 8. ... 測試方法： GD Short，從DS間灌入一個電流(一般為250uA)量測IDS及VGS,用ID/VGS 得到GFS ...

#40. SiC MOSFET 短路保护技术综述 - 苍宇辰芯

在600V 母线电压下对1 200V/ 33A SiC MOSFET 进行硬短路测试，被测器件在约13μs 后失效损坏，然而在短路发生约5μs 时被测器件栅-源极泄漏电流突然增大，这 ...

#41. 最佳化SiC MOSFET閘極驅動

在高壓開關電源應用中，相較傳統的矽MOSFET和IGBT，碳化矽(SiC) MOSFET有 ... 如果導通期間的最大VGS太低，閘極驅動導通沿太慢，或者存在短路或超載 ...

#42. 如何測試MOSFET - 產品技術提示

這主題將介紹如何使用類比三用電表測試MOSFET 電晶體。 ... 如果您發現測量的所有結果都接近0Ω 並且不會放電，則FET 被視為短路並需要更換。 測試P 溝 ...

#43. 用於GaN HEMT的超快速分離式短路保護- 電子技術設計

當故障信號變高時，MOSFET被觸發使用Rg_on和R3電阻形成GaN HEMT閘極的分壓 ... 短路保護測試是基於單端元件的硬開關故障短路，而過流保護是在典型的雙 ...

#44. 3310G系列新世代電子負載的新功能應用說明

在3310G系列BMS測試功能下，對於鋰電池BMS保護電路的短路電流保護及過電流保護 ... 除此之外，3310G系列電子負載還可以檢測出BMS短路保護動作時，也就是BMS內部MOSFET.

#45. 分析高压SiC MOSFET的鲁棒性和可靠性

短路测试 。MOSFET承受短路负载，模拟电机驱动中的硬开关故障。直流链路电压为600V，栅极驱动电压为+20V/-5V ...

#46. SiC MOSFET的短路特性

设计了基于FPGA的数字式SiC MOSFET驱动保护电路,实现了短路保护盲区时间易于调整。搭建了第一类短路测试平台并对SiC MOSFET进行了短路测试,分析了漏源极电压退饱和保护及 ...

#47. SiC Trench MOSFETs' Reliability under Short-Circuit ...

非对称沟槽MOSFET 的短路耐受时间(SCWT) 高于双沟槽MOSFET。对短路测试期间器件内部的热应力和机械应力进行了模拟，以探究故障机制并揭示器件结构对器件可靠性的影响。

#48. 锂电池保护解决方案

新洁能专注于MOSFET、IGBT器件的研发生产，致力于打造高效可靠的功率器件，为您提供 ... 短路测试非常考验器件的抗冲击能力，以NEP039N10D为例，客户会进行上电短路和 ...

#49. 實驗九金氧半場效電晶體的特性

為何將加強型MOS 的G 和D 極短路，在DS 間加偏壓，MOS 一定在截止或飽和區操作？ ... 我們這裡要利用實驗「二極體的特性」的步驟（「動態二極體特性曲線」測試方法）來 ...

#50. 俄亥俄州立大学的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

因此，SC功能是器件制造商对其零件执行的可靠性测试之一。该测试是独一无二的，因为当栅极脉冲打开时，器件在特定应力间隔内承受高电压和高电流。 俄亥俄 ...

#51. LTM4641 具高級輸入和負載保護功能的38V

壽命。40VIN 時的SW 漏電流靜態測試僅在控制IC 晶圓級上進行。 注2：LTM4641 在脈衝負載條件下進行測試以使TJ ... MOSFET 短路時也不例外)，LTM4641 向這種觀念發起了.

#52. RCE第二代整流器@二代TMAX電壓及溫度簡易測試報告

近日內RCE第二代整流器即將推出，其整流器結構屬於MOSFET短路型調整器(MOSFET Short Regulator)，與一般市面上常見的SCR短路型調整器有何不同之處呢?

#53. 从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比

图2 10us浪涌极限测试平台. 至于短路能力，相较与Si IGBT，SiC MOSFET电流密度更高且栅极氧化层较薄，其短路能力要弱于Si IGBT，但其依然有一定的短路 ...

#54. SIC MOSFET驱动电路设计-短路保护 - 新能源汽车- OFweek

为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作， ... SIC MOSFET的单次短路承受时间很短，并且在进行重复性短路测试以后，SIC ...

#55. 开关/短路条件下的瞬态结温

功率MOSFET数十年以来一直是. 电子设计的基础,为多种应用提供开关 ... MOSFET在故障条件下处理大电流突. 发浪涌。 ... 出端进行短路测试。在输出(变压器的.

#56. [求助]MOSFET的好壞測量之疑問~~? - 新手上路

由上電錶電壓測試，POR'S KIT 之二極體檔有3V的輸出。 ... 時電流錶應該達到短路時電流0.3A，再將G、S短路一下又回到開路(無電流)，表示N-FET是好的。

#57. XC8102 係列

XC8102系列是內置Pch MOS FET的帶ON/OFF功能及保護輸出電流功能的低導通阻抗負載開關IC。 ... 限流電路(foldback電路)，能工作於輸出電路的過電流保護和保護輸出端子短路。

#58. 新型高功率半導體裝置將儀器推向了極致––

對於MOSFET，閘極可以短路或強制進入「硬」關斷狀態，例. 如透過向n 型裝置施加負電壓或向p 型裝置施加正電壓。這是. 一個非常簡單的測試，可以使用一或兩個SMU 儀器來執行 ...

#59. MOS管 - 国产场效应管

MOS 管 · MOS管的生产工艺流程 · SiC MOSFET的短路测试下的引线键合应力分析 · 功率半导体引线键合方法 · 利用MOS管升压BOOST电路图分析 · P沟道mos管作为开关的条件 · 场效应管的 ...

#60. 车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力

电阻器(RLIM)实时检测电源轨电流，eFuse电子保险调整MOSFET的栅源电压(VGS)，将电流限制在目标值，保持电流恒定。如果发生强过流或短路，控制器就会断 ...

#61. 实战四问四答，透析开关电源异常状况

虚焊或者掉件，相当于没有RCD了，此时MOS的应力会加大，一般是会超出MOS规格，使MOS ... 1)对于做过安规的都清楚，有open/short实验，对于IC，任意两个pin脚短路测试。

#62. 使用說明書

場效電晶體(FET)分為二種: JFET 和 MOSFET 空乏型及增強型 ... B. 短路測試(short Test)是測試原不屬於任一短路群(short Pin Group)的任意兩點和各.

#63. 栅极驱动器以及SiC MOSFET的栅极驱动

Wolfspeed Silicon Carbide MOSFET gate drivers enable high-efficiency power delivery across ... 图8：驱动器和碳化硅MOSFET破坏短路测试 ...

#64. 借助有限元分析法熱模型碳化矽MOSFET短路一目了然 - 新電子

此外，溫度估算及其與已知臨界值的相關性，將能解釋實驗觀察到的失效模式。在這種情況下，模擬工具和分析方法有著重要作用，因為瞭解在極端測試條件下結構 ...

#65. 評估短路條件下1200 V碳化矽MOSFET 的穩固性

本研究將討論1200 V，80mΩ 碳化矽MOSFET 的短路能力。從各種操作條件下執行的破壞性測試中收集的結果將被呈現和解釋，以及從應用和設備角度進行設計 ...

#66. Transphorm的GaN首次达到对电机驱动应用至关重要的短路 ...

它证明了Transphorm GaN有能力满足坚固的功率逆变器所需的短路能力，例如伺服电机、工业电机和传统上由硅IGBT或碳化硅（SiC）MOSFET供电的汽车动力 ...

#67. 测量mos管ds短路，加热散热片恢复正常怎么回事？

然后拿下来测试，发现反复折腾，有时候mos管还会短路，断电放很久也不能恢复，但只要用烙铁一加热散热片，就会恢复，对mos管不太熟悉，请教下大家，这 ...

#68. 電源IC輸入端的過應力分析

USB埠都需要進行短路測試，這個測試通過一個開關來類比，IC需要在偵測到短路以後快速將其MOSFET開關關斷。從圖23中的實例可以看到，MOSFET開關關斷的動作是有延時的， ...

#69. 【功率器件研究所】第三课：如何理解IGBT

短路 应用是IGBT器件的一大特色，在指定的短路条件下，IGBT器件必须在10μs ... 与MOSFET用纯阻性测试电路测得的开关特性不同，IGBT的开关特性一定要在 ...

#70. sic mosfet IGBT动态参数测试仪

中国供应商(https://site.china.cn)西安易恩电气科技有限公司为sic mosfet IGBT动态参数测试仪批发厂家，价格优惠， ... 一次短路/ 脉宽10uS / 短路电流10KA.

#71. 评估1200v SiC mosfet在短路条件下的鲁棒性 - raybet开户

这允许使用SiC MOSFET来容纳电路条件的设计，而不会影响器件的导通电阻或芯片尺寸。 破坏性短路试验结果. 设计了测试电路（图1A和1B），用于在各种工作条件下评估1200 V ...

#72. MOSFET的最大极限电流IDM如何测试，测试这个电流是否 ...

现在大体上要求过流/短路测试最好找华晶的MOS，其他国产的就算了，像锂电池保护板短路电流很高的，国产的只... 士兰好像也还可以，但外面还有些小芯片 ...

#73. [求助中] DR.MOS怎么判断好坏小四针短路CPU供电短路

第一次见到DR MOS管，型号为RJ2065a，不知道怎么测好坏现在怎么判断 ... DRMOS 短路不短路，你测试下T1 T2两个测试点啊一般短路了，控制极就会短路.

#74. 描繪寬能隙裝置的特性

進行基本IV 特性分析量測; 在更寬的功率封裝元件上進行測試; 執行功率半導體裝置 ... 對於MOSFET 而言，閘極可以短路或強制進入「硬性」關閉狀態，例如對n 型裝置施加 ...

#75. (AOT266L应用电路图引脚功能图AOT460最低导通开启电压 ...

NCE75H35T 1：稳压电路晶体管 稳压管的型号 NCE8010S 3：mos晶体管的工作原理 NCE8050 4：电子元器件 AOK15B60D 图1 短路等效电路 19：大功率mos管驱动电路

#76. 宜普電源轉換公司（EPC）發佈第十一階段可靠性測試報告

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路，其 ...

#77. MOSFET的失效机理：dV/dt失效和雪崩失效

MOSFET 雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。 ... 雪崩测试中MOSFET的电压和电流波形 ... dV/dt失效与反向恢复特性之间的关系可以通过双脉冲测试来确认。

#78. MOSFET的电气特性（静态特性IGSS - V(BR)DSS

栅极泄漏电流（IGSS）：当在漏极和源极短路的情况下在栅极与源极之间施加指定电压时产生的泄漏电流.

#79. 無須開蓋、3D封裝無礙，輕鬆偵測故障點

我們替您實作了幾張經典Thermal EMMI範例圖，在低倍率下，可以非常清晰的看出IC Top Marking影像(圖一)，並且在阻抗極低的短路失效樣品中，傳統偵測工具 ...

#80. 第三類半導體功率元件究竟如何量測？電性測量及故障分析 ...

IC 的量測可以分為靜態測試與動態測試兩種，前者就是DC 量測，open/short 與leak Hi/Lo 皆屬此類，在第三方分析實驗室皆可靠參數分析儀進行驗證，而缺陷的 ...

#81. 防止MOS短路时炸管。-综合电源技术

这个电路是电子调光器主电路，带短路保护功能，在短路测试时经常炸管，通过测试发现短路发生时G极电压产生一个高达40-50V的尖峰电压，增加D1稳压管后 ...

#82. 功率元件該如何檢測？電性測量及故障分析全攻略

在IC 的量測上，可以分為靜態測試與動態測試兩種，前者就是DC 量測，open/short 與leak Hi/Lo 皆屬此類，在第三方分析實驗室皆可靠參數分析儀進行驗證，而 ...

#83. IGBT短路测试方法_哔哩哔哩 - Bilibili

学会这个方法，事半功倍！，为什么IGBT模块买回来一定要进行耐压 测试 ？这就是最好的证明！， MOS 管工作原理，为什么说入行PLC越早越好，那些工作6年 ...

#84. 开关电源在耐压测试时击穿MOSFET为什么?

只要输入和输出分别短路，并且保持接触良好，所施加的测试电压不会加到MOSFET上，但是如果个别元件发生击穿，跳火等，则根据击穿的部位不同，而放电 ...

#85. 深入了解SiC MOSFET实现建议和解决方案示例

ROHM 的测试表明，第三代解决方案可以在约50 纳秒(ns) 的时间内从0 伏骤升至800 伏。 但设计人员需要了解一项参数权衡，即新器件的短路电流耐受能力 ...

#86. 今華電子材料零件網路商城 各類零組件、電腦耗材周邊、各類 ...

各式保險絲/保險絲座 · 強力磁鐵/電磁閥 · 手機維修用零件 · 歐洲夾/ 鱷魚夾/ 鱷魚夾線 · 電瓶夾/工作夾 · 測試鉤 · 測試PIN/短路PIN(JUMP) · 焊片/焊針 · 探針 ...

#87. Fix G&G ETU 2.0 & Mosfet 3.0 電子板機維修分享 - YouTube

第一次嘗試幫忙網友維修G&G MOSFET 3.0 控制板與ETU 2.0 開關板。 ... AEG Motor Thermal casing Short & Repair - 電槍馬達端子 短路 檢修.

#88. 功率MOSFET - 維基百科，自由的百科全書

BJT可能因為p-type體區的電位差而導通。為了避免閂鎖現象，MOSFET體以及源極之間會透過封裝直接短路，避免有電位差。

#89. VIPER12ADIP-E：增强型开关电源控制器 - 电子元器件

VIPER12ADIP-E采用了先进的CMOS工艺和优化的控制算法，通过控制高压MOSFET开关的开关时间和频率来 ... 测试样板的输入和输出电压、电流、效率等参数是否符合设计要求。

#90. iCShop - 電子材料/模組/STEAM教具/開發板軍火庫

iCShop 針對108課綱研發CIRCUS Pi品牌STEAM教學教具，亦提供Arduino、樹莓派、micro:bit、LinkIt7697、ESP32、mBot、DoBot、學習套件、感測器及各 ...

#91. MAX25460汽车级1.5A降压式转换器 - 贸泽电子

该直流-直流转换器集成了高侧MOSFET，并采用低正向压降续流肖特基二极管进行整流。 ... VBUS、HVD±引脚上电池短路保护; 通过I 2 C总线进行高级诊断 ...

#92. 售完為止。 電源短路測試器Power SCT (Short Circuit Tester) 一

短路測試 器預購1+1方案即日起預購Power SCT，加贈保險絲電流表，免運含稅支援貨到付款，只要NT $2999，限量500套，售完為止。 電源 短路測試 器Power ...

#93. 原装全新ON SEMICONDUCTOR 现货MC78L05ACDR2G ...

... 压器数1电压- 输入30V电压- 输出5V电压- 输出-电压降-电流- 输出100mA电流- 静态(Iq)6 mAPSRR49dB（120Hz）控制特性-保护功能超温，短路工作温度0°C ~

#94. 3A充电电流，1~4节锂电... - IU5200集成30V的OVP功能

... 以及1~5节磷酸铁锂电池。芯片集成包括4开关MOSFET、输入和充电电流感应电... ,一牛网. ... 输出过压，短路保护。集成30V的OVP功能，过温保护， ...

#95. 中国国际金融股份有限公司关于华润微电子有限公司2023年 ...

经过多年发展，公司在半导体设计、制造、封装测试等领域均取得多项技术 ... 4、Dr MOS产品完成了两版的单体、合封测试，目前在客户端进行测试验证。

#96. 光大证券股份有限公司关于苏州纳芯微电子股份有限公司2023 ...

同时，报告期内公司的晶圆代工、封装测试主要向国内外的头部供应商采购，上述 ... 如欠压，短路，负载检测等等 ... 配 IGBT 与 SiC MOSFET，多模式，

#97. 弧形海景房，乔思伯TK-1 + 微星B760M 迫击炮+影驰4060 ...

VRM区域散热片加大设计，均附有高品质7W/mK MOSFET 散热垫和choke 散热 ... 同时，具备欠压保护、过压保护、短路保护、过温保护、过电流保护、过功率 ...

#98. 新電子 04月號/2019 第397期 - 第 34 頁 - Google 圖書結果

MOSFET /IGBT在受控破壞模式下測試電路在IGBT/M OSF ET驅動器的電氣超載 ... 這個開啟訊號透過微隔離(Microisolation)構造進行傳送,會導致短路狀況並破壞電源電晶體T1。