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mosfet開關電路 在 コバにゃんチャンネル Youtube 的最讚貼文

コバにゃんチャンネル By コバにゃんチャンネル

2021-10-01 13:19:08 有 9 人看過 有 1 人喜歡
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mosfet開關電路 在 大象中醫 Youtube 的最佳解答

大象中醫 By 大象中醫

2021-10-01 13:10:45 有 0 人看過 有 0 人喜歡
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大象中醫

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長照是一個劇變的旋轉舞台 百年難得一見 沒有準備的人 被旋轉舞台甩出去 不是坐下就是躺下 而大象中醫是太極的推手 推動著旋轉舞台 讓 所有爬不起來的人 背後有一股推手力量 支撐再站起來
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mosfet開關電路 在 大象中醫 Youtube 的精選貼文

大象中醫 By 大象中醫

2021-10-01 13:09:56 有 0 人看過 有 0 人喜歡
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大象中醫

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長照是一個劇變的旋轉舞台 百年難得一見 沒有準備的人 被旋轉舞台甩出去 不是坐下就是躺下 而大象中醫是太極的推手 推動著旋轉舞台 讓 所有爬不起來的人 背後有一股推手力量 支撐再站起來
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mosfet開關電路 在 [問題] 將mos設計為開關的方法- 看板Electronics 的推薦與評價


作者linpogin213 (linpogin)
看板Electronics
標題[問題] 將mos設計為開關的方法
時間Mon Feb 8 11:05:03 2021

目前對於mos的應用有點搞不太清楚
該如何將mos設計為一開關使用
若將mos設為開關，需控制在歐姆區操作
Vgd>Vt, Vgs>Vt,此時Vds很小就能當作開關使用

有疑問的部分是我該怎麼設計一簡單電路為開關線路呢？需注意的部分有哪些

還有一個問題是飽和區的條件為Vgd<=Vt, Vg>=Vt,此時Vds很大

這部分是調整Rd去控制mos在飽和區或歐姆區嗎？還是有其他方式可以調整Vds的電壓

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.10.29.42 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1612753505.A.EC2.html
→ samm3320: 當開關不會操作在飽和區 02/08 11:29
→ samm3320: 飽和區的vds 也不用很大，超過vgs-vt 就行了 02/08 11:31
推 taipoo: google「MOS 開關電路」找圖片，就有一堆電路圖範例了 02/08 11:33
→ linpogin213: 嗯 我知道開關是要用在歐姆區，但要怎麼確保mos工作 02/08 11:35
→ linpogin213: 在歐姆區呢？ 畢竟只差在Vgd>Vt這部分 02/08 11:35
→ samm3320: vg拉高你就很難在飽和區啦 02/08 11:39
→ samm3320: 你要把mos 當作可變電阻來思考 02/08 11:39
→ samm3320: vgs拉電阻變很小，你要保持很大的vds操作在飽和區代表你 02/08 11:40
→ samm3320: 要灌很大的電流給他 02/08 11:40
→ samm3320: 電流不夠他就會自然在歐姆區 02/08 11:41
→ samm3320: 當開關很多時候根本沒電流，只有電容負載，自然不會在 02/08 11:42
→ samm3320: 飽和區 02/08 11:42
→ linpogin213: 所以基本上Vgs>Vt都能操作在歐姆區，除非Rd太小或VDD 02/08 11:54
→ linpogin213: 太大，才有可能導致mos進飽和區嗎 02/08 11:54
→ linpogin213: Vgs調大，Id變大，Rds(on)變小，Rd不變的情況下Vds 02/08 11:56
→ linpogin213: 變小，就能操作在歐姆區 02/08 11:56
→ samm3320: vgs>vt你本來就可以設計Id來決定要把mos操作在飽和還歐 02/08 12:00
→ samm3320: 姆區 02/08 12:00
推 taipoo: 基本上，MOS電流是跟通道開啟的開口寬度有關，Vgs不大時， 02/08 12:04
→ taipoo: 通道一端開口隨Vgs愈大愈大，但Vgs大到一個程度時，通道開 02/08 12:04
→ taipoo: 口就達到極限寬度了，此時通道開口幾乎是最大的，而歐姆區 02/08 12:04
→ taipoo: 跟飽和區的差別，就在於通道開口是否有限或可微調了 02/08 12:04
→ linpogin213: 據我目前的理解，Rd不變的情況下，單調整Vgs的話，會 02/08 12:24
→ linpogin213: 影響Id的大小，進而影響Vds，但在Vgs不變的情況下， 02/08 12:24
→ linpogin213: 若要決定歐姆區或飽和區的話，應是調整Rd來決定Vds， 02/08 12:24
→ linpogin213: 此時便能控制Vds大小進而控制mos在歐姆區或飽和區， 02/08 12:24
→ linpogin213: 我這理解是對的嗎 02/08 12:24
推 mmonkeyboyy: 你要什麼開關? 0/1 analog? 02/08 12:26
→ linpogin213: 單純就是Vgs拉H，Vd拉L的開關而已，只是L要拉的確實 02/08 12:29
→ linpogin213: ，若不小心在飽和區的話，L就非0V了吧 02/08 12:29
→ samm3320: 邏輯開關根本沒電流，怎麼跑到飽和區 02/08 12:36
→ linpogin213: Vgs拉H，mos導通，不就會有Id電流嗎 02/08 13:46
→ linpogin213: 02/08 13:47
→ linpogin213: 單純這種電路 02/08 13:48
→ samm3320: 欸因為現在大多都用cmos邏輯了，你要用nmos 邏輯的話那 02/08 14:42
→ samm3320: 就是Rd要放夠大 02/08 14:42
推 andyping: 數位用transmission gate就ok啦 nmos 就是會加負載之類 02/08 16:01
→ andyping: 的 02/08 16:01
推 mmonkeyboyy: 樓上正解 所以我才問到底要什麼開關 02/09 00:20
→ mmonkeyboyy: on/off的拿到TG就解了 別串太多就好 02/09 00:22
推 oldhan1: 買零件插板一測就明白了 04/15 23:35






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當作業發生異常時，它能迅速中斷MOSFET[3]，以減少MOSFET上的負載。 TPD7107F採用WSON10A[4]封裝，並且內建升壓電路，因此可減少電容器等週邊元件的使用。

#71. MOS管開關時的米勒效應！ - 時科SHIKUES

MOSFET 的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源 ... 理論上驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。

#72. SiC MOSFET的閘極驅動電路和接通/断开動作 - 英语

闸极驾驶电阻中包括闸极极极标号（vG), SiC MOSFET內部的閘極線路內阻(Rg_int.），以及SiCMOSFET的封敷的源极电源（L源),閘極電路佈局產生的電感量(L ...

#73. Mosfet 和IGBT 驱动对比的简介

选用IGBT 或Mosfet 作为功率开关本来就是一个设计工程师最常遇到的 ... 较合适IGBT 应用的条件（硬开关切换）： ... Mosfet 电路中存在一个寄生的二极管。

#74. 為什麼開關電源的開關管一般是用MOS管而不晶體三極體

理想的開關電路就是通電和斷電狀態，通斷兩個穩態，尤其是斷開狀態是不應該產生功耗的，這點mos更理想。 5樓：匿名使用者. 電壓驅動器件，輸出電流大， ...

#75. [問題] 將mos設計為開關的方法 - PTT 問答

1 · : 當開關不會操作在飽和區 02/08 11:29 ; 2 · : 飽和區的vds 也不用很大，超過vgs-vt 就行了 02/08 11:31 ; 3 · : google「MOS 開關電路」找圖片，就有一堆 ...

#76. 深入理解功率MOSFET的開關損耗 - LED驱动芯片

做照明驅動的朋友都希望自己做的驅動板能達到很高的效率，除開驅動芯片本身的損耗如果加深對MOS管開關的損耗做適當的電路調整我想多多少少也是可以擠出 ...

#77. 題目：比較CPLD/dsPIC 於FlyBack 電路

由於電力半導體元件的快速發展與進步之. 下，功率元件在容量和開關切換速度方. 面，均有大幅度的改進，使得一些新型的. 功率元件陸續被開發(如Power MOSFET、.

#78. MOS管的导通条件、基本开关电路-基础器件 - 与非网

“ 这篇文章主要关于MOS 管的导通条件和基本开关电路。” 01. 导通条件. NMOS 管和PMOS 管的导通条件不一样。 对于NMOS，当Vg-Vs>Vgs(th)时，MOS 管导 ...

#79. mosfet 開關工作區– mosfet 開關電路

mosfet 開關工作區– mosfet 開關電路 ... 金屬氧化物半導體或“ MOS”晶體管因其操作而被認為是理想的開關操作。 MOS晶體管芯片充當晶體管及其導線的可靠電流和電容器。此時， ...

#80. 開關電路MOS管設計知識 - 升压芯片

1,MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS ...

#81. mos開關設計

在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通 ... MOSFET通常是作為功率電晶體的一個更好替代選擇，用於大電流開關應用，如果R DS (ON) ...

#82. MOS管开关电路设计知识 - 简书

包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS管种类和结构. MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型 ...

#83. 認識場效應管MOSFET - GetIt01

圖2.5是針對同步BUCK電路中，上下管直通的原理分析。導致直通的原因是極間寄生電容Cgd以及Cgs，所以在高電壓以及快速開關時(high dv/dt)比較容易發生 ...

#84. 討論一下有關BJT+MOSFET 電源開關的問題，請各位幫幫忙

各位大大，目前小弟在電路設計時遇到了一個怪問題，解了很久、想了很久，就是無法理解以下是我電路的解說我的LDO最大耐流為350mA(3V3)，CHOKE最大耐流 ...

#85. 4981J006的學習歷程檔案- 維基知識

在射頻電路的應用上，雙閘極MOSFET的第二個閘極大多數用來做增益、混頻器 ... 空乏式MOSFET是屬於「常閉型」（normally-closed）（ON）的開關，而相對 ...

#86. 图文详解：MOS开关管的选择及原理应用_驱动 - 搜狐

MOSFET 管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N ... 如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。

#87. mosfet 開關設計

MOS · NMOS開關電路測試 · 如何看懂MOSFET手冊 · 如何確定驅動電路與mosfet的功率是否匹配？ · 【詳解】開關電源電路選擇，方案選擇指南！_電子發燒友網 · 電晶體是什麼？: 負載 ...

#88. mos 開關電路設計

MOS管驅動電路詳解，及介紹幾種特別的應用 · [問題] 將mos設計為開關的方法 · MOS開關管的選擇及原理應用 · MOSFET · 國立交通大學 · 【技術】開關電源的電路方案 ...

#89. nmos 開關電路討論一下有關BJT+MOSFET - Nbemx

nmos 開關電路討論一下有關BJT+MOSFET ... 但是很多人並不能很好的理解三極體的開關功能，微晶片（ microchip ），不過好像有問題在下面的nmos因為3.3v輸入而導通， ...

#90. p mosfet 開關使用– mosfet 開關電路 - OXO688

使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压， ...

#91. 什么是MOSFET:工作原理及其应用

MOSFET 是核心或集成电路，在单个芯片中设计和制造，因为该装置以非常小的尺寸提供。MOSFET设备的引入带来了变化的域开关在电子必威网址下载. 让我们详细解释一下这个概念。

#92. pmos 開關MOS管開關電路設計知識和選擇應用 - Hitcvr

MOSFET 及MOSFET驅動電路總結 3，MOS開關管損失不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓(如2SK3418特性圖所示)，這樣 ...

#93. mosfet 開關電路– 電路模擬軟體免費 - Ondakt

pmos nmos 開關P通道和N通道MOSFET在開關電源中的應用– … MOS管開關電路設計知識和選擇應用這樣的電路也許是可以工作的，數字電路IX4351NE 9A低側SiC MOSFET及IGBT ...

#94. mos管開關

MOS管開關電路圖九種簡單的簡易詳解 · MOS管開關電路是什么？詳解MOS管開關電路 · MOSFET管在做為開關元件的用法_百度文庫 · mos管開關特性_百度知道 · 干貨.

#95. PMOS開關典型電路工作原理及分 - Dycvi

各位大大好，小弟目前試了一個MOS開關電路，不過好像有問題在下面的NMOS因為3.3V輸入而導通，NMOS導通後，上面的PMOS也會導通多寫一點相關資訊會比較好猜題喔，例如MOSFET ...

#96. nmos 開關條件P通道和N通道MOSFET在開關電源中的應用

為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P通道(channel)和N通道增強型MOSFET進行比較。 ... 通用NMOS管驅動電路和PMOS管驅動電路圖這裡只針對NMOS驅動電路做一個簡單 ...