關於 n-type p-type差異 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. n-type p-type差異2022-精選在臉書/Facebook/Dcard上的焦點 ...

n -type p-type差異2022-精選在臉書/Facebook/Dcard上的焦點新聞和熱門話題資訊，找n-type p-type差異,substrate基板,substrate製程介紹,n type半導體 ...

#12. 知識力

➤N型半導體(N-type：Negative type)：當我們在矽晶圓(4A族)摻雜少量的氮 ... ➤P型半導體(P-type：Positive type)：當我們在砷化鎵晶圓(3A族的鎵與5A ...

#13. 半導體元件與物理 - 聯合大學

金屬與半導體接觸將有四種可能性的組合，半導體區分為P type 及N type ... 該電位的差異所影響的結果出現在MOS的元件，Gate的電壓必須額外. 增加才能得到flat band.

#14. 世界第一簡單的半導體原理 - 每日頭條

N型半導體(N type：Negative type) ... P型半導體(P type：Positive type). 當我們在矽固體(4A族)摻雜少量的硼原子(3A族)時，稱為「P型半導體」，P型 ...

#15. 電子工程學系電子研究所碩士班 - 國立交通大學機構典藏

由 李宜澤 著作 · 2004 — 這三種奈米碳管電晶體的主要差異在於其閘極的製作方式。背閘極奈米 ... 空腔中進行退火，可以把原先是P-type特性的奈米碳管電晶體轉變成N-type. 特性[28,29]。

#16. p型及n型半導體之反向自旋霍爾效應

Inverse spin Hall effect in p-type and n-type semiconductors ... 材料的反向自旋霍爾角符號及大小差異是由於n型和p型半導體中的摻雜濃度及摻雜原子不同所導致。

#17. 半導體元件與積體電路之學習內容 - 清華大學電機系

Ef靠近. 價帶(導帶、能隙中間)表示此半導體為p-type(n-type、intrinsic)。 能帶圖(band diagram):. 如前所述, 對一般半導體而言, 載子只佔據 ...

#18. 【熱烈報名中】110/12/17半導體積體電路晶圓製程進階課程 ...

N（負）載體與P（正）載體之差異Difference between N type carrier and P type carrier. —良好CMOS 的要件Criteria of Good CMOS.

#19. Chapter 1 半導體元件及基本運用

2. 非本質半導體. ◇ 施體(Donor)雜質原子的半導體→ n 型半導體(n-type Semiconductor). 受體(Acceptor)雜質原子的半導體→ p 型半導體(p-type Semiconductor).

#20. 化合物半導體材料 - 磊拓科技股份有限公司

... Si: 10 V/μm)。6H-SiC和4H-SiC最大的差異在於4H-SiC的電子遷移率是6H-SiC的兩倍，這是 ... 4-inch Specifications of 4H-SiC N-type Substrate ... n-type, p-type.

#21. 第一章晶體性質與半導體成長

p. ) ( y ). ○ 如果晶格失配只有幾個百分比，且磊晶層很薄時，則磊晶層成長 ... 米若為n type ，則n >>p ⇨ n ≈ N. +. N. -. 米若為n-type ... 及p o. 間的差異。

#22. 低溫複晶矽薄膜電晶體之電性分析與可靠度劣化之研究

而p-type則沒有明顯差異。此外，將p-type TFT bending後的sample經過DC以及AC NBTI stress，發現Nit和Ntrap的產生量明顯比在平坦下作stress的產生量還要來的多。

#23. 第1 章(1.7~1.12) 電子學與半導體

電洞是多數載子. ▫ 自由電子是少數載子. ▫ n 型半導體. ▫ p n. 會與n i. 2具相同溫度相關 ... 當載子消失，會釋出束縛電荷並招致電壓差異. V0. ▫ A: 空乏層電壓.

#24. 感溫棒(熱電偶)的種類差異 - SJ Gauge

感溫棒（熱電偶）的種類差異 ... K Type （K型、鎳鉻合金或鎳鋁合金） KType為最廣為使用的熱電偶型式，因為其造價便宜，且 ... N Type（N型、鎳鉻矽合金或鎳矽合金）

#25. N型高效太陽電池技術發展現況

與P型單晶矽相比，N單晶矽的生產製備沒有本質的區別，隨著N型單晶矽生產規. 模的擴大和技術的進步，兩者之間的生產成本將會越來越接近。磷摻雜的N型單晶矽. 電池較硼摻雜的 ...

#26. 單晶碳化矽在微電子及微感測元件之應用

公司(14)，其所擁有的產品有正型(p-type) 及負型(n- type) 的6H 及4H 型碳化矽晶圓，其中4H 型碳化 ... 1) 碳面的氧化速率對此則並無太大差異。除此.

#27. p型(p-type)和n型半导体(n-type semiconductor)的区别

它们之所以这样命名是因为它们所携带的电荷。p型带正电荷，而n型带负电荷。电荷取决于空穴浓度和电子浓度。p型半导体具有较大的 ...

#28. 半導體物理與元件 - 光電工程系- 國立臺北科技大學

Three basic lattice types: (a) simple cubic, (b) body-centered cubic, ... p. E n n. National Taipei University of Technology. 1.半導體材料概論. 1.2 能帶.

#29. Semiconductor - 既然來了就看一下唄^^ - 維基知識

半導體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶（band）寬度不同。 ... 受體摻雜後的半導體稱為p型半導體（p-type semiconductor），p代表帶正電荷的電 ...

#30. 水平爐管個別原理

應氣體中，而直接長n-type 或p-type多晶矽。 這種方法雖然直接，但是因為膜厚控制，摻入雜質均勻度，以及沈積速. 率，都會因摻入雜質量的不同而有所改變，一般而言，加 ...

#31. 國立台灣師範大學化學系碩士論文研究生：曾紀洋指導教授

(b)TTF(N-type)和TCNE(P-type)不同濃度摻雜石墨烯後G band 半. 高寬變化. ... 卻有明顯的差異，以石墨來說，它是以sp2鍵結的層狀結構，層與層.

#32. 功率半導體元件的主流爭霸戰 - CTIMES

MOSFET扮演電源電子控制的角色，依導電特性與通道差異，又可分為NMOS（N-type MOS）、PMOS（P-type MOS）、CMOS（Complementary MOS），在大功率 ...

#33. 什么是半导体？N型P型有什么区别？太阳能电池原理（上）

什么是半导体？ N 型 P 型有什么区别？太阳能电池原理（上）

#34. P-MOS 有什麼優點為什麼比N-MOS好- Chip123 科技應用創新 ...

標題: P-MOS 有什麼優點為什麼比N-MOS好 ... 除了PMOS本身的Noise 比NMOS 小一點之外有些電路之所以會採用P-type 而不用N-type 有可能是因為用N-TYPE做 ... 製程差異!

#35. 奈米材料簡介1. 奈米結構的分類與判斷依據奈米科技之父的諾 ...

(1)這裡需先了解分類「奈米結構」與「奈米材料」的差異，雖 ... n-type p-type p-type. Gate. Source. Drain. Gate oxide n-type p-type p-type p-type channel.

#36. 【十分鐘看懂】應用於毫米波積體電路之半導體製程(上)

本文讓我們一起來看看常用的半導體製程有哪些，與這些製程的有甚麼差異。 ... transistor，MOSFET)，製程中同時會提供n型(n-type)與p型(p-type)電晶體，因此稱為CMOS。

#37. 氧化鋅之摻雜及同質接面之研究The investigation of doping ...

p -type 氧化鋅的電極材料採用金／鎳／金(Au/Ni/Au)多層金屬膜. 經熱退火溫度550 ℃、10. -2 torr 及持溫30 秒後可形成歐姆接觸；而 n-type氧化鋅的電極材料採用鎳／ ...

#38. MOSFET 是什麼？有什麼應用產品？

MOSFET 的構造 · NMOS（N-type MOS） · PMOS（P-type MOS） · CMOS（Complementary MOS） · 閘極長度（Gate length） · MOS 開關（MOS switch） · MOS 放大器（ ...

#39. 超越摩爾定律的二維電子元件- 物理專文- 新聞訊息

以n-type 硫化鉬(MoS2) 和p-type 二硒化鎢(WSe2) 來說，異質堆疊系統在製程上需 ... 如果以電場操控電域固定結構的有序參數,亦可造成電域結構上差異。

#40. pn型半導體怎麼判斷 - 上海市有色金属学堂

本資訊是關於半導體的類型-N型、P型是怎樣定義和區別的,怎麼用霍爾法判斷N型半導體和P型半導體,霍爾效應實驗中如何鑒別N型半導體和P型半導體, ...

#41. 電子/半導體FET Field-EffectTransistor。場效電晶體。 - 解釋頁

FET的種類有兩種，一為n 基底型，另一為p 基底型。 n 基底型是利用n 型半導體作為基底，p 基底型則是利用p 型半導體作為基底。在n型通道場電晶體中流的是電子流，在p型 ...

#42. 中文詞彙地區差異比較——#2「PN結」與「PN接面」

中文詞彙地區差異比較——#2「PN結」與「PN接面」 ... 在「p-n junction」里「p」和「n」分别代表的是「p-type (semiconductor)」和「n-type ...

#43. p型和n型半导体之间的区别- 新闻2022

p 型和n型半导体之间的主要区别在于， p型半导体是通过将III型元素的杂质添加到本征半导体中而制成的，而在n型半导体中，杂质是IV型元素。 什么是半导体. 半导体是一种导电 ...

#44. 晶圓代工爭霸戰：半導體知識（前傳） - 寫點科普Kopuchat

另外加入元素硼，具有3 顆電子、 比矽少一顆電子(-)變成P 型電晶體(Positive) 。電晶體兩端可以通電，稱為「源極」和「汲極」。 由於P型和N型分別多 ...

#45. 半導體（ semiconductor），指常溫下導電性能介於導體

受主摻雜後的半導體稱為p型半導體（p-type semiconductor），p代表帶正電荷的電洞。 ... 無論是p型或是n型半導體的傳導帶或價帶都會被彎曲以配合接面處的能帶差異。

#46. 射頻磁控濺鍍p 型鍶銅氧透明導電膜之研究

氧化物薄膜為一種半導體薄膜，由其載子種類可分為n 型及p 型兩種，其中n 型氧化物薄膜由於光電性質優良， ... growth of transparent p-type conducting CuGaO2 thin.

#47. 第五章結論

以往N-type 蝕刻，本身電洞少，需要照光來提供矽晶片產生大 ... PN-tpye 進行不照光的電化學蝕刻，PN-tpye 下層的P-type 能夠給. 上層N-type 多的電子，形成電子電洞對 ...

#48. 5 Thermal Processes

摻雜原子硼(B)和磷(P)在二氧化矽的擴散速. 度遠低於在單晶矽中. • SiO ... N t. 摻雜物(P A Sb) 在比在SiO. •N-type 摻雜物(P, As, Sb) 在比在SiO.

#49. 飛行時間式二次離子質譜儀（TOF-SIMS）於半導體產業檢測之 ...

這些不同質量的離子雖然都獲得了相同動能，但因離子質量上的差異，使得 ... 多重量子井）與n-DBR（n-type Distributed Bragg Reflector）結構的砷化鎵 ...

#50. 明新科技大學校內專題研究計畫成果報告- 接觸蝕刻截止層厚度 ...

對於p 通道元件而言，電洞載子遷移率的增加是由於有效載子質量 ... n-type devices in the CESL compressive strain illustrated the weak performance.

#51. 太陽能電池與模組 - 台科大

n型半導體 n-Type Semiconductor p型半導體 p-Type Semiconductor. 下電極Electrode. +. -. 電流. Electric. Current. 太陽電池之構造與太陽光電發電原理.

#52. 摻雜(半導體)

在p端與n端均摻雜1e 15 /cm 3 水平，導致內在電勢~0.59 V。藍色實線代表能帶, ... 的高度，造成無論是p型或是n型半導體的導帶或價帶都會被彎曲以配合界面處的能帶差異。

#53. 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...

MOSFET依通道種類可分為NMOS(n-channel MOSFET)及PMOS (p- channel MOSFET)，依在VGS=0有無通道可分為空乏型(depletion type). 及增強型(enhancement type)。他們的差別很 ...

#54. N 型串疊型鈣鈦礦-矽太陽能新紀錄，轉換效率突破27%

在許多太陽能技術中，都有發現N 型電池表現優於P 型的情形，且兩者生產製備沒有多大區別，以 ... n-type perovskite tandem cell hits 27% efficiency.

#55. III 族氮化物半導體發光元件及其製造方法

n -type semiconductor layer (4), a light emitting layer (5) and p-type semiconductor layer (6); a ... 一種方法是,因發光元件與其外部介質之折射率之差異而.

#56. 半絕緣碳化矽晶圓發展現況 - 材料世界網

SiC及C廠N-type SiC晶圓之X光拓樸儀(XRT)晶體檢測圖比較。X光拓樸儀可將肉眼無法辨識之晶體缺陷藉由X光於晶體內繞射後之強弱進行成像，因此單晶晶體之 ...

#57. 具有Solar-Blind 偵測波段之氮化鎵PIN 紫外光檢測器的研製

P -type 材料層(p+-GaN)，接著成長未摻雜之氮化鎵(undoped GaN)，而最上層則成長 ... 鎵(AlGaN)系列p-i-n 光偵測器相比，具有較低的電阻率與較高鋁含量之n 型氮化鋁鎵.

#58. 釓摻雜氧化鋅鋁透明導電薄膜特性分析

薄膜光電特性差異。 本實驗利用共濺鍍系統(co-sputter) ... 隨摻雜物的不同,ZnO可以是p-type. 或n-type,在製作p-n junction 時,這種雙. 極性(bi-polarity)材料在利用 ...

#59. 半導體( semiconductor)，指常溫下導電性能介于導體(con

受主摻雜後的半導體稱為p型半導體（p-type semiconductor），p代表帶正電荷的電洞。 ... 無論是p型或是n型半導體的傳導帶或價帶都會被彎曲以配合接面處的能帶差異。

#60. SiC半導體的特徵: 何謂sic功率元件？ | 電子小百科 - ROHM

絕緣破壞電場強度為Si的10倍、能隙為Si的3倍，不僅優異，從製作元件需要之p型, n型控制可在廣泛的範圍內進行等特色來看，做為超越Si極限的功率元件用材料備受期待。

#61. 微製程概論(IC 及TFT/LCD) - 遠東科技大學

就稱為Class 10，大於0.5微 ... 為負型區(n-type region)，主要的傳導載子(carrier)為電子。 ➢ 正摻雜： ... 此摻雜的區域即稱為正型區(p-type region)，主要的傳導載.

#62. 本質半導體的載子濃度受到溫度

m、n、p為正整數 ... 晶體中的電子和自由電子的差異---晶體中的電子，受到原子核週期性位障的影響。 如何描述晶體中電子的 ... N type：n > p，EF在能隙中央之上方。

#63. 超越摩爾定律的二維電子元件- 物理專文- 新聞訊息

以n-type 硫化鉬(MoS2) 和p-type 二硒化鎢(WSe2) 來說，異質堆疊系統在製程上需透過不同硫化金屬 ... 如果以電場操控電域固定結構的有序參數,亦可造成電域結構上差異。

#64. N型電池太陽能次世代新星- 產業．科技- 工商時報

目前全球多數矽晶太陽能電池都採用傳統P型標準製程，但P型電池在轉換效率達到22％後，即面臨資本及技術投入邊際效益率遞減效應，轉換效率難再有效增加 ...

#65. TWI584414B - 非揮發性記憶體結構及製造方法 - Google Patents

... 記憶體1c差異在於一N型障壁層(N-type buried layer，NBL)712係設置在一高壓N型井(HVNW)612的下方。一高壓P型井(HVPW)710是形成於N型障壁層712與中壓N型井110之間。

#66. N型和P型半导体|快速指南的区别 - 亚博登录网站首页

这里我们将看到n型和p型半导体之间的差异．我们也看到p型和n型 ... 在p型半导体中，元素周期表的III族元素作为掺杂元素加入，而在n型半导体中，V族元素是掺杂元素。

#67. 摻雜Na與PbI2 元素之PbTe材料熱電性質影 - 中華大學

P -type materials and the Seebeck coefficient presents positive values. PbTe samples doped PbI2 element were belong to N-type because of the.

#68. 501301.pdf - 政治大學

本論文使用磁控濺鍍設備，靶材n-type和p-type分別選用Cu0.02Bi2Te2.7Se0.3 ... 動下，載子在金屬接面躍遷時由於材料能帶結構的差異造成能量的吸收與釋放。換言.

#69. 半導體第六章

理想的MOS 二極體能帶圖閘極無偏壓時(V=0) 的p-type 半導體MOS 二極體的能帶圖; 6. ... 超過E i ，此種情形為n 型之能帶，故p 型半導體表面之載子變為電子，稱為反轉。

#70. 電漿摻雜活化之微波退火技術

可對12 吋以下矽晶圓控片進行p-type (BF3) 及 n-type (AsH3) 之離子摻雜，摻雜能量及濃度分別 ... 之目的，研究並比較與RTA 及雷射退火之差異。 多重模態微波退火.

#71. 快速查詢表

熱電偶各種TYPE 之熱電動勢表(P.45) ... N. 0°C 以上1250°C 未滿. ±2.2°C 或測定溫度之±0.75% ... 註：有※記號之各項因「素線與被覆材質」不同，其數據略有差異。

#72. 具高成長率緩衝層之氮化銦鎵系發光二極體特性改善 ... - 義守大學

4-1-5 蒸鍍P-type 與N-type 歐姆接觸金屬層………………..………40 ... (Thermal Expansion Coefficient)及晶格常數(Lattice Constant)的差異[兩材料.

#73. basis sets

其中，r代表的是電子到原子核的距離，n是主量子數（Principal Quantum ... 分別為p,d,f 形式的高斯函數，因此，分別有1種s-type、3種p-type、6種d-type及10種f-type ...

#74. 光電電子元件 - 政府研究資訊系統GRB

... 計畫之目的乃是利用磁控濺鍍法製備不同導電載子種類的透明導電氧化物(TCO)薄膜，再將其組合成為TCO p-n thin film二極體太陽能元件，並探討不同p-type與n-typeTCO ...

#75. LED / OLED 技術介紹@ 柔情帶刀楊小賢:: 隨意窩Xuite日誌

... 不同於一般固態半導體材料的LED元件，必須經由複雜的磊晶製程來產生P、N type的 ... 畫素以及電路設計方面，各種補償不同顏色子畫素間電性差異的技術都在進行開發 ...

#76. 光電業原物料耗用通常水準

(六) 每顆LED 特性上都有些差異： ... 等，即使是同一批次的LED 差異也 ... Fig. 1 發光二極體(LED) 發光原理示意圖. [2]. -V. +V. 光 p-type n-type.

#77. P型半导体和N型半导体之间的差异 - betway竞彩足球

This Article Discusses What is P-type Semiconductors, What is N-type Semiconductor & the Difference between P-type Semiconductor and N-type Semiconductor.

#78. 半導體元件

(mechanism)上有何差異? ... 若p 型及n 型區域其雜質濃度均為10°cm",請問在逆向電壓的操作下, ... (4) (d) 若p-type 改成n-type, 松改成法,請重複回答(C) exe Xc n.

#79. 應用於3D-NAND Flash的全新電晶體：FanFET - 電子工程專輯

另外各家製程的順序與差異，例如閘極前(Gate First)與閘極後(Gate Last) ... 透過n-type FanFET與p-type FanFET端點的連結成反向器的雛型，圖5為數位 ...

#80. P通道和N通道MOSFET在開關電源中的應用- 電子技術設計

當用作門控整流器時，MOSFET是主開關電晶體且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P通道(channel)和N通道增強型MOSFET進行比較 ...

#81. 第三代半導體材料趨勢及展望 - Tainergy

N -type. Semi-insulating. Resistivity Ohm- cm Range. 0.015-0.028 ... SK Siltron(DuPont)、昭和電工(N ... 因SiC具有200多種相近的晶態(P.

#82. 二維過渡金屬二硫族化物平面異質結構

面，也可以橫向連結p 型與n 型半導體，成為單 ... 出各晶軸方向對於入射雷射偏振方向的差異。在 ... 此異質接面形成第二型的p-n 接面(type-II p-n junction) [6]。

#83. 電晶體基本知識：採用2N3904、2N3906 - DigiKey

通常，這些電晶體元件是以矽晶體製成，其中的N 與P 型半導體層互相堆疊。 ... 圖1b 取自1958 年5 月號Radio-Electronics 雜誌 2 ，顯示了N 和P 型切面 ...

#84. 什麼是複質半導體(extrinsic semiconductor)？ - Sherry's Blog

受體摻雜後的半導體稱為p型半導體（p-type semiconductor），p代表帶正電荷的電 ... 摻雜至矽半導體時，磷扮演施體，摻雜磷的矽半導體成為n型半導體。

#85. 請善用半導體的優點，放棄以氣體的植入，利用 ... - 個人新聞台

受體摻雜後的半導體稱為p型半導體（p-type semiconductor），p代表帶正電荷 ... 是p型或是n型半導體的導帶或價帶都會被彎曲以配合接面處的能帶差異。

#86. 0.18μm CMOS 工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

研究结果表明，低压器件（1.8V）的栅极氧化膜（薄氧）p 型 ... oxide）gate oxide device the Qbd of n-type substrate and p-type substrate have a big difference.

#87. 描述性統計學概念 - Presentation Title, 40pts

一般定義p < 0.05表示有統計上顯著差異 ... n σ. Annals of the rheumatic diseases, 2019, annrheumdis-2018-214400 ... Data type/Statistical method. Data type.

#88. 解决：描述N型和P型半导体的一般特征。 - 数字

描述$ n $ -type和$ p $ -type半导体的一般特征。 回答. n型：包含供体杂质。添加电子丰富的纯度以增强传导。n是负的。 ... 电子杂质不良以增强传导。p是阳性的.

#89. p型半导体和n型半导体的区别 - 亚慱体育app官网下载ios

This Article Discusses What is P-type Semiconductors, What is N-type ... 产生这两种半导体之间主要差异的因素有很多。p型半导体材料的形成可以通过添加III族元素 ...

#90. 無定向學堂：試玩「你是什麼形狀」遊戲性格測驗有幾真？

MBTI（Myers-Briggs Type Indicator）是一套從心理學家榮格的學說發展 ... 他認為明顯是在分S和N；第6條問跟朋友去玩就是在分外向與內向，全程開心 ...

#91. p半导体与n半导体的区别？ - 知乎

此题为半导体物理基础题。 半导体可以根据掺杂剂的种类进行分类。完全不含任何杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体（intrinsic semiconductor）；而根据掺杂 ...

#92. 韓國爆紅的MBTI人格測試究竟是什麼？16型人格分析性格及 ...

MBTI 人格測試是由美國心理學家Isabel Briggs Myers 與其母親Katharine Cook Briggs，基於瑞士心理學家Carl Jung於1921年在其著作《Psychological Types》中提出 ...

#93. 【電腦組裝】主機板的選購與推薦(2022年8月更新)

答：論品牌，華碩是最大牌，至於會不會有什麼差異？只要是同等級的板子，其實三大品牌 ... 另外現在有些主機板還有提供Type-c 音源輸出。 擴充槽.jpg

#94. 最高CP值TOP 6: 旗艦/拍照/萬元/中階手機推薦2022 | 8月更新

效能差異有限時，網友偏好選擇高通晶片． ... 支援mmWave 與Sub-6、Wi-Fi 5、藍牙5.2、USB Type-C，以及120Hz 螢幕更新率，是一個平價務實的5G 處理器 ...

#95. 歐洲深度評測現代i30N:GTI、Type-R、ST們的真對手 - 人人焦點

傳說中的N模式其實就是各個系統均處於Sport+模式的集合，與其他三個模式的差異明顯，具有存在意義。 不同模式之間進行切換非常方便，如果Custom模式中包含 ...

#96. 新電子：2020年版嵌入式系統設計解密 - 第 93 頁 - Google 圖書結果

為了緩解此問題,工研院資通所團隊提出使用文獻[6]利用P-type電晶體相位增加的特性來補償N-type電晶體相位壓縮的問題,達到相位補償以增加線性輸出功率,此技術具低複雜度 ...

#97. MBTI 人格測驗，你是哪一型？改善職場人際關係 - 經理人

前陣子在社群媒體狂傳的MBTI（myers-briggs type indicator）測驗又稱為16 ... 另一種是吸取資訊後，很快想像其他可能性的抽象型（N = intuitive）。

#98. 新電子 05月號/2019 第398期 - 第 39 頁 - Google 圖書結果

文獻[6]利用P-type電晶體相位增加的特性來補償N-type電晶體相位壓縮的問題, ... 當高頻訊號路徑上的電容產生變化,會使輸出訊號產生相位差異,進而導致輸入調變訊號時, ...