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Time-of-flight secondary ion mass spectrometer (TOF-SIMS) is capable of simultaneously analyzing ... 麥富德先生為國立清華大學化學系博士，現任奈膜科技. ... <看更多>
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tof sims xps比較 在 Re: [問題] 不好意思問幾個問題- 看板Nanofan - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
※ 引述《swaidatol (乳牛小喇叭)》之銘言：
: 抱歉
: 我不是學材料的
: 選修的老師出了幾個題目給我們
: 1(XPS) 2(AES) 3(SIMS) 這幾個能譜儀(不知道有沒有說錯)的原理
X射線光電子能譜儀 XPS
在X光的照射下，內層電子因受激而從材料表面發射出來。其中不同的元素帶有不同的特性
值。例如矽2p電子的束縛能是99.3eV，而在SiO2中這一能量將變為103.5eV。電子的束縛能
不但是元素的特徵值而且還包含了元素的化學資訊。例如對兩個顏色不同的Si晶片進行分
析。Si2p電子的能譜顯示淺色的Si晶片在表面下埋藏著一層SiO2。由Si+4所發射
的能量為103.5 eV的電子大量增加。而正常顏色的矽，除了表面自然氧化形成的薄SiO2膜
，表面以下就是純淨的Si。
XPS廣泛應用於電介質膜的分析。XPS能夠對SiON薄膜的厚度和N的劑量進行精確的測定，
其相對標準誤差為0.2%。
歐傑電子能譜儀AES
在一定能量的入射電子轟擊下，從樣品表面發射出的歐傑電子，具有元素的特性動能。
因此，其能量代表一個特定的元素，而其電流的強度正比於元素的濃度。AES廣泛用於
失效分析和製程監控。在表面微小顆粒(小到50nm)的分析中，AES不但可以顯示微顆粒的
大小及形狀，還可以分析出顆粒的化學成分。在電性測試連接區域失效分析中，往往失效
的原因來自於電性測試連接區域表面的氧化、C污染和表面殘留物。AES能夠測定污染物的
化學成分，從而為找出污染源提供重要證據。此外AES可以對整個晶片(200~300mm)進行晶
片缺陷的分析
二次離子質譜儀 SIMS
SIMS的特點是超高的靈敏度和極佳縱向深度解析度。這種特性剛好滿足IC技術的要求，
即低濃度(ppm甚至ppb的水準)；高解析度則可以將材料在奈米(nm)範圍內的變化顯現出來
。因此，SIMS是所有分析技術中應用最廣泛的技術。EVANS分析集團總共擁有二十多台SIMS
，以滿足各種精度、厚度和材料分析的需求。
二次離子是材料在具有一定能量的入射離子轟擊下通過碰撞而產生的。經加速後進入二次
離子質譜分析系統。經過電、磁場的偏轉，將離子按質量不同而分開。二次離子電流經過
轉換即可得到元素的濃度。其轉換係數是通過標準樣品的測試而得到的。當雜質的濃度低
於材料密度的1%時，其轉換係數RSF是一個常數。因此，SIMS是用於濃度小於1%元素定量分
析的最佳手段。其相對標準誤差s一般可以控制在5%以內。而EVANS分析集團提供的高精度
分析可達到s小於2% 。SIMS能夠顯示污染在樣品中的分佈情形，對於找出污染源提供了直
接的證據。
下面兩個比較簡單 就交給辜狗大神吧
: 在網路上只找到他們叫能譜儀 但找不到原理
: 還有 4. Hall measurement
: 變溫霍爾效應量測系統Hall Measurement, 應用於化合物半導體, 矽半導體, 電子及光電
: .....等材料上.藉由霍爾效應,可以得到半導體材料的型態(type)與摻雜濃度(carrier
: concentration)及移動率(mobility)
: 再來就是5. Four-point probe 4點量測系統
: 期末考題只剩下這5題找不到了
: 我想知道的再詳細一點 但好像都是常識一般 大家都沒說原理
: 所以有高手能幫我解釋一下嗎
: 或是給我介紹的連結也可以 需要是中文的 謝謝 希望大家能幫幫我的忙
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