從來沒有這麼認真的發真假文，對於低價來源不明商品，只覺得每個賣家的情操不同，不予置評囉。
不過～這個商品都親門踩戶到我們身邊來，當然要好好研究一下😤商品是從小幫手的朋友那邊傳過來的，先聲明我們沒有鑑定服務唷🙇🏻♀️從其他賣家那邊買來有問題請跟賣家聯絡，謝謝🙏
切入正題
說實話相似度真的超高，沒有放在一起比較可能很難知道差異，只差別在小細節的地方
1.五金顏色
假.>金色
真.>帶點紅的金色
2.Logo
假.>胖（感覺快糊在一起）
真.>瘦（清楚明瞭的Ｔ）
3.形狀
假.>直角沒有弧度
真.>有弧度的圓角型
4.厚度
假.>薄
真.>厚
5.拉鍊
假.>使用會很卡，拉開後開口會散
真.>好拉，拉開後開口還是呈現直線狀
5.內裏
舊款的短夾內裏的確是燙金字logo，新版的才改成印Ｔ字，官網購入的都會是新版，百貨公司出清商品就有可能會買到舊版，內裏樣式不評論。
假.>內裏與外觀不同，是光滑皮
真.>內裏與外觀相同為防刮皮
6.暗扣
假.>花俏
真.>素面簡單
7.包裝
假.>附贈的紙盒顏色是亮藍色與正版的海洋藍不同，內附包裝紙只有印刷logo沒有文字。手提袋的提把編織較為鬆散，內部印刷網址為大寫(字母大小寫會依照販售國家不同使用也不同，比較難為判斷依據）提袋使用的材質比較厚實質感不錯😂
真.>皮夾類別不會附贈紙盒、紙袋還有包裝紙。只有某幾類商品會有包裝紙，且一樣沒有紙盒跟紙袋～
8.味道
假.>有味道，不難聞，很多平價包包都會有的味道，很難用文字表達😅
真.>無味道
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近期有新客人跟我們說ＴＢ某新款看某代購只要4500耶，為什麼我們家這麼貴？
（給我麥克風🎤小宇上身）
我還能說什麼？你就不相信我
我一直都在專櫃拿貨 難道這還不夠 哦哦哦
要買4500的也沒辦法阻止你，因為可能就是看大家都拿這個包，跟風也沒有去了解這個品牌的價值跟價位，也不知道什麼正貨什麼是假貨，沒用過真的怎麼會知道自己拿的是假的呢？重點買假的習慣後還會覺得正品是假的，這真的才是讓我們哭笑不得的地方😂
當然也會有人覺得外觀又看不出來，買假的有什麼關係呢？至少要讓別人覺得覺得
我 買 得 起 這 個 品 牌
沒錯！這8個字就品牌價值，但我們不知道的是為了這8個字，品牌要花多少錢去做公關、去行銷，要把字刻在心裡有多不容易可以去問看看廣仲怎麼說～
有看到Ａ貨商傳的內容的話，不難看出他們對於自家工藝有巨大的信心，其實啊～很多時候假貨的工藝都做得比真貨好，既然做的這麼好就自己做一個品牌去販售商品多好呀，不過 做 品 牌 這件事情巨難😤光是曝光＆行銷就不知道要燒掉多少錢，所以大部分的工廠都不願意去做這件事情。
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那為什麼要立法禁制販賣假貨，可能很多人沒有思考過這個問題，必須要說因為假貨會影響人民所得、工作機會、公安問題，也就是會間接影響到自己。
很難想像吧～只不過是買一個假貨而已有這麼嚴重嗎？就像穿著Prada的惡魔裡的藍毛衣橋段，米蘭達跟安德莉雅說
我懂了，妳覺得這跟你毫無關係。妳走向妳的衣櫃，選上那件臃腫的藍色毛衣，而你天真完全不知道你選的這樣商品是多少人花費心力產出，這裡面代表數百萬資金和無數的工作，而你卻覺得跟你無關～
每樣商品的背後都養著許多家庭，提供許多工作機會，就像包包、皮夾常用的拉鍊，台灣就有知名的拉鍊廠，但假貨可能因為成本考量就無法使用他們家的拉鍊，那正品的訂單量沒有提升要如何再提供工作機會？
當你選擇購買假貨的同時也就是在壓榨自己或是別人的工作機會，這就會是一個惡循環，助紂為虐的概念～
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講了這麼多有看到最後的人應該也很少😂
代購這個行業也興起很久了
大家手頭上都有幾間代購名單
哪幾間可信任，哪幾間有問題，我們也知道
經營者做得心安理得就好囉🥳
我們會繼續推薦有質感的小眾品牌給大家😘最喜歡看到你們說「我相信你們！！」或是「你們介紹的東西真的都很特別!!」比起真假問題，這對於我們來說信任與特別才是最好的反饋❤️
看到最後的留言 愛 你 唷～
來看看有多少人會看到最後😂
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光阻厚度 在 Re: [請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎? - 看板Tech_Job 的推薦與評價
這個問題短短的，但是認真回起來可是會變萬言書的。
光阻(photoresist,PR)是用來定義晶圓圖案的介質，光線經過光罩.透鏡將圖案轉移至光
阻上，再透過蝕刻將這層圖案轉印到底下的晶圓上，這就是簡單的半導體製作流程。
光罩上的圖案，是由光線轉印到光阻上，那要怎樣才能讓圖案越來越 小，就是半導體的
製程演進。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....這些就是製程世代中，用來表現製程能力
的代稱，在記憶體(ex:NAND)，這個數字代表BL/WL pitch 的1/2。
要如何讓光阻上轉印的圖型越來越 小，詳細請餵狗。總的來說，用波長較短的光是最簡
單的。如KrF波長248nm，ArF波長193nm，這些通稱DUV。KrF對應的世代是0.15-0.25um，A
rF對應0.13-0.18um
EUV波長為13.5nm，對應的則是則是7nm,5nm或以下。
從130nm - 7nm中間的空缺，則由193i以及多重曝光或多次圖型化技術給填上。
對應不同波長的光，就會有不同的光阻，一般你會聽到KrF光阻就是給248nm光源使用，Ar
F就是給193nm光源使用。Immersion光阻就是給193i使用。EUV光阻不用我講吧。
一般來說，7nm，5nm用到EUV，光阻就會跟14nm相異。如果7nm，5nm還是使用193i搭配多
次圖型化技術，那跟14nm使用的光阻大致上一樣。
當然，光阻會有很多改進。當光波長變短，對應的光阻就會變的更薄更軟(對蝕刻的講法
，就是更不耐蝕刻)。
光阻廠商會做很多的調整，讓光阻厚度，均勻度或抗蝕刻能力較佳。也有些調整是有關缺
陷(defect)的改進，同樣都是KrF，各家使用也是有所不同。
簡單科普，希望有幫到你。
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.28.34.48 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1575355369.A.F38.html
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/03/2019 18:05:45
NAND原本的製程世代是BL/WL的1/2pitch。但是在進入1字頭世代，為了搶快開始出現BL是
1X，WL是2X的NAND，這時也宣稱是1字頭世代，等到BL/WL都是1X的時候，就叫1字頭 + 世
代。
邏輯則是FinFET之後，製程世代的數字就越來越迷，I皇一套，T哥一套，星弟也一套。總
的來說是Fin pitch 的1/3約略等同製程世代，但這也只是約略，不是約定俗成的計算法
。
報告是要給老師看的，寫科普報告上去肯定是低分那群。
知識是需要經過學習理解的過程而得到的，所以這些應該算基本知識。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:52:16
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:01:54
主要還是光阻的深寬比(AR)
有時光阻厚度需求超過了深寬比的最大值，這時就需要對光阻成份做調整，讓光阻不會因
為過高而倒塌(Collapse)。
另外還有可能就是缺陷的問題(defect)。
通常遇到這類問題，改另一種光源或xxx (可能有點違規
的風險，就請恕我保留)通常會比調整光阻成份容易。畢竟一種新成份光阻的使用與上線
，存在的後續作業太繁瑣。除非另一種光阻已經有在FAB使用，那就只是適用性的問題。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:42:13
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:44:32
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