黃光微影製程實務介紹實驗儀器簡介微影原理黃光實驗流程試片清洗與去水烘烤光阻塗佈試片軟烤曝光與顯影試片硬烤實驗報告實作考試課程解說實作項目成果驗收分組小組完成 ... ... <看更多>
浸潤式曝光原理 在 大昌證券新竹分公司黃靖貽- 股后嫁老外... | Facebook 的推薦與評價
浸潤式曝光 機台是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到132奈米的微影技術；EUV曝光設備是利用波長極短的紫外線，在矽基板上刻出更微細的電路圖案。 ... <看更多>
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黃光微影製程實務介紹實驗儀器簡介微影原理黃光實驗流程試片清洗與去水烘烤光阻塗佈試片軟烤曝光與顯影試片硬烤實驗報告實作考試課程解說實作項目成果驗收分組小組完成 ... ... <看更多>
浸潤式曝光 機台是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到132奈米的微影技術；EUV曝光設備是利用波長極短的紫外線，在矽基板上刻出更微細的電路圖案。 ... <看更多>
時任台積電研發副總的林本堅博士發明了浸潤式蝕刻，一舉打破了波長的限制。光在液體中跑得慢，波長也短。利用這個原理，把晶圓泡在液體中就在相同的光源下 ...
( photolithography ) 的曝光技術到達了瓶頸。以水為介質的「浸潤式微影」，在微 ... 浸潤式微影利用簡單的物理光學原理，包含折射、繞射與鑑別度，可以.
他原訂在會中講述浸潤原理，說明某種黏稠的機油在157奈米技術上的可能應用。 ... 2003年12月，荷蘭微影工具製造商艾司摩爾推出浸潤式機台的原型；到了2004年底，IBM ...
利用157 nm干涉式液體中曝光已經可以實際曝出最小線寬約為30 nm之光阻圖形，如(圖五)所示。157 nm浸潤式微影技術更可能成為32 nm節點量產的首選微影技術。
過去半導體晶片製程中，主要採用乾式曝光，以空氣為鏡頭和晶圓之間的 ... 式轉向浸潤式。2002年，他提出與其在技術極限的157奈米波長繼續鑽下.
1900年代，浸潤式顯微鏡技術已經成為科學。 上述原理是利用光通過液體介質時會彎折的特性──把筆直的筷子插在裝滿水的玻璃杯 ...
感光劑（PAC）為光阻的感光成分，其主要原理大概可分為兩類，一為接受光源能量 ... 光罩（Phase Shift Mask）及浸潤式曝光（Immersion）已成未來影像析度改善的發展 ...
浸潤 式微影術是以水取代空氣，讓曝光光源在照射到光阻前，必須穿透一層水，利用水的折射率比空氣大的性質，讓光聚焦在更細小的區域，以縮小線寬（參見2005 ...
#9. 摩爾定律的華麗謝幕：EUV微影機 - DigiTimes
2020年10月22日 — 此機的概念是由中研院院士林本堅任職於台積電所提出的，原理上當光通過液體介質的時候，其速度會變慢，也就是波長會變短。因此若將被曝光的晶圓浸泡在液體 ...
#10. 浸潤式微影與EUV技術| IC之音竹科廣播FM97.5
當時，微影技術曝光用的光源，是波長193奈米的紫外光。 ... 後來呢，根據光學的原理，我們就放點水在那個鏡頭的下面，就是在鏡頭跟晶片之間填滿了水。
#11. 半導體產業不可或缺的曝光機，是「這些企業」的心血結晶！
△EUV 曝光機的內部工作原理（來源： ASML ） ... 值得一提的是，為了進一步降低λ ，產業界在曝光機演進的過程中，還引入了浸潤式曝光系統，讓DUV在 ...
#12. 光電科技研究所 - 國立臺灣師範大學
機(Stepper)」[2]，如圖1-1，原理與照相機很相似。 曝光機所使用的光源是高能量、高純度、光束集中的 ... 林本堅副總經理提出以水為介質的193 奈米浸潤式曝光機，是半.
#13. 台积电浸润式显影功臣林本坚 - 百度文库
過去乾式曝光顯影是在無塵室中，以空氣為媒介進行，透過光罩在晶圓上顯影；而浸潤式微影則是以水為透鏡，在晶圓與光源間注入純水，波長光束透過「水」為 ...
#14. TSMC浸潤式曝光顯影技術即將邁入量產 - 電子工程專輯.
台積電(TSMC)近日表示，該公司浸潤式曝光顯影技術所產出的測試晶片，已相當符合量產所要求的參數標準，並計劃將於45奈米製程採用浸潤式曝光顯影技術。
#15. 半導體解密：ASML光刻機憑什麼能一廠獨大？台積電總能買到 ...
... 曝光時模板緊貼晶圓；以及利用短波長雷射和類似投影機原理的步進式曝光 ... 相比之前在傳統乾式微影上的投入，押注浸潤式技術更有可能以小博大。
#16. 浸潤式微影原理 - Ilovecss
PDF 檔案. 貳、浸潤式微影的基本原理浸潤式微影所使用的光學原理是根據Snell's Law，式(1)，折射率和折射角的關係，在光學系統和晶片之間填滿水(圖1)，光在不同介質 ...
#17. 在光學成像過程利用效能導向樣本為基底之佈局建構 ...
電路圖形，利用光學成像的原理，經由曝光源激射出的光線將光罩上的電路圖形 ... 因此，目前晶圓廠的製造主要採用的光源還是以ArF (193nm)並搭配浸潤. 式光學顯影技術的 ...
#18. 浸潤式微影原理浸潤式微影技術－科技大觀園 - Voajcr
CTIMES- 奈米世代微影技術之 原理 及應用 9/17/2006 · 浸潤式曝光顯影技術係使用水或類似的清澈液體當作成像的介質。在曝光機臺的鏡頭與晶圓片間加入水作為介質， ...
#19. 沉浸式光刻技術_百度百科
沉浸式光刻技術是在傳統的光刻技術中，其鏡頭與光刻膠之間的介質是空氣，而所謂浸入式技術是將空氣介質換成液體。實際上，浸入式技術利用光通過液體介質後光源波長縮短 ...
#20. 浸潤式微影原理 - GWLSD
17/9/2006 · 浸潤式曝光顯影技術係使用水或類似的清澈液體當作成像的介質。在曝光機台的鏡頭與晶圓片間加入水作為介質，以得到更高解析度的光源，而製造面積更小、密度更高 ...
#21. 193nm波長光刻機如何刻出28nm線寬晶片？ - 電子技術設計
光刻膠曝光後的溶解性依賴於曝光量，這大家都知道，但是這個依賴很不線性。 ... 從原理上來講，Mask上凡是小於光照波長的高頻成分，都成為了高頻 ...
#22. 挽救摩爾定律：ASML 極紫外光（EUV）微影技術量產的開發歷程
2013 年十月底，我們的第一台NXE：3300 開始曝光，但從十一月開始的好長一段 ... 正如193 奈米浸潤式微影技術讓摩爾定律延續了十年（五個世代的積體 ...
#23. 【immersion lithography 原理】資訊整理& Immersive Explorer ...
2007年5月23日— 過去乾式曝光顯影是在無塵室中，以空氣為媒介進行，透過光罩在晶圓上 ... 接受的原因，是因為奠基於經證實的浸潤式顯微鏡(immersion microscopy)原理。
#24. 浸潤式曝光機知識摘要
浸潤式曝光 機- DIGITIMES 半導體產業在50奈米製程以下發展後，浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機器設備成為必須的機器設備，但上一波金融風暴來襲，設備商因為撙節 ...
#25. 浸潤式微影原理– 漸趨式微解釋 - Globad
浸潤 式微影技術根據光學原理，用折射率大於1的「水」取代傳統介質「空氣」，讓曝光光源在 ... 正在發展中的競爭技術有1雙重圖案化浸潤式氟化氬微影技術；2超紫外光微影 ...
#26. AMOLED與LCD都需要的核心工藝設備曝光機 - 每日頭條
原理 是紫外光經過MASK對塗有光刻膠的ITO玻璃曝光，曝光後的玻璃經顯影產生 ... 近期，半導體界掀起了一陣小小的光刻潮，原因就是浸潤式光刻技術的開創 ...
#27. 半導體微影製程 - Rantasa
半導體製程的核心是光學微影技術，光學微影技術的核心是光學原理的應用。半導體製程中要將晶片上的電路更縮小化，就需要更短波長的雷射光源，或是使用浸潤式光學微影 ...
#28. 浸潤式微影優點 - YUMK
28/8/2007 · 193奈米沈浸蝕刻的高折射指數材料，將使浸潤式(mmersion)技術在32奈米 ... 專題報告– 浸潤式微影術和製程簡介3C組邱旭光、黃奕鈞Outline 曝光原理製程技術 ...
#29. 步進式曝光機優點 - 軟體兄弟
(5)步進掃描式曝光機(step and scan aligner) 配較小透鏡的步進機，以掃描 ... ,此為步進式曝光機的外觀，晶圓由步進式曝光機側邊晶圓傳輸區自動送入曝光。步進機的原理是 ...
#30. 曝光機原理
曝光 機主要原理是利用紫外線通過光罩、底片等圖案模版，並搭配顯影劑使用，去除 ... 微米製程的曝光機的價格大約新臺幣5億元，而12吋45奈米浸潤式微影技術的曝光機高達 ...
#31. 因為先有了他，才會有iPhone：《一本書看懂晶片產業》選摘 ...
本來，林本堅受邀參會，只是想介紹一下浸潤原理。 ... 話，大家聽到134，全都睜大眼睛，把原本討論的157奈米都丟一邊，全部圍繞在134浸潤式的話題上。
#32. 圖解半導體製造裝置| 誠品線上
介紹半導體所有製程及與使用裝置的關係，並深入了解裝置的構造、動作原理及性能 ... 稍微加熱2－9曝光○1步進機（stepper） 、掃描機（scanner）、浸潤式曝光裝置2－1 ...
#33. 知識力
圖二投影式(Projection)光學曝光系統與光罩呈像原理。 ... 掃描式曝光機：因為圖形轉移的方式是先掃描再步進，因此又稱為「掃描機(Scanner)」如＜圖 ...
#34. 微影- 維基百科，自由的百科全書
微影製程（英語：photolithography）是半導體元件製造製程中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光阻層上刻畫幾何圖形結構，然後通過蝕刻製程將光罩上的圖形轉移到 ...
#35. 晶片前進到7nm沒有問題@ 小小科學實驗室 - 隨意窩
... 幾道光罩，如果都用浸潤式一拆為二重複曝光的方式做，那麼光罩的成本將倍增。 ... 十三歲母親將一台老式六X九相機送給他，他利用相機的成像原理，把它改成一台 ...
#36. 浸润式光刻之父林本坚：欲再造江湖-快科技
2003年，ASML展示了第一片用浸润式曝光机做出的成像。 ... 浸润式的原理，利用光通过液体介质时会弯折的特性，显微镜的影像透过浸湿的镜头会进一步 ...
#37. 全方位微影技術介紹 - ASML
我們的DUV深紫外光微影系統是當前半導體產業用於量產晶片的主力。ASML提供浸潤式和乾式微影解決方案，幫助晶片製造商量產各種節點和技術製程。 ASML的浸潤式 ...
#38. 「duv原理」懶人包資訊整理 (1) | 蘋果健康咬一口
微影微影原理. ➢在晶片上塗一層感光材料，使用光源的半聚合光，經. 過以玻璃為主體的光罩後，打在感光材料上..... ◇DUV光學式的曝光技術，除了248nm的KrF外，即將 ...
#39. 極紫外光微影之高階材料檢測分析 - 材料世界網
利用193奈米波長之光學浸潤式(Immersion)微影技術，加上解析度增強技術(Resolution Enhancement Techniques)、多重曝光(Multiple Exposure)等改善 ...
#40. 光刻技术发展启示录
光刻过程类似照相原理，照相机将像印在底片上，而光刻“印制”. 的是微小结构图案。 ○ 接近接触式曝光方式易引入工艺缺陷，分辨率低，为了提高掩模板.
#41. 極紫外光微影光罩檢測技術 - 機械工業網
截至目前為止，193 奈米波長之光學微影技術利用浸潤式(Immersion)機台，加上各種解析度增強技術(Resolution Enhancement Techniques)，及多重曝光( ...
#42. 晶元產業中的光刻機是怎麼雕刻出遠遠小於自己波長的線寬的？
比如現在自對準二次曝光SADP（self-aligned double patterning）和上面說的多晶硅柵極的sidewall transfer原理基本是一致的，只是材料和側重點略有不同。 28nm及之前靠浸潤 ...
#43. DRAM制程「钱」关成天险台厂参赛权恐不保 - CFM闪存市场
DRAM制程技术走到浸润式曝光机台设备后，对很多业者都产生庞大的资金负担，何况是EUV机台，对于极度强调要先进技术的内存制程而言，资金天险的确是严峻考验。
#44. 电子：半导体设备系列：光刻机，半导体制造皇冠上的明珠
EUV 的高分辨率大幅降低重复曝光所需要的沉积、刻蚀等工艺步骤。 ... 年研制出浸润式技术，2004 年ASML 与TSMC 共同开发第一台浸润式设备，5 年内 ...
#45. 科技部(財團法人國家同步輻射研究中心) 「突破半導體物理極限 ...
物理極限，無法滿足現況需求，ArF 搭配浸潤式顯影與多重曝光. 技術，僅可使用至7nm 製程，7nm 節點以下製程將EUV 微影技. 術，以確保先進製程持續發展與摩爾定律的持續 ...
#46. 浸潤式光刻之父林本堅欲再造江湖？
2003年，ASML展示了第一片用浸潤式曝光機做出的成像。 ... 浸潤式的原理，利用光通過液體介質時會彎折的特性，顯微鏡的影像透過浸溼的鏡頭會進一步 ...
#47. 【拓墣觀點】全球晶圓代工走向新分水嶺 - Medium
當製程微縮圖形變得複雜，曝光次數需增加，光罩成本也就跟著飆高；根據eBeam ... 但EUV設備所費不貲，ArF浸潤式曝光機價格已要價約5,600～6,200萬美元，EUV曝光機價格1 ...
#48. 奈米製程原理 - 台灣公司行號
浸潤式曝光 顯影技術突破了目前這個世代(193 奈米) 曝光顯影. 機台的限制，使其能夠繼續用於製造更先進技術的晶片。這一點，是半導體製程 .
#49. 第一章緒論- PDF 免费下载
5 第二章原理與文獻回顧背光模組簡介導光板技術分析相關文獻光刻法製造3D 微結構 ... 6 4.1 光罩與光阻間間隙及媒合液體實驗掃描式浸潤微影技術曝光參數與光刻結構之 ...
#50. nikon曝光機 - 工商筆記本
尼康从事这些部件的电路图曝光制造系统的研发和生产，助力智能社会的创建。 ... 2012年9月6日- Nikon在現有及未來先進半導體製程上對浸潤式曝光機台的需求，提供了完善 ...
#51. A Materials Design House And More - 達興材料
達興提供適用於浸潤式曝光用的上層保護材料，可防止光阻成分溶入液體(ex: ... 液晶顯示器的顯示原理為藉由控制上下基板間電場，改變液晶材料排列方式以達到預期之.
#52. 聊一聊工艺和光刻那些事情：2021 LITE版
相比于非浸润式，浸润式光刻机在光刻时额外使用了液体来进行折射，一般 ... 他们的基本思想和原理可以理解为，将原来的一次曝光曝光分解成两次，那么 ...
#53. 浸潤式微影 - ynny
28/8/2007 · 193奈米沈浸蝕刻的高折射指數材料，將使浸潤式(mmersion)技術在32奈米 ... 式微影術優缺點浸潤式微影術及半導體製程未來發展曝光原理現代曝光系統： 數值.
#54. 財團法人工業技術研究院函
由淺入深講授光學鏡頭設計的重要知能,從重要光學原理的理解與應用,到不同功能的 ... 半導體製程中要將晶片上的電路更縮小化,就需要更短波長的光源,或是使用浸潤式光學.
#55. 浸潤式微影浸潤式微影與EUV技術 - RJRSW
360°科技－浸潤式微影過去乾式曝光顯影是在無塵室中，以空氣為媒介進行，透過光罩在晶圓 ... 曝光原理數值孔徑(NA) 光學系統所能夠分辨出的Critical Dimension (CD)。
#56. 半導體製程設備技術 - 五南官網
1.2.1 離子植入製程基礎原理 1.2.2 離子植入機設備系統簡介 ... 第二章濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇 ... 5.4.1 浸潤式曝光系統（Immersion Exposure System）
#57. 光刻技术发展- 吴建明wujianming - 博客园
光刻机（英文“Mask Aligner”) ，又名掩模对准曝光机，芯片制造流程中光刻 ... 相比之前在传统干式微影上的投入，押注浸润式技术更有可能以小博大。
#58. 半导体光刻机专家交流议纪要20201218 - 雪球
浸润式曝光 最早是佳能的工程师在一次技术峰会上提出的概念，光在水中会折射，折射率为1.44，激光在掩膜版上发生衍射，将图形发生展开，但是是尼康和 ...
#59. 什么是沉浸式光刻技术，原理是怎样的？ - 电子工程专辑
极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm，它能够 ...
#60. 人類史上最精密的設備！全世界半導體產業都靠它？｜志祺七七
這整個流程，其實跟傳統攝影「曝光」和「顯影」的原理很像，但精密的程度 ... 共同研發出「浸潤式微影」技術，把原先193奈米設備的鏡頭，浸到水裡。
#61. 台積電攜供應商開發「浸潤式冷卻高效運算電腦機房」 - 財經
台積電在最新一期ESG電子報中說明，面對先進製程高效能運算（HPC）需求產生的能耗，台積電啟動TSMC ESG AWARD獲獎提案之一「浸潤式冷卻高效運算電腦 ...
#62. 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - ntust
(1)先將顯微鏡微影系統與半導體製程中I-line UV(365 nm)光源曝光整合，並設計其 ... 藍國瑋，“非接觸浸潤式無光罩微影系統研發”，國立台灣科技大學機械系碩士學位論文.
#63. 浸润式光刻之父林本坚欲再造江湖？ - 财经头条
2003年，ASML展示了第一片用浸润式曝光机做出的成像。 ... 浸润式的原理，利用光通过液体介质时会弯折的特性，显微镜的影像透过浸湿的镜头会进一步 ...
#64. 半導體微影技術光學培訓班 - 國立高雄科技大學電機與資訊學院
半導體製. 程的核心是光學微影技術，光學微影技術的核心是光學原理的應用。半導體製程中要將晶片上. 的電路更縮小化，就需要更短波長的雷射光源，或是使用浸潤式 ...
#65. 浸潤式微影波長制程簡介和浸潤式微影術 - Prdceg
浸潤 式微影術是以水取代空氣，讓曝光光源在照射到光阻前，他還是有點擔心這種未經驗證的技術。 CTIMES- 奈米世代微影技術之原理及應用 ，來生產比65奈米世代更精密的晶片。
#66. TW201316135A - 判定對焦校正之方法、微影處理製造單元及 ...
該方法包含：曝光一測試基板上之複數個全域校正場，每一全域校正場包含複數個 ... 亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。
#67. 為什麼光刻機比原子彈還難造？ - 壹讀
光刻機中的曝光光源決定了光刻工藝加工器件的線寬等特徵尺寸，當前市場 ... 對於荷蘭阿斯麥來講，與台積電合作研製浸潤式光刻設備機，就是它的諾曼第 ...
#68. 中國芯片業為什麼搞不過一家荷蘭公司？ - 奇摩新聞
芯片製造的曝光-刻蝕過程與沖印照片原理類似，也有人形容像雕刻，只不過光刻機雕的是芯片，「刀」是光。光刻機的工藝決定著芯片的尺寸和性能，是生產 ...
#69. 「euv原理」+1
藥師+ · 步進式曝光機原理 · euv原理. euv原理. EUV（極紫外線，ExtremeUltraviolet略稱）微影，是使用通稱極紫外線之... 相關資訊. 硫酸鋇顯影劑 · 拍立顯38造影劑 ...
#70. 新世代積體電路製程技術- ~ 第四章微影模組
此外，奈米轉印微影原理上也不同於利用. 軟模(Stamp)與自組裝薄膜的微接觸式壓印 ... beam）曝光技術，但是兩者仍存在許多難題尚待 ... 0.93或以浸潤式曝影技術的1.35;.
#71. 浸润式光刻之父林本坚欲再造江湖？ - IC智库/微电子/半导体 ...
2003年，ASML展示了第一片用浸润式曝光机做出的成像。 ... 浸润式的原理，利用光通过液体介质时会弯折的特性，显微镜的影像透过浸湿的镜头会进一步 ...
#72. 微影製程ptt
黃光微影製程實務介紹實驗儀器簡介微影原理黃光實驗流程試片清洗與去水烘烤光阻塗佈試片軟烤曝光與顯影試片硬烤實驗報告實作考試課程解說實作項目成果驗收分組小組完成 ...
#73. 一种基于多曝光程序的多硅片循环运动方法 - Google
本发明通过改变硅片的循环曝光顺序，减少了硅片传送占用机台的时间， ... 浸润式光刻技术利用了光通过液体介质后光源波长缩短的原理来提高分辨率，其缩短的倍率即为 ...
#74. 雙重曝光技術 - Hugb
25/12/2008 · 雙重曝光(Double Patterning；DP)是半導體為因應摩爾定律延伸所發展的新曝光技術。過去在193波長浸潤式顯影機種之下，已可將半導體製程技術推移至45奈 ...
#75. 全球晶圆代工走向新分水岭 - 界面新闻
... 193nm曝光机原理上可制作的最小线宽为48nm，加上浸润式微影与多重曝光的 ... 所费不赀，ArF浸润式曝光机价格已要价约5,600～6,200万美元，EUV曝光 ...
#76. 为什么光刻机比原子弹还难造？ - 品玩
光刻的原理和过程一般是这样的：首先制备出芯片电路图的掩膜版，然后在硅片上 ... 对于荷兰阿斯麦来讲，与台积电合作研制浸润式光刻设备机，就是它的 ...
#77. 圖解半導體製造裝置 - momo購物網
... 的構造、動作原理及性能，輔以圖解進行細部分析，建立系統化知識。 ... 浸潤式曝光裝置572-1曝光○2EUV與圖形解析度提升技術592-2曝光○3電子束 ...
#78. 浸潤式微影優點IBM棄EUV擁護浸潤式微影技術 - JVVX
CTIMES- 奈米世代微影技術之原理及應用. 浸潤式微影技術相較於傳統乾式微影 ... 193奈米沈浸蝕刻的高折射指數材料，將使浸潤式(mmersion)技術在32奈米節點遭遇瓶頸。
#79. 世界先進幾奈米-是什么問題導致10納米制程芯片良品率過低 ...
1)靠著浸潤式投影延長的製程方式，是否提早在10nm提早遇到技術節點？ ... 提出了一篇一樣透過浸潤式原理已經可以做出7nm的SRAM單元，所以當時市場分析是當首代EUV前景 ...
#80. 製程材料跳脫摩爾另闢蹊徑AI掀晶片設計/製造變革 - 新通訊
以目前的情況而言，ArF浸潤式製程(一重曝光)產能可達275wafer/hr，而廠商 ... 必須在接近絕對零度的環境運作，且量子晶片技術原理與現行由電子傳輸 ...
#81. 台积备战3nm全靠极紫外光（EUV）微影设备- Sigmaintell Daily
有别于过去半导体采用浸润式曝光机，是在光源与晶圆中间加入水的原理，使波长缩短到193/132nm的微影技术，EUV微影设备是利用波长极短的紫外线，在硅晶 ...
#82. 課程清單
課程同時設計理論應用課程與實驗室實作課程，讓您更了解TFT LCD的驅動原理及電路 ... 步進式與步進掃描式曝光系統4 先進奈米曝光系統與技術4.1 相位移光罩技術4.2 浸潤 ...
#83. 摘取光刻机皇冠上的明珠——ASML
ASML计算光刻方案的基本原理是应用计算仿真的方法，将包含照明光源、掩模、投影物镜. 系统的成像系统与光刻胶曝光、刻蚀等工艺过程联系起来，然后通过 ...
#84. 奈米轉印成形技術前言
準分子雷射光曝光機， 結合浸潤式微影技術（Immersion lithography） 與光學 ... 奈米微影製程，其原理是結合熱塑性高分子熱壓印成形(Hot Embossing)和半導體.
#85. euv 原理
雖然三星、Intel英特爾也有EUV曝光機，但是最終能夠駕馭這個技術並穩定量產的還是台積電，這個原因是什麼？. 「EUV （极紫外光刻）」是一项什么样的技术？ 極紫外線光學 ...
#86. ASML 阿斯麥“追光實驗室”7 月28 日在上海正式對外開放 - 在體育
這裡有一個互動小遊戲，讓你可以由淺入深地瞭解“浸潤式技術”的發展軌跡和背後用到的光學原理。 雙晶圓工作臺.
#87. 浸润式光刻之父林本坚欲再造江湖？ - 6park.com 留园
2003年，ASML展示了第一片用浸润式曝光机做出的成像。 ... 浸润式的原理，利用光通过液体介质时会弯折的特性，显微镜的影像透过浸湿的镜头会进一步 ...
#88. 大昌證券新竹分公司黃靖貽- 股后嫁老外... | Facebook
浸潤式曝光 機台是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到132奈米的微影技術；EUV曝光設備是利用波長極短的紫外線，在矽基板上刻出更微細的電路圖案。
#89. 一千億台幣買下台灣股后這家豪氣的荷蘭公司究竟甚麼來頭?
... 數十年來都仰賴程序繁瑣，但原理與沖洗照片類似的曝光顯影製程生產。 ... 艾司摩爾也迅速呼應台積電，一年後，推出世界第一台以水為介質的浸潤 ...
#90. [科技] 衝破晶圓製造瓶頸的一滴水- 看板NTUGIEE_EDA
他原訂在會中講述浸潤原理，說明某種黏稠的機油在157奈米技術上的可能 ... 微影工具製造商艾司摩爾推出浸潤式機台的原型；到了2004年底，IBM推出一批 ...
#91. euv微影技術 - 財經貼文懶人包
首頁 · asml euv原理; euv微影技術 ... 最先進的晶圓廠，需要至少10台的EUV及20台浸潤式193微影機，由此可見投資之巨大，再加上技術的開發，這一切都再再地墊高進入 .
#92. 半导体光刻工艺中图形缺陷问题研究及解决（可编辑）
由于这些优点,投影式曝光已经成为目前光刻技术的主流。 下图是投影式曝光成像的原理。 调制平面波光源入曝光光源发出的光经过入射透镜系统射到光掩模版上,发生衍射, ...
#93. 光刻機長啥樣，ASML 阿斯麥“追光實驗室”7 月28 日在上海正式 ...
這裡有一個互動小遊戲，讓你可以由淺入深地瞭解“浸潤式技術”的發展軌跡和背後用到的光學原理。 雙晶圓工作臺.
#94. 極紫外光微影—延續摩爾定律的重要技術 - 能源資訊平台
由於材料上的重大困難，進一步降低DUV波長和增加浸潤液的折射率在經濟上已被認為不可行，而NAp和 也已提高到接近其 ... 圖2 光學微影曝光機台及浸潤式鏡頭示意圖[7].
#95. 光刻機ASML - 今天頭條
2007年，台積電使用ASML的浸潤式光刻機成功投產45nm製程晶片。 ... 記憶體，數十年來都仰賴程序繁瑣，但原理與沖洗照片類似的曝光顯影製程生產。
#96. 浸润式微影技术强势晋级，EUV技术可有出头日？ - 电子发烧友网
浸润 式微影技术被如此快速接受的原因，是因为奠基于经证实的浸润式显微镜（immersion microscopy）原理。该原理可回溯至1600年代，由英国自然哲学 ...
#97. 石英玻璃模仁於奈米壓印之研究Study of nanoimprint process ...
目前台積電公司已宣布以193奈米浸潤式(Immersion. Lithography)雙重曝影(Double ... 傳統的光學曝光方式，即將達到光源波長的極限，傳統光學微影須.
浸潤式曝光原理 在 [科技] 衝破晶圓製造瓶頸的一滴水- 看板NTUGIEE_EDA 的推薦與評價
衝破晶圓製造瓶頸的一滴水
藉由水的協助，讓半導體業者得以在不更動現有製造流程的情況下，製造出更小、更快的
晶片。
撰文╱斯蒂克斯（Gary Stix）
翻譯／鍾樹人
物理學家阿米西（Giovanni Battista Amici）曾在義大利佛羅倫斯的實驗室裡，把一滴
液體加在標本上方，藉此改善顯微鏡的成像品質。現在，過了165年，全球的半導體產業
才準備好要採納阿米西的創新技術。把晶片浸在淺薄的液體層中，製造出的電路線寬，可
望媲美病毒大小。
19世紀與21世紀相遇了，這種舊瓶裝新酒的辦法，恰好可做為摩爾知名論文發表40週年的
大禮。身為英特爾創始人之一的摩爾，就是在40年前，發表了半導體產業最舉足輕重的技
術論文：〈在積體電路上置入更多的元件〉。摩爾預測晶片上的電晶體數量，每隔12個月
就會倍增（之後修改為每24個月）。這項預測後來變成了鐵律，就好比一條自然法則，只
要晶片的性能無法持續每兩年達到指數成長，半導體產業似乎就會蒙受某種未明、但肯定
悲慘的傷害。
有關新一代晶片製造技術的種種計畫，陸續撞上了看似難以克服的障礙，若非水的出現，
晶片技術的進展早已跟不上摩爾定律的腳步了。2002年，晶片製造商與供應商，在發展微
影技術機台時，都未能跨越關鍵的里程碑。微影技術機是全世界最精密的照相機，可把電
路的影像投射在覆蓋於矽晶圓上的光阻劑，然後，用顯影劑移除曝光的部位，再由蝕刻藥
劑把電路刻到晶圓上，之後晶圓即可被切割成一個個晶片。
想縮小晶片上的電路，最常見的方法包括縮短光波波長，使機器能在晶圓上投射出較小的
電路。微影技術工具的製造商，在製作可投射157奈米波長機台的過程中，遇到無數困難
。要從一代微影技術升級到新一代，必須採用全新的雷射、光罩（鏤空板，可讓雷射在晶
圓上投射出電路樣式）、可縮小影像與曝光位置的透鏡，還有光阻劑。但是在157奈米之
下，儀器製造商無法以氟化鈣琢磨出合適的透鏡，要不是缺陷太多，就是像差太大，無法
在晶圓上清楚成像。IBM微電子先進微影技術開發部門資深經理龔巴（George A. Gomba）
就指出：「材料品質與製造量都面臨重大的問題。」
2002年夏天，在半導體研究聯盟（Sematech）主辦的157奈米微影技術的研討會上，這個
技術出現重大進展。全球第一大晶圓代工廠台積電的資深處長林本堅（Burn J. Lin），
在會中發表有關浸潤式微影技術（immersion lithography）的演說。這項技術源自阿米
西的創意，早在1980年代任職於IBM時，林本堅就已經開始研究。他原訂在會中講述浸潤
原理，說明某種黏稠的機油在157奈米技術上的可能應用。不過他整個演講卻都在解釋，
為什麼微影技術在157奈米下不可行，並力主業界應該把焦點放在如何將浸潤技術運用於
193奈米機台上，也就是前一代既有的微影技術設備。
193奈米的微影技術機台早已歷經時間的考驗，晶片廠可把重點放在這個尺度的浸潤技術
上，藉以提高解析度，使193奈米機台真能勝過157奈米機台所應達到的精細度。林本堅表
示：「這種想法大概吸引了全場聽眾的注意，因此他們也就原諒我說157奈米技術的壞話
。」水對於波長193奈米的雷射光來說是透明的，但對於157奈米波長的光波來說就不是了
。水可讓微影技術機台保有較大的數字孔徑（numerical aperture），這是區別細部影像
的關鍵因素，因此可提高解析度。水也能改善焦深，也就是當光阻劑上的影像具有可接受
的清晰度時，鏡頭與影像之間的距離。先進的晶片製造過程特別注重焦深，因為晶圓表面
上最細微的不平整，都可能會破壞成像。
林本堅的演說帶來了挑戰。193奈米的浸潤式微影技術可能成為現有技術的延伸，因此或
許不必再花上10年或更久的時間，就可研發出使用不同波長光波的微影技術儀器。然而，
浸潤研究的偶然出現雖然可回溯到1980年代，但沒有人知道這項技術是否可行。潑灑在晶
圓上的水，也可能引發大災難。當機台上的晶圓以每秒50公分的速度移動時，其間形成的
微氣泡可能損及晶圓上的成像。
2002年12月，半導體研究聯盟召開研討會，100多位來自儀器與晶片製造公司以及科學界
的研究員齊聚一堂，列出他們認為浸潤式微影技術堪慮的事項。研討小組認為這項技術若
想成真，必須先克服10項基本障礙，包括：模擬水對鏡頭與光阻劑的可能傷害，並且了解
水真正的基本物理特性等。波長193奈米的光波在水中的折射率，目前只測量到小數點以
下兩位。半導體研究聯盟資深會員、同時也是這些早期會議的主持人特里布拉（Walter
J. Trybula）表示：「大家都同意，我們必須得到小數點以下五位、甚至可能是六位的數
據。」折射率為光波在真空與介質（如水）中的速度比，基本上可測量出水或其他介質改
變光波前進方向的能力，也是決定數字孔徑的重要參數。
氣泡的行為是另一項未知因子，但目前已有工作小組針對這個問題展開研究。先進微影技
術的研究重鎮──美國麻省理工學院林肯實驗室，目前正在研究冷凍乾燥後的奈米級氣泡
。較大的微氣泡也可能造成傷害。林肯實驗室研究員斯威基斯（Michael Switkes）表示
：「我們正在研究，如何讓水流過成像機台下高速移動的晶圓，而不產生氣泡。」結果顯
示，事先去除氣體的純水可能預防氣泡生成，達到技術規格的要求。
2003年7月，半導體研究聯盟再度針對浸潤式微影技術召開研討會，吸引眾多與會者前往
IBM的阿馬丹研究中心。經過六個月的模擬與實驗，10項技術障礙全部可望獲得解決。半
導體研究聯盟浸潤式微影技術策略的專案經理格倫維爾（Andrew Grenville）指出：「我
們原先擔憂的所有重大議題，到頭來都是可解決的。」研發的腳步越發加快了。2003年12
月，荷蘭微影工具製造商艾司摩爾推出浸潤式機台的原型；到了2004年底，IBM推出一批
實驗性微處理器，最小線寬已達90奈米。浸潤技術的應用，加上微影技術人員口中的「花
招」（比如改變光波的相位），使得雖然實際使用的光波波長為193奈米，但投影出的線
寬卻只有193奈米的幾分之一。IBM的龔巴表示：「基本上我們認為：『這是可接受的』。
」其他工具製造商、晶片廠與學術單位起而效尤，也紛紛展示新的產品與微影轉印技術。
浸潤式微影技術可能在2009年達到量產，屆時，積體電路上電晶體之間的距離，可能大幅
縮小到45奈米，比C型肝炎病毒的寬度還要小。
水所促成的新技術，是史上推出時間最短的新型微影技術之一。也因為水，半導體產業才
不致與摩爾定律脫節。新一代晶片的推出時間已經延遲兩年了，眾人期待已久的高畫質錄
放影行動電話也因此延宕。業界在157奈米微影技術上的投資，估計已超過20億美元，但
浸潤技術的出現，卻為它寫下終結的命運。157奈米微影技術目前已被擱置。佳能公司資
深研究員威爾（Phillip M. Ware）表示：「這個技術已經死翹翹了。」佳能與尼康、艾
司摩爾並列三大微影技術製造商。
研究人員目前也在觀望，浸潤原理是否能應用在2011年那一代的晶片上，使電晶體的間距
縮小到32奈米。想達成這個目標，必須配合新型鏡頭與化學添加劑，也就是某些人所戲稱
的色素果汁涒ool-Aid荂C這種添加劑可提高水的折射率，使機台保有較大的數字孔徑。在
今年3月的一場光學工程會議中，美國羅徹斯特理工學院的史密斯（Bruce W. Smith）與
同事提出了「固體浸潤式」微影技術，讓藍寶石鏡頭直接與光阻劑接觸。這種技術可望使
2015年的晶片，進入25奈米製程。
果真如此，全球第一大廠商英特爾所支持的技術，將在微影技術員的巧思之下遭到封殺。
英特爾原本企圖終結傳統的晶片製造流程，甚至可能終止摩爾定律。眾所周知，極紫外光
微影技術（EUV）可把13奈米波長的光波投射到一連串的多層膜面鏡上，以縮小晶圓上的
成像。在這個波長之下，透鏡無法作用，因為物質並無法透光。某些EUV技術早在「星戰
計畫」時期就已經開始了。
原本在100奈米製程中，就應當運用EUV製造晶片，但浸潤技術與其他進展，卻把EUV商業
應用的日子越推越遠。在3月那場光學工程會議當中，有兩位主題演講的講者預測，英特
爾所支持的技術將因為成本考量，以及雷射與物質所面臨的挑戰，而永無量產之日。這兩
位分別是美國史丹佛大學電機教授皮斯（R. Fabian Pease），與德州大學奧斯丁分校的
化工系暨化學系教授威爾森（C. Grant Willson）。威爾森同時創立了推動EUV替代方案
的公司，他在訪談中表示：「依我所見，EUV不可能帶來獲利。」
業界已在EUV上投資數十億美元，如果這項技術真的被放棄，命運就和X光微影技術一樣。
X光微影技術由IBM主導，採用同步加速器生成的輻射線，IBM與美國國防部高等研究計畫
署已經投下超過10億美元的資金。事實上，在電磁波譜上，EUV的波長與X光相去不遠。由
於波長略大，EUV技術原被稱為「軟X光」投射微影技術，直到「X光」開始被視為研發的
無底洞之後，才更名為EUV。
(圖文)
https://www.sciam.com.tw/read/readshow.asp?FDocNo=718&CL=4
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