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ADI觸控面板測試解決方案 歡迎下載
電容觸控式面板在智慧手機和平板電腦等消費類電子產品中非常流行。傳統的觸控式面板測試側重於功能測試，評估方式是使用操作者的手指直接測試，不包括性能和均勻性測試。該解決方案指出如何在大規模生產線上測量觸控式面板電容以及如何在IC驅動器裝配前識別缺陷面板。產量的提高增加了對自動化測試解決方案的需求，節省了大量測試時間和人工成本。
ADI為您提供：
• L、C、R測量理論
• 自動化解決方案，可縮短製造時間、降低成本
• 結合ADI信號處理和LTC電源產品優勢
有關ADI觸控面板測試解決方案英文網站請參閱http://t.cn/RnIALTE
下載此方案,請填寫以下中文資料表格,
http://h.analog.com/TW-APM-TOUCHff
(競爭優勢：武器升級＝競爭力升級)
今天19大召開...昨夜把電腦設定成「不休眠」，旅程,主人香甜入睡時,科技助理正在自動安裝「Windows Creator秋季更新」！清晨四點多起來,看最新版本！
第一次重新開機,就是「當機」...
「科技」從來都不是「付錢、回家插電、就變高手」,是需要「思考、找出問題、顛覆規則、創新競爭力」！越洋看微軟大會英文簡報,用的「展示電腦」跟我的一樣,連顏色皆同,都是藻紅色！
換句話說,如果有問題,可能不是「硬體驅動器」問題,是微軟「目前極限」,清晨,靜靜思考,如何重新修-改-工-作-流-程:
1) 行文給伙伴們,改變內部運作方式,更有效簡化工作、提生效能！
2) 震撼分享時,加入 3D元素
3) 龐大海內外群組,最優先的,現在「可建立捷徑」!
4) 今天起：我喊「關機」,人工智慧也聽得懂...還有很多新升級
畫面一：是西安授課後,客戶盛情安排參觀武后遺址！現代人與古人,最大的差異,就是--尖端科技！
畫面二：面對頂尖創業家、各行各業菁英,分享「競爭優勢大改造」時,畫面中的案例與震撼內容,全部「科技呈現」在LED牆上,至於主講人,遠遠的,小小的！
畫面三：不論是萬人、千人、百人,都是「按下遙控器」,然後在頂尖高手中穿梭互動！每一個都是血淋淋的真實案例！
任何產業的領導人與經營者,面對華人崛起的時代,都須用更短時間,創造更高價值！而武器升級＝競爭力升級...睡醒,又是更嶄新、更升級的一天,真好！累死科技,讓主人慢活！
www.idi.tv
#氮化鎵GaN #電源管理 #功率因數校正PFC #Cascode #聯結構電晶體
#圖騰柱TotemPole #總諧波失真THD #過流保護OCP
【GaN 功率元件強勢降臨】
被稱為第三代半導體材料的「氮化鎵」(GaN) 新興工藝技術，用於功率因數校正 (PFC)、軟式切換 DC-DC 等電源系統設計，以及電源轉接器、太陽能逆變器、伺服器和通訊電源等各種終端應用，可實現矽元件難以達到的高電源轉換效率和功率密度水準，為交換式電源供應器和其他在能效及功率密度至關重要的應用，帶來性能的飛躍。GaN 具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，能負載的工作溫度也更高。
GaN 提供高電子遷移率，意味著切換過程的反向恢復時間可忽略不計，故擁有低損耗、高切換頻率優點。前者加上寬頻元件的高結溫特性，可降低散熱量；後者則可減少濾波器和無源元件的使用 (如：變壓器、電容、電感等)，進而減少系統尺寸和重量、提升功率密度，有助設計人員實現緊湊的高能效電源方案。同為寬頻元件，GaN 比 SiC 成本更低、更易於商業化，具備廣泛採用的潛力，包括：工業、電腦、通訊、LED照明及網路領域的各種高壓應用。
採用單排直插 TO-220 封裝，更易於根據客戶現有製板能力進行整合。基於同一導通電阻等級，與高壓矽 MOSFET 相較，第一代 600 V 矽基 GaN (GaN-on-Si) 元件即可提供 4 倍以上的閘極電荷、更優的輸出電荷、同級輸出電容和 20 倍以上的反向恢復電荷，未來技術水準將持續演進。Cascode 相當於由 GaN HEMT 和低壓 MOSFET 組成：GaN HEMT 可承受高電壓，過電壓能力達到 750 V，並提供低導通電阻；低壓 MOSFET 則提供低閘極驅動和低反向恢復。
HEMT 是高電子遷移率電晶體的英文縮寫，通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。使用 600 V GaN Cascode 的三大好處是：
★具有卓越的自體二極體特性：串接建立在低壓矽技術上，且反向恢復特別低；
★容易驅動：設計人員可使用像普通 MOSFET 一樣的傳統閘極驅動器，採用電壓驅動，且驅動由低壓矽 MOSFET 的閾值電壓和閘極電荷決定；
★高可靠性：透過長期應用級測試，且符合 JEDEC 行業標準——零個擊穿、最終的漏電流和導通電阻皆低於規格門檻。
在連續導電模式 (CCM) 升壓 PFC 拓墣中，在 200 KHz 和 120 Vac 輸入的條件下，Cascode GaN 較超結合Si (SJ Si) 提升近 1% 的效率；隨著頻率升高，GaN 的優勢將更明顯。採用 GaN還可實現「圖騰柱」(Totem Pole) 電路，較傳統 CCM 升壓 PFC 提供更高能效。高能效的電源轉換有利於軟切換電路拓墣結構回收能量，如：相移全橋、半橋或全橋 LLC、同步升壓等。受惠技術發展和市場成長，有望降低 GaN 的採用成本。
延伸閱讀：
《安森美半導體推進更快、更智慧和更高能效的GaN電晶體》
http://compotechasia.com/a/ji___yong/2016/0428/31784.html
#安森美半導體OnSemiconductor #Transphorm #NTP8G202N #NTP8G206N #TO-220封裝 #NCP1654控制器 #NCP1397 #NCP4304
圖檔取材：pixabay.com
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