三星決心GAA搶先台積電推出 但良率是利潤關鍵
三星電子(Samsung Electronics)設備解決方案(Device Solution)業務技術長 Jeong Eun-seung 宣佈,作為下世代半導體製程的核心,將提前實現 GAA(Gate all around)技術商業化。三星電子計劃從明年 (2022) 開始將 GAA 應用於 3 奈米製程;台積電預計於 2 奈米才開始採用 GAA 技術。
但是,三星晶圓代工難超越台積電,目前台積電晶圓代工市場佔有率 53.9%、三星僅 17.4%。....
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不過,若要打造一個這樣的晶片,該晶片至少需要有能儲存 100 兆個虛擬神經元和突觸連結的數據能力。
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對於台積電來說,擴充28奈米製程主要是增加汽車晶片產能以及因應其他遠距應用所需。對於聯電來說,無論是電源管理、顯示驅動、車用、甚至影像處理器都是採用28奈米製程生產。...
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主持人:唐湘龍 × 陳鳳馨
主題:美國裸奔,卻控告路人偷看!病得不輕!
節目直播時間:週二 14點
本集播出日期:2021.04.20
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主題:台積電終於跌了!該上車嗎?
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三星3奈米 在 [新聞] 三星電子公佈2及3奈米GAA製程時間表超車- 看板Stock 的推薦與評價
原文標題:
三星電子公佈2及3奈米GAA製程時間表 超車台積電?
(請勿刪減原文標題)
原文連結:
https://bit.ly/3uQlq6P
(請善用縮網址工具)
發布時間:
2021年10月7日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容:
三星電子於2021年10月7日在其第五屆年度三星代工論壇(5th Annual Samsung Foundry
Forum;SFF)上,公佈3奈米和2奈米(nm)節點製程計劃。
三星電子總裁兼代工業務負責人Choi Si-young表示:
三星新先進奈米技術將採用GAA電晶體結構,首批基於3奈米晶片計劃於2022 年上半年開
始生產,而其第二代3nm晶片預計將於2023年生產。
至於,2奈米作為三星技術路線圖中的新成員,具有多橋溝道 FET(MBCFET)處於早期開
發的階段,預計2025年量產。
今年論壇的主題是“增加一個維度”(Adding One More Dimension),預計為期多天的虛
擬線上論壇將吸引超過2,000名全球客戶和合作夥伴,三星將分享其願景及代工業務。
三星表示,其獨特的GAA技術多橋通道FET(MBCFETTM)對於持續的製程技術遷移至關重要
。與5奈米製程相比,三星首個採用MBCFET的3奈米GAA節點將面積減少35%,性能提高30%
或功耗降低50%。除了功耗、性能和面積(PPA)的改進之外,隨著其工藝成熟度的提高,
3奈米的邏輯良率正在接近與目前量產的4奈米技術相似的水準。
三星代工廠不斷改進其FinFET製程技術,以支持具有成本效益和特定應用競爭力的專業產
品。例如,該公司引用了其17奈米FinFET節點。除了FinFET提供的內在優勢之外,該製程
節點還利用3D電晶體架構。因此,與28奈米製程相比,三星17奈米FinFET的面積減少了
43%,性能提高了39%或功率效率提高了49%。
此外,三星正在推進其14奈米,以支持3.3V高壓或快閃型嵌入式MRAM(eMRAM),從而提
高寫入速度和密度,適用於微控制器單元(MCU)、物聯網和可穿戴裝置等應用。三星的8
奈米射頻(RF)平台將有助於在5G半導體市場從低於6GHz擴展到毫米波應用。
結語
三星電子宣布2及3奈米GAA製程量產時間表,似乎與台積電互別苗投,甚至企圖超車台積
電。依據台積電規劃3奈米仍採用FinFET於2022年下半年量產,而2奈米才會採用GAA架構
,預計2025年量產。雖然,三星決心GAA搶先台積電推出,但良率才是利潤關鍵。根據韓
媒報導 (2021.7.4),三星電子在華城園區廠最先進的 V1 線,仍存在良率難解問題,5奈
米產品的良率仍低於 50%。
對於半導體大廠而言,製程是技術,良率是決定半導體公司能否獲利的關鍵,初期能將良
率維持在八成左右已是非常困難的事情,而台積電的製程良率可以達到九成五以上,可見
台灣晶圓代工的技術水準。
心得/評論: ※必需填寫滿20字
三星在代工論壇上公布最新時間表,預計2025年開始量產2奈米晶片,強調其GAA技術,以
突破台積電市場領先地位。
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