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【「壓電式」麥克風將全面崛起?】
受惠於超靈敏的聲波感測器和可解釋語音的複雜機器學習演算法,語音識別技術的準確性越發精進。由上述可知,負責接收音訊的麥克風裝置是第一道關卡,它是將聲波轉為電訊號的「換能器」(Transducer)。
對音質、音場的要求越來越高,音訊訊號鏈中所參與的電子元件也變多;為實現輕薄短小的緊湊設計,微機電 (MEMS) 技術應用漸廣。坊間 MEMS 麥克風元件可分為類比、數位兩類;若麥克風收音僅用於靜默監聽、無需播放,音訊鏈後端不必有編解碼器或音訊轉換器,那麼,數位 MEMS 麥克風顯然是首選;反之,牽涉到音訊播放或語音交互,類比 MEMS 則當仁不讓。
整體而言,MEMS 麥克風由於較傳統駐極體電容式麥克風 (ECM) 擁有更好的音質、靈敏度和定向性,便於從數據獲取上、下文進行有效處理和渲染,且功耗、成本更低,體積也小巧得多。不過,為進一步增強抵抗粉塵/微粒、雨水/汗水、震動及高分貝噪音能力,「壓電式」(Piezoelectric) 麥克風成後起之秀。
「壓電式」MEMS 麥克風採用單層薄膜設計的壓電器件不會在背板間隙夾雜灰塵、空氣或雨水等污染物,影響靈敏度和頻率響應,亦避免膜片黏附於背板上。簡言之,它具備防水、防塵、超高聲學過載點、消除迴聲特性,耐用、啟動快且可自供電,對於細微聲響的收音效果更好,更適用於背景雜音大的空間、長距離、戶外或低頻對話,應用面廣泛,但薄膜器件製造不易是其缺點……。
延伸閱讀:
《語音互動靈敏、通話音質清晰——MEMS 麥克風技壓全場》
http://www.compotechasia.com/a/feature/2021/0205/47107.html
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【不可不知的材料界新星:氮化鎵】
「氮化鎵」(GaN) 可望逐漸成為「高功率模組」的首選;未來更將擴及低電壓應用,如:高端音訊放大器、無人機、電動車、照明、運算、太陽能板、汽車影像技術,以及任何能接上插座的電器裝置。GaN 是一種由「鎵」和「氮」兩種元素合成的超高速半導體材料,近年來成為學術界和產業界共同關注和著力研發的熱點,矽基 GaN 功率器件更被視作聖杯。與傳統矽元件相較,GaN 在物理特性上具有明顯優勢:
1. 轉換效率高:GaN 的禁帶寬度是矽的 3 倍、臨界擊穿電場是矽 10 倍,意謂在同樣額定電壓下,GaN 的導通電阻約比矽元件低 1,000 倍,大幅降低開關的導通損耗、使功率密度倍增;
2. 工作頻率高:GaN 的電子渡越時間比矽低 10倍,電子速度比在矽中高兩倍以上、反向恢復時間基本可以忽略,因此 GaN 開關功率器件的工作頻率是矽的 20 倍以上!大幅減少電路中電容、電感等儲能元件的體積、模組尺寸可縮小 50%,連帶減少設備體積和原材料消耗,而開關頻率高可減少開關損耗,進一步降低總功耗;
3. 耐受溫度高:GaN 的禁帶寬度高達 3.4eV,本徵電子濃度極低,電子很難被激發,理論上 GaN 可耐受 800℃ 以上的高溫。
為降低 GaN 元件成本,業界設法從製程尋求變通:透過外延技術在更大尺寸的矽基取得 GaN 外延片。如此便可使用成熟的矽製程和設備大量生產,再將矽基 GaN 與光電元件、數控電路整合,集成直接面向終端應用的功能性模組。GaN-on-Si 晶圓仍有三大技術瓶頸待克服:一是失配問題,矽基與 GaN 之間存在晶格常數、熱膨脹係數和晶體結構不匹配;二是極性迥異,由於矽原子間形成的是「純共價鍵」,屬非極性半導體,而 GaN 原子間卻是極性鍵、屬極性半導體;三是矽基上的矽原子擴散,會降低外延層的晶體品質。
或許能以「增壓引擎」來比喻 GaN,只要搭配適合的驅動程式、封裝與其他元件,確實能提升伺服器和資料中心的系統效能;且可避免電子裝置或設備「散熱不佳」,拖累系統運作。當連網已成為日常生活的一部分,人們對高耗電的數位裝置,以及電力和發電廠的依賴也隨之激增;藉由 GaN 改善電路效率,既環保又節能。此外,小自手機,大至高端工業機具和伺服器,各種系統的電路皆需切換數百萬計的小型開關;每一次動作,都會產生熱能、減損供電效率。GaN 可減少生熱,讓開發者能在更小的電路板空間、納入更多的開關設計。
延伸閱讀:
《TI:製程、封裝相助集成,氮化鎵伺機而起》
http://compotechasia.com/a/____/2016/0706/32426.html
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#德州儀器TI #http://compotechasia.com/microsite/view.php?aid=32761
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