鴻海、比亞迪、IDM風雲會 布局第三代半導體逐鹿中原
電子時報00:06何致中／綜合報導
新世代半導體發展趨勢風起雲湧，醞釀20多年的氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)並非嶄新的「黑科技」，但隨著無線通訊技術、充電技術越來越需要具「高功率密度」特性的寬能隙(WBG)元件，GaN、SiC等明顯優於主流矽基(Si-Based)半導體的性能備受重視。
特別是在「未來車」相當有機會成為下一個資通訊產業革命的主戰場的此刻，欲想在電動車卡位的龍頭集團業者無不摩拳擦掌。除領頭的國際IDM大廠包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、Cree、羅姆(Rohm)等業者外，中系功率半導體與電動車大廠比亞迪集團，以及台灣EMS龍頭的鴻海集團，紛紛著手對於SiC、GaN領域更深遠的布局藍圖。而針對近期包括兩岸、海外等龍頭大廠布局狀況，以下為DIGITIMES所作整理。
IDM廠轉向8吋廠生產 凸顯領跑者角色
儘管台系業者包括鴻海、中美晶、台積、聯電、富采投控、漢民、穩懋等，力求大打跨界集團戰儘速合縱連橫。惟領跑的國際IDM大廠「轉進8吋晶圓廠」生產已然增速，包括意法、羅姆等，近期英飛凌也宣布與Panasonic共同量產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)新品，預期2023年上半新品將進入市場。
而此舉正是力圖突破目前第三代半導體元件價格明顯高於矽基元件2~3倍的主要方向之一，目前主流的6吋廠產能也不足以因應未來被廣泛應用於3C充電領域的GaN-on-Si元件。
英飛凌大中華區總裁蘇華、意法亞太區副總裁暨台灣區總經理Giuseppe Izzo等也公開指出，第三代半導體領域IDM大廠們已經卡好最佳位置，GaN、SiC的市場接受度目前看來也比預期快。
IDM廠在技術、產品組合、整體解決方案都相當完整，甚至是第三代半導體在材料以外的各種電源IC週邊包括驅動器、MCU等全方位配套策略，目前恐怕仍是寬能隙元件領域發展最全面的主力。
比亞迪、鴻海各自出招 共逐EV、第三代半導體大計
鴻海總裁劉揚偉於SEMI論壇中指出，EV將持續替第三代半導體的SiC、GaN鋪路，未來也可望成為一座「新護國神山」。
新世代化合物半導體潛力高 新護國神山待醞釀
事實上，化合物半導體也包括一般稱為第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等，穩懋副董事長王郁琦指出，化合物半導體繼5G RF應用、手機用3D感測應用等，後續包括未來的6G、衛星通訊、車用光達(LiDAR)、生物辨識等，在在都需要更多的化合物半導體，也將成為次世代半導體關鍵之一。
整體來看，舉凡光學元件、充電元件、通訊元件等，囊括寬能隙材料的第三代半導體潛力持續被市場重視，而不管是業界老鳥或集團新兵，組隊大打世界盃的風雲集結態勢為現在進行式，更可能往國家產業戰略方向角度前進，這也回應鴻海總裁劉揚偉所述，台灣已經在矽半導體享有高度成就，如何複製到剛起步的第三代半導體，打造一座「新護國神山」，更是未來產官學研界重點任務。
隊長資料整理：
TrendForce示，2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，第三代半導體氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce研究，氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查，截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機，且筆電廠商也有意跟進。
全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元，年複合成長率達38%，前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機（OBC）、直流變壓器（DC-DC）為應用大宗。
漢民科技集團，控股公司。打入華為5G基地台供應鏈。
旗下「嘉晶」(61.2%)為國內前二大磊晶矽晶圓供應商。
旗下「漢磊科技」(100%)為國內最大功率/類比IC晶圓代工廠、全球第九大矽磊晶圓廠，生產MOSFET、IGBT及二極體。
4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。
6吋廠1700V SiC SBD/MOSFET已量產
SiC晶圓薄化可達100微米。
因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求，研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程，漢磊旗下三座晶圓廠都已通過車規認證並量產。
去年EPS-1.64元。今年上半年EPS 0.07元轉虧為盈。
今年7月營收6.31億元續創新高，月增4.43%、年增41.08% 八月營收再創新高
漢磊布局化合物半導體超過10年，這將是未來營運主軸，近2年策略上正往氮化鎵、碳化矽、車用MOSFET、二極體、靜電保護等TVS等5類別發展，特別鎖定車用相關，今年已看到成效，由於碳化矽與氮化鎵產品價格比一般半導體高，對漢磊營收或獲利都會有幫助。漢磊下半年到明年上半年營運展望皆樂觀，因為還有很多客戶排隊要產能，「客戶追單仍多，產能滿到年底沒有問題」。惟上半年剛虧轉盈，EPS還未顯現，
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台灣igbt廠商 在 [新聞] 電動車推升IGBT，2021年總值估逾52億美元- 看板Stock 的推薦與評價
1.原文連結：
https://bit.ly/2Ic6MQI
2.原文內容：
【時報記者張漢綺台北報導】電動車已成為汽車產業未來的主要成長動能，電動車關鍵零
組件以IGBT功率元件最為重要，其使用量約為傳統內燃機引擎汽車的5至10倍之多，隨著
電動車成長將帶動IGBT市場總值攀升，拓墣產業研究院報告預估，2021年IGBT的市場總值
將突破52億美元。
TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出，電動車已成為汽車產業未來的主要成長動能
，預估在2021年將突破800萬輛，為2018年的兩倍，而電動車除了電池與發動機外，關鍵
零組件以IGBT功率元件最為重要。
根據拓墣產業研究院的統計，2016年至2018年，電動車數量年成長率分別為28%、29%、
27%，對照2015年以前的年成長率僅個位數，推升IGBT總值大幅成長，2018年全球IGBT市
場總市值規模約47億美元，年成長率達16%。
拓墣產業研究院分析師徐韶甫表示，電動車使用到IGBT的裝置主要有五項，包含逆變器
、直流/交流電變流器、車載充電器、電力監控系統以及其他附屬系統。其中，逆變器、
直流/交流電變流器以及車載充電器對電動車性能表現影響最為關鍵，在配合高電壓高功
率的工作條件下，功率元件的採用需替換成IGBT元件或IGBT模組，對IGBT元件的需求量最
大；而電力監控系統與其他附屬裝置如水幫浦、空調壓縮機等在設計上雖然與過往差異不
大，但由於輸入電源變更為高電壓的車用電池，因此承受電力的功率元件也需更改為適合
高電壓工作範圍的IGBT功率元件，挹注IGBT市場需求。
就供應鏈來看，電動車IGBT元件的主要IDM供應商為Infineon、ON Semiconductor、
Fuji Electronic、STMicroelectronics、DENSO、BYD等。其中Infineon在整體IGBT市場
市占率達三成居於首位，提供IGBT元件與IGBT模組；DENSO與BYD雖為汽車製造商，但對於
電動車使用的IGBT元件也有自行設計製造的能力，是少數從汽車製造跨足半導體領域的廠
商。
此外，由IDM廠委外代工IGBT元件供應鏈包含晶圓代工廠世界先進 (5347) 、茂矽
(2342) 等台系廠商，中芯、華虹半導體等陸系大廠則供應其國內需求，在電動車IGBT模
組部分，有Mitsubishi、SEMIKRON、Danfoss、CRRC等專門從事IGBT模組化供應給客戶。
當前美中貿易談判陷入僵局、美墨邊境因非法移民問題陷入關稅爭端、英國脫歐以及中
東局勢的不穩定等等因素將推升全球市場經濟下行的風險，導致全球汽車銷售持續放緩，
加上全球電動車最大單一市場的中國車市銷售表現不如預期，恐將影響2019年下半年的電
動車銷售狀況，進而衝擊IGBT市場總值成長表現。預估2019年IGBT總值將達48.4億美元，
僅較2018年小幅成長約3%。
3.心得/評論：
(1) IDM廠委外代工IGBT元件供應鏈包含晶圓代工廠世界先進 (5347) 、茂矽 (2342)等。
(2) 預估2019年IGBT總值將達48.4億美元，僅較2018年小幅成長約3%。
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