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【科技加油站】埃爾思科技離子光源與奈米探針#學術成果轉化商業應用 🏆#半導體新創未來之星 🏅臺灣半導體產業於全球供應鏈上具有強大的競爭優勢，今年全球半導體市場更預計會有10%以上的增長，中小企業當然也不能缺席！隨著半導體製程精進，電晶體密度提高，奈米探針量測(Nano Probing)系統能找到晶片失效位置，再利用聚焦離子束系統(FIB)來進行故障分析。無奈受限於離子光源之特性，讓分辨率無法提升。.埃爾思科技成立時便取得中研院關於單原子針技術的專利授權，致力於提升離子光源的性能以符合商業化之需求，同時以奈米探針、微米探針等不同探針打造多樣產品，提供客戶多規格且客製化的金屬探針，滿足在生產線上多樣化的需求並成功開拓市場。.這也讓埃爾思科技成功在2020年獲得 #經濟部SBIR創業概念海選計畫 明星組Stage1的肯定，並在今年再次取得創新擇優Stage2計畫技術創新突破類補助個案，同時更獲得天使投資與商業協助，成為未來備受看好的明星級科技公司，也將是國內少數能將學術成果轉化商業應用的典範個案。（圖片提供：埃爾思科技）#小型企業創新研發計畫 https://www.sbir.org.tw/ ✨#SBIR歡迎中小企業加入 免付費電話：0800-888-968#創業路上我們一起走 👍

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場效電晶體量測在經濟部中小企業處 Facebook 的最讚貼文

By 經濟部中小企業處

2021-06-10 20:30:31 有 29 人按讚

【科技加油站】埃爾思科技離子光源與奈米探針
#學術成果轉化商業應用 🏆
#半導體新創未來之星 🏅

臺灣半導體產業於全球供應鏈上具有強大的競爭優勢，今年全球半導體市場更預計會有10%以上的增長，中小企業當然也不能缺席！隨著半導體製程精進，電晶體密度提高，奈米探針量測(Nano Probing)系統能找到晶片失效位置，再利用聚焦離子束系統(FIB)來進行故障分析。無奈受限於離子光源之特性，讓分辨率無法提升。
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埃爾思科技成立時便取得中研院關於單原子針技術的專利授權，致力於提升離子光源的性能以符合商業化之需求，同時以奈米探針、微米探針等不同探針打造多樣產品，提供客戶多規格且客製化的金屬探針，滿足在生產線上多樣化的需求並成功開拓市場。
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這也讓埃爾思科技成功在2020年獲得 #經濟部SBIR創業概念海選計畫明星組Stage1的肯定，並在今年再次取得創新擇優Stage2計畫技術創新突破類補助個案，同時更獲得天使投資與商業協助，成為未來備受看好的明星級科技公司，也將是國內少數能將學術成果轉化商業應用的典範個案。（圖片提供：埃爾思科技）

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By COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

2020-11-25 14:30:00 有 74 人按讚

#寬能隙半導體WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #功率器件 #5G通訊 #功率放大器PA #量子接面電晶體QJT #USB-PD #原子層沉積ALD

【SiCＸGaN 卡位戰起跑！】

儘管目前 SiC 晶片成本仍較 IGBT 貴上 4～5 倍，然著眼於碳化矽 (SiC) 功率器件將受惠於全球交通電氣化轉型的不斷前行——從火車、有軌電車和無軌電車，到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁，微芯科技 (Microchip) 宣佈推出 SiC 功率模組套件，讓開發者無需再單獨採購功率模組和閘極驅動器 (包括用於成品生產的閘極驅動器)，不必在檢驗功率模組後又花費時間開發自己的閘極驅動器，可大幅縮短數個月的開發週期。

另有鑑於目前氮化鎵 (GaN) 市場，功率電晶體和驅動 IC 通常是離散元件，使設計人員必須學習兩者間的協同作業以達到最佳性能，意法半導體 (ST) 推出全球首個單封裝整合矽基驅動晶片和 GaN 功率電晶體的解決方案；而恩智浦半導體 (NXP) 亦為 5G 射頻功率放大器 (PA) 於美國錢德勒啟用全新 6 吋 (150mm) 氮化鎵晶圓廠，針對氮化鎵技術進行深度最佳化，改善半導體中的電子陷阱 (electron trapping) 問題，藉由一流的線性度提供高效率和增益。

製程方面亦有所突破。派科森 (Picosun) 公司利用原子層沉積 (ALD) 薄膜塗層解決上述困境：將預清洗方法與高介電常數和大能隙絕緣子結合使用可降低介面陷阱密度。與此同時，為滿足寬能隙設備測試需求，量測大廠太克科技 (Tektronix) 推出新型參數測試系統，可為晶圓廠最大程度減少投資並最大化每小時的晶圓產出。寬能隙半導體也牽動變壓器產業的生態，為平面變壓器 (Planar Transformer) 帶來需求轉捩點。

延伸閱讀：
《SiC、GaN 初入成長期，創新方案輩出》
http://www.compotechasia.com/a/feature/2020/1112/46363.html

#微芯科技Microchip #AgileSwitch數位可程式設計閘極驅動器 #SP6LI #意法半導體ST #MasterGaN #恩智浦NXP #太克Tektronix #S530 #佩頓Payton

Tags: 場效電晶體量測寬能隙半導體WBG 碳化矽SiC 氮化鎵GaN 功率器件 5G通訊功率放大器PA 量子接面電晶體QJT USB 原子層沉積ALD 微芯科技Microchip AgileSwitch數位可程式設計閘極驅動器 SP6LI 意法半導體ST MasterGaN 恩智浦NXP 太克Tektronix S530 佩頓Payton

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2002年，憑藉獨特敏銳度察覺到電子業界需求，《COMPOTECHAsia電子與電腦》於中國大陸取得《COMPOTECHChina》月刊發行權，為初到海外發展及當地讀者出具最具前瞻性且中肯的觀察，具有相當影響力，也成為一流國際大廠競相展示研發心血的首選。 2006年，有鑑於網路環境日趨成熟，《COMPOTECHAsia電子與電腦》再度領先同業，首創線上視頻平台CTOV (COMPOTECH Online Video)。自此，成為整合紙本、網站、電子報及線上視頻的全方位媒體。 2016年，為貫徹市場應用及開發技術的連結並擴大群眾基礎，陸續展開 Facebook、Twitter、LinkedIn 等社群平台經營。「就市論勢、就勢論市」是我們的信念。我們將於每週一、三、五下午在 FB 分享生活中隨處可見的科普知識，以平易近人的方式，用不一樣的角度觀察市場趨勢和技術走向，並不定時穿插轉載網路精彩佳作或趣聞。記得設為「搶先看」哦！ “COMPOTECHAsia/ China” issue on 8th monthly. It is the dependent media which focuses on electronic industry situation, end user market, and technology trend. The monthly magazine has become the main channel to get professional information for engineers, purchaser, R&D employees and decision-making management. We perceived the demand of electronic industry and strive to get the distribution rights of “China Edition” in Mainland China in 2002. It gives a lot of prospective and proper observation for the overseas workers and local readers. Gradually, COMPOTECH is getting to be the powerful. Nowadays, COMPOTECH is the first-choice platform for the first-class firms to display their R&D results. Furthermore, in 2006, we were ahead of our competitors to build the CTOV platform (COMPOTECH Online Video) due to the mature internet environment. Since then, COMPOTECH has become the integrated media. For having a thorough knowledge of market applications and technology migration, as well as expanding the base of the masses, we begin to manage the Facebook, Twitter and LinkedIn etc. in 2016.

智能系統設計／應用工程師、產品／專案開發主管、元器件／零組件／準系統採購者的交流園地，於每週一、三、五下午分享【科技應用取向】的趨勢議題。

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By COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

2019-04-24 14:30:00 有 55 人按讚

#電源設計 #功率器件 #智慧功率模組IPM #寬能隙WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #閘門驅動器

【高壓、大動力系統，SiC 撐場】

當人們將 SiC 與 GaN 相提並論時，除了高效率、低損耗、小型化等共通優點外，就功率器件而言，現階段在應用取向仍有分野：SiC 多用於消耗大量二極體的功率因素校正 (PFC)、尤其是上千伏特 (V) 的高壓電源產品；而 GaN 多用於高功率密度 DC/DC 電源的高電子遷移率電晶體 (HEMT) 以及 600V 以上的 HEMT 混合串聯開關。

SiC 在相同尺寸下可帶來更高的電壓擊穿性能，在失效前可承受更高的溫度，即使在高溫或低電流下也能實現「低導通損耗」，使得 SiC 器件能耐受 200℃ 工作溫度，也可避免低負載或空載時的無謂浪費，因而成為太陽能和汽車的新勢力；SiC SBD 常用於太陽能，而 SiC MOSFET 則用於高功率電源、驅動電子開關、智慧工控和車輛電氣化等。

SiC 功率器件的較高 dV/dt 額定值也帶動「隔離」需求，意在更好地控制電磁干擾 (EMI) 標準。利用電容隔離技術大幅延長絕緣層 (insulation barrier) 的使用壽命、簡化設計並實現更高的系統可靠度，大幅節省能耗、監控高壓系統，並對過電流事件提供有效保護。值得留意的是，SiC 在 PFC、UPS、消費電子和電動汽車等 900V 以下低電壓產品正面對 GaN 的強悍搶市，轉攻 1200V 以上市場；為彌補成本並最大化利潤，供應商正努力提供系統級解決方案、而非單純組件。

高性能材料亦會導致印刷電路板 (PCB) 佈局變得更加困難，「虛擬原型」的佈局後分析是管理這一挑戰的理想選擇，但前提是須具備複雜的通用電磁場解算專業。為簡化開發工作，量測廠商將開關模式電源 (SMPS) 設計的效果予以「可視化」，讓工程師無需花費時間建構和測試原型。

延伸閱讀：
《碳化矽：損耗低、導熱佳，支撐 kV 等級的高壓應用》
http://compotechasia.com/a/feature/2019/0409/41525.html
(點擊內文標題即可閱讀全文)

#科銳Cree #Wolfspeed #羅姆半導體Rohm #英飛凌Infineon #意法半導體ST #通用電氣GE #富士電機FujitsuElectronics #電裝Denso #豐田汽車ToyotaMotor #豐田中央研究所CRDL #三菱Mitsubishi #松下Panasonic #住友電氣SumitomoElectric #日立Hitachi #世紀金光半導體CenturyGoldray #株洲中車時代電氣CRRCTimesElectric #中國國家電網SGCC #電子科技大學Uestc #瀚薪科技HestiaPower #亞德諾ADI #UnitedSiC #德州儀器TI #是德科技Keysight

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另一方面，如果電流測量的精確度不是最關鍵的(如20%-30%的能效即可接受)，那麼Rds(on)和DCR法都十分適用，即使是在對MOSFET或電感進行其他測試之前。訂閱 ...

#54. 電晶體- 優惠推薦- 2022年3月| Yahoo奇摩拍賣

晉茂五金 1664[晉茂五金] 永日牌三用電表(電晶體量測) DMM-93B 請先詢問價格和庫存$888,888直購 ... [已含稅]~本月特價~FQPF7N60 場效電晶體MOSFET.

#55. 博碩士論文107324016 詳細資訊 - 中大機構典藏

由 PH Pan 著作 · 2020 — 論文名稱, 利用抗原結合區段之抗體片段探針於矽奈米線場效電晶體來改善 ... 利用恆溫滴定微卡計量測蛋白質分子於溶液中之第二維里係數與自我聚集之 ...

#56. 用於測試離子感測場效電晶體（isfet）陣列之裝置及方法

本發明提供一種化學感測電晶體裝置(如離子感測場效電晶體裝置)之測試，其不需要將裝置暴露於液體中；在一實施例中，本發明係執行一第一測試以計算電晶體之電阻， ...

#57. 3.4 雙極性電晶體

)檔，並作0 @調整。 2. 測量NPN型電晶体時，將電晶体測試棒插於三用電表的N(-)插. 孔， ...

#58. 電晶體- 飛比價格- 優惠價格推薦- 2022年4月

電晶體是你要找的商品嗎？飛比有電晶體MOSFET、電晶體C1815、電晶體9012推薦，飛比為你即時比價，全台電商網購價格輕鬆找，一秒為你找便宜，快速比對商品價格， ...

#59. 第一章類比設計導論

MOSFET為一個四端元件，一般NMOS電晶體基 ... (a)連接二極體之NMOS和PMOS元件；(b)小信號等效電路。 ... 單端信號：相對於一個定電壓(通常為接地端)量測而得的.

#60. 第一節場效性電晶體互動教學之重要性與發展演進

常用的MOSFET 又分為空乏型(depletion)和增強型(enhancement)兩種。 (1)空乏型MOSFET 之工作原理. 以N 通道為例，圖2-20 為空乏型 ...

#61. 電晶體MOSFET, BJT, 二極體, 電阻, 電容, 電感測試儀 - 露天拍賣

需自備9V電池。簡單操作說明：. 將待測物的接腳任意插到儀器上的1,2,3引腳，儀器會自動識別類型，自動檢測引腳順序，圖形顯示，自動測量參數。

#62. 場效電晶體中N溝道和P溝道是怎麼區分的 - 第一問答網

把數字萬用表打到二極體檔，用兩表筆任意觸碰場效電晶體的三隻引腳，好的場效電晶體最終測量結果只有一次有讀數，並且在500左右。如果在最終測量結果中測 ...

#63. 場效應電晶體MOSFET檢測腳位/判斷好壞方法 - 360doc个人 ...

這是因為G-S結電容上會充有少量電荷，建立起VGS電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標誌的場 ...

#64. 如何不變更設計，快速降低MOSFET的導通阻抗RDS (on)

MOSFET在電子產品扮演「開關插座」的角色由來已久，來自於它具備高開關切換速度，低輸入阻抗與低功率耗損之特性，不僅可承受大電流、亦可提高電路轉換 ...

#65. 500V CoolMOS™ CE - 適合消費產品與照明應用的500V 超接 ...

換言之，500V CE 擁有與相對應的. 標準型MOSFET 相同甚至更好的運作，這是因為此SJ MOSFET 系列具備自限的dv/dt 運作。上述兩項測量和技術參數顯示，500V CE 可為硬式切換 ...

#66. 怎樣測量場效電晶體的好壞？ - 劇多

方法一將指標式萬用表撥至“RX1K”檔，並電調零。場效電晶體帶字的一面朝著自己，從左到右依次為：G（柵極），D（漏極），S（源極）。

#67. 怎麼區分場效電晶體與三極體 - 就問知識人

3.用萬能表檢測管子時，只能測量一個大概，並不準。絕緣柵型的還不允許用萬能表測，因為柵極耐壓低、輸入電阻極高，容易被引入的靜電擊穿。

#68. 採用增強型矽基氮化鎵功率場效應電晶體(eGaN® FET) - EPC Co

使用氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）. 與使用先進功率MOSFET是非常相似. 的。但是，由於氮化鎵元件具備明顯. 更高的性能，因此我們需要考慮額外. 的設計和測試因素， ...

#69. MOS測試原理解析

MOSFET的直流參數及測試目的 ... Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管. ... GS給電壓，DS端給電流ID，量測VDS 用VDS/ID. 得到Rdson.

#70. 以氧化鋅薄膜製作場效電晶體之研究

本研究以ZnO和Ag製作蕭特基場效電晶體(field effect transistor, FET)，第一階段的 ... 關鍵詞: 磁控射頻濺鍍、場效電晶體、氧化鋅薄膜、霍爾量測、電阻率、載子濃?

#71. 實驗11 Basic characteristics of MOSFET.pdf - Course Hero

實驗十一：MOSFET基本特性量測金屬氧化膜場效應電晶體(MOSFET)場效應電晶體(Field Effect Transistor，簡稱FET) 是目前使用非常廣泛的主動元件，增強型金屬氧化膜場 ...

#72. 電子學實習Ii實習手冊l8(教師用本) - SlideShare

場效電晶體（Field-Effect Transistor；簡稱FET ）是另一種類型的PN. ... 24 第8 章場效電晶體之特性實驗(a) 測量電壓. 第8 章場效電晶體之特性實驗25 ...

#73. 電晶體量測方法 - Ks Photo

一）固定偏壓電路量測1、量測電晶體的β=_____ 2、如下圖所示電路連接。 ... 三端點測量方法13 2.6.1 電晶體測試方法13 2.6.2 場效電晶體(FET) 量測14 2.6.3 光耦合晶體.

#74. 数字万用表测量检测场效应管MOS管好坏的方法！

没电的电池居然可以让万用表卡出这个特效，这是真的. 56播放· 0条评论. 07:04. 粉丝漏液腐蚀严重的福禄克15b复活记. 999播放· 19条评论.

#75. NHU Citation System.

+ 期刊篇名: A Powerful Electrical Probing Method to Detect the Kink Effect of MOSFET Devices=一種強有力的電子量測法以偵測場效電晶體元件的捲縮效應.

#76. 大功率IGBT/MOSFET動態測試系統 - Quatek

TRd系列是一款針對大功率IGBT/MOSFET/二極體器件和晶片的動態特性測試系統，覆蓋8000A/10000V以內的模快測試，短路電流高達14000A, 200度高溫平臺.

#77. 電晶體特性

為p-n-p 型電晶體(圖l ( b ) )，兩塊負型半導體和一塊正型 ... 實驗室中有幾個日式電表，有測電晶體β值的專用 ... 若所測的電晶體為「場效電晶體」它需要的集極掃.

#78. 請問這兩個是三極體還是場效電晶體啊

三極體和場效電晶體都可以用來做開關管，那麼他們的區別是什麼？ 2樓：我靠3太假了. 是三極體還是mos管，用萬用表量就可以。萬用表打到二極體檔，如果 ...

#79. 怎麼區分三極體和場效電晶體 - 好問答網

測試三極體要使用萬用電表的歐姆擋，並選擇r×100或r×1k擋位。假定我們並不知道被測三極體是npn型還是pnp型，也分不清各管腳是什麼電極。測試的第一步是 ...

#80. MOSFET-金屬氧化物半導體場效電晶體

G-S間所消耗的電荷量. • Qgd：滿足D-S呈現低阻抗Gate電壓爬升時，. G-D間所消耗的電荷量. • VSD：因為半導體N-P介面，MOS未導通時. S-D所形成的二極體導通電壓( VF ).

#81. 如何避免常見的量測誤差

使用高阻計(Electrometer). 2. 3. 4. 靜電感應. pH 值或離子選擇電極. 介電吸收. 場效電晶體閘極電壓. 霍爾效應. 如何避免常見的量測誤差.

#82. 明新科技大學校內專題研究計畫成果報告

對於短通道而言,Δ. 與L 相差不遠,所以導通元件所需的電荷會大幅降低,反之,對於長通道而言,. Δ遠小於L,所以電荷減少的量較少. 2.11.3 汲極引發的能障下降. 當短通道MOSFET ...

#83. 認識電晶體Datasheet 及電晶體代換 - QSL.net

電晶體 (Transistor) 一詞是好幾種放大元件的泛稱，包涵BJT, J-FET, MOSFET, IGBT 等等。而BJT (Bipolar Junction Transistor, 雙極電晶體) 是最早被發明 ...

#84. 場效電晶體檢測方法與經驗 - 範文筆記

把先用兩表筆測的源極s與漏極d之間的電阻值記下來，對調錶筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極d；紅 ...

#85. 實習三TTL 與CMOS 基本邏輯閘實驗實習四基本邏輯閘電氣 ...

它結合較小電晶體（MOSFET）結構的變革，創. 造了比AC或ACT 系列更小的功率損耗與更高的交換速度。 Page 55. 實習四基本邏輯閘電氣特性量測實驗. 1. 40 ...

#86. 單元十四:MOSFET特性

金屬氧化物半導體場效電晶體或金氧半場效電晶體( Metal Oxygen Semiconductor FET，MOSFET ) ... (4) 依表14-2增加VD值，並量測對應之ID值，將所得結果填入表14-2中。

#87. 電晶體基本知識：採用2N3904、2N3906 - DigiKey

要決定使用正或負電流(即分別為NPN 或PNP 型) 對電晶體開關施加偏壓或通電。 ... 跳脫傳統思維，利用矽和鍺薄片進行實驗，試著讓場效起作用。

#88. 指针式万用电表场效应电晶体MOSFET检测脚位 - 百度文库

若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。（2）用測電阻法判別場效應電晶體的好壞測電阻法是用萬用表測量場效應電 ...

#89. 你還不會測量場效電晶體的好壞嗎？ - M頭條

下面是對場效電晶體的測量方法場效電晶體英文縮寫為fet.可分為結型場效電晶體jfet和絕緣柵型場效電晶體mosfet,我們平常簡稱為mos管.

#90. 场效应管的测试- MOSFET - 深圳市杜因特半导体有限公司

场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻 ...

#91. 場效電晶體(FET)工作時靠(+)來控制其電流大小。 - 阿摩線上測驗

搜尋:場效電晶體(FET)工作時靠(+)來控制其電流大小。 ... ( 電表內部電池負極) ，黑測試棒接到N 孔( 電表內部電池正極) ，選擇開關轉至R × 1 kΩ 檔，量測電晶體的3 支接 ...

#92. MOSFET 暫態熱阻量測示範教學(上) - 易富迪科技 - Facebook

1. T3Ster 熱阻量測原理簡介2. MOSFET 常用的三種暫態熱阻量測模式3. MOSFET 元件架設教學4. MOSFET 暫態熱阻完整量測.

#93. 符合安規/提供保真度高速高電壓探測器設計有訣竅 - 新通訊

... 功率金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，對電源轉換設計師提出了挑戰。 ... 隔板，以及橡膠手套和護目用具等個人防護設備，也會干擾量測作業。

#94. P 型金氧半場效應電晶體整合高介電係數介電 - 中華大學

視為取代氧化矽作為場效電晶體的閘極氧化層的最佳材料，氧化鉿隨著該薄膜厚度的 ... 應用為閘極介電層的特性，將會量測元件參數，閘極漏電流、遷移率和電晶體特性，.

#95. npn電晶體量測電晶體的判別 - Guvxn

[教學]三用電錶用法與電子零件測試@ 輕描淡寫:: 痞客邦 · 投稿類別：工程技術類篇名: 電晶體β值測量器作者: 謝云偉。國立… · 電晶體 · Chapter 7: 場效電晶體(Field-Effect ...

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