工研院首推CES虛擬展示館 AI、機器人、數位醫療受關注
2021年01月11日 15:36
記者姚惠茹/台北報導
工研院今(11)日宣布,全數位化展出的CES 2021即將在美國時間1月11日登場,今年工研院因應疫情,首度以虛擬展示館參加CES 2021數位展,發表AI人工智慧、機器人、數位醫療等三大熱門技術主題,提供全新直覺式線上觀賞12項創新技術3D影像,吸引數十家國內外業者洽詢合作。
1.自學式電池管理系統技術
以獨創的AI演算法針對環境、電池劣化、駕駛行為等動態變化對電池資訊做即時校正,直到電池組汰役前均可準確電池劣化程度以及剩餘里程,更可幫助電池平衡等控制策略提升電池組的使用壽命、安全性與汰役再利用的價值。
2.類人雙臂機器人的仿生手掌
擁有仿生手掌抓取形狀不規則物件,拿書、名片、手機、或寶特瓶,連彈電子琴都可以,而且擁有兩隻七軸手臂,單臂總重15 kg、荷重比0.3、重現性0.02mm,動作靈活自由,提供類人作業能力,能從事多元工作。
3.UVC LED流動水殺菌模組
利用UVC紫外光具有殺菌的功能,透過特殊的機構設計,讓UVC紫外光對流過的水作殺菌,除菌率可達99.9%以上,模組並利用LED可高速開關特性,以水流動感應啟動,可省下約50%用電量,具啟動時間快、耗電量低、壽命長、無汞、尺寸小的特點。
4.心臟守護貼「全球第一台非侵入式守護心臟儀器」
可非侵入性測量肺動脈血流速、血液輸出量、心輸出量與心跳,評估人體血循環與心血管狀況,安全、快速、準確,還可以監測心房震顫並加以預防,具備微小化、高感度、低功耗的特色,可長時間監測收集心血管資料,讓醫護人員掌握健康狀況。
5.智慧感知照護衣
結合耐水洗導電紡織品與奈秒脈衝近場感測技術(NPNS),突破傳統智慧衣必須貼身量測的限制,以非接觸式微型低功率雷達即時感測心率、呼吸等生理數據,可應用在長者健康照護、醫療管理,減低醫護人力負擔。
6.iDarlingWeaR嬰幼兒智慧照護裝置
獲CES 2021 Innovation Awards,毋須接觸嬰幼兒身體或皮膚,將裝置穿戴在其身上,便可即時偵測並記錄嬰幼兒之心跳與呼吸,透過藍芽裝置,將蒐集到的嬰幼兒生理資訊,傳送到父母或照護者的行動裝置,隨時掌握嬰幼兒生理狀況,讓爸媽方便照顧嬰幼兒。
7.心照護穿戴裝置iCardioGuard
整合「複合式生理感測」及「心血管與心理狀態分析演算軟體」,透過直接量測胸口、經由心跳帶、運用電極貼片或結合智慧衣等方式量測,只需3秒鐘,就能即時偵測並紀錄心跳與呼吸;再透過藍芽裝置,將蒐集到的生理資訊,傳送到行動裝置,經由App即時了解身體狀態。
8.智能化手持超音波影像系統
全台第一台智能化手持超音波影像系統,包括重量350克、長度16公分,成功縮小超音波儀器,不需要任何線路就能操作,內建鋰電池,可連續使用1至1.5小時,並透過Wi-Fi可即時傳輸到手持裝置觀看,可依據情況搭配不同的超音波探頭,廣泛應用在內科、婦產科、復健科,弭平偏鄉醫療差距。
9.睡眠學習技術
WiFi Radar感測技術以非接觸的方式,運用低功率的電波偵測使用者的睡眠狀態與品質 ,當偵測人體進入深睡期後,透過設備播放白天學習資料,刺激大腦海馬迴將短期記憶轉化至大腦皮層成為長期記憶,可應用於睡眠呼吸中止狀態的偵測,可協助阿茲海默失智症早期診斷。
10.手持式光學同調斷層掃瞄儀 膚質檢測新利器
「手持式光學同調斷層掃瞄儀」是以非侵入式的「光學同調斷層掃描技術」,即時呈現皮膚組織的斷層結構影像,提供表皮與真皮層交界面皺褶程度、膠原蛋白密度、血管形態、毛囊狀況等膚質型態資訊,能夠看到皮下2毫米皮膚組織狀況,解密皮下膚質快又精準,為保養品功效提供科學實證。
11.腰椎X光片智慧量測技術
運用「深度學習」和「影像處理演算法」定位出X光影像中各節脊椎的位置,透過各定位點精算出腰椎節X光影像關鍵參數,包括腰椎前突角(lumbar lordosis, LL)、骨盆入射角(pelvic incidence, PI)等五十二個維度之量測物理量,及各椎節滑脫之異常偵測。
12.糖尿病視網膜病變AI診斷輔助分析系統
目前唯一可偵測四種主要的視網膜病徵,並清楚標示位置的AI判讀技術,可有效輔助醫師針對病變嚴重程度的判讀,結合醫師專業知識與人工智慧分析的人腦與AI雙腦協作,更有效率協助非眼科醫師進行糖尿病眼底影像的細微病變判讀,提供糖尿病視網膜病變五個級別的分類模型。
附圖:▲工研院智能化手持超音波影像系統 睡眠學習技術 自學式電池管理系統技術 類人雙臂機器人。(圖/工研院提供)
▲工研院自學式電池管理系統技術。(圖/工研院提供)
▲工研院智能化手持超音波影像系統 睡眠學習技術 自學式電池管理系統技術 類人雙臂機器人。(圖/工研院提供)
▲工研院智能化手持超音波影像系統。(圖/工研院提供)
▲工研院睡眠學習技術。(圖/工研院提供)
資料來源:https://finance.ettoday.net/amp/amp_news.php?news_id=1896175&from=m.facebook.com&fbclid=IwAR3aiI_5KpctoXYjTJtC-AQ30s7eukvA-KZexe_vHusnqDiq1aDSgfCft2U
導電度計校正 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳貼文
#電源設計 #氮化鎵GaN #寬能隙半導體 #可編程邏輯閘陣列FPGA #功率因數校正PFC
【GaN 是如何提升電力效率和密度的?】
如何提高電力效率和密度的解決辦法是目前業界的當務之急之一。效率的提升不僅有利於節省電力和冷卻等主要運作成本,還能幫助營運商增加機架密度和可用的運算空間,並以更具成本效益的方式滿足日益增長的需求。氮化鎵 (GaN) 寬能隙裝置的出現成就了新一代的功率轉換設計;這些設計是以前仰賴矽金屬氧化物半導體場效應電晶體 (MOSFET) 所不可能實現的。這些設計使系統能達到前所未有的高功率密度和效率。
基於 GaN 的解決方案可以從交流電源到各個負載點 (POL) 被含納至整個資料中心的電源供應當中。GaN 還實現了諸如高壓直流分配系統的新架構。電力公司需要透過功率因數校正 (PFC) 階段來將電網效率進行最佳化。PFC 的功能如同升壓轉換器,其通常提供 380V 的直流輸出電壓。該電壓需要進一步被降低,以便為系統提供直流匯流排電源。各種拓撲結構在這一階段被採用,但「電感—電感—電容器」(LLC) 和相移全橋通常用於產生 12V 或 48V 的匯流排電壓。
該匯流排電壓通過整個系統佈線,並進行多個轉換步驟,為處理器、可編程邏輯閘陣列 (FPGA)、記憶體和儲存系統之類的各種 POL 供電。基於 GaN 的解決方案從交流電到處理器根本性地改變了整個電力系統的架構和密度。
★PFC:透過圖騰柱拓撲的啟用,像是整合式的 GaN 裝置能將有功功率開關和濾波電感器的數量減少 50%。相較於今天鈦級電源 96% 的效率,開關頻率——連續導通模式 (CCM) 或臨界導電模式 (CRM) 操作,在將整體效率提高到 99% 以上的同時,能顯著減小磁性材料的尺寸。
★LLC:DC/DC 階段利用 GaN 優越的開關特性將諧振轉換器推送到 1 MHz 以上。高頻在提高功率密度和效率的同時,降低了磁性。較小的形狀係數使得新興的高壓配電系統能夠在 380V 至 48V 轉換器的資料中心內得以被使用。
★POL DC/DC:GaN 對這些轉換器有著重大影響。首先,它可從 48V 起進行單步轉換,直接為處理器、記憶體和其他負載供電,在版上配置減少 75% 的同時,從而將在珍貴的印刷電路板 (PCB) 基板面上的零組件數量減少達 50%。其次,使用半橋電流雙拓撲結構使設計人員能夠輕鬆地堆疊功率級,以滿足不同的負載需求,並與負載緊密配合,實現最佳的瞬態效能。
如今,GaN 已不再被視為是一種未來技術。GaN 已開始幫助設計人員實現過去曾遙不可及的目標:設計出更小、開關速度更快、散熱效能更佳的創新電源系統。
延伸閱讀:
《透過 GaN 重新計算密度》
http://compotechasia.com/a/ji___yong/2017/0714/36021.html
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#圖騰柱TotemPole #總諧波失真THD #過流保護OCP
【GaN 功率元件強勢降臨】
被稱為第三代半導體材料的「氮化鎵」(GaN) 新興工藝技術,用於功率因數校正 (PFC)、軟式切換 DC-DC 等電源系統設計,以及電源轉接器、太陽能逆變器、伺服器和通訊電源等各種終端應用,可實現矽元件難以達到的高電源轉換效率和功率密度水準,為交換式電源供應器和其他在能效及功率密度至關重要的應用,帶來性能的飛躍。GaN 具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度,能負載的工作溫度也更高。
GaN 提供高電子遷移率,意味著切換過程的反向恢復時間可忽略不計,故擁有低損耗、高切換頻率優點。前者加上寬頻元件的高結溫特性,可降低散熱量;後者則可減少濾波器和無源元件的使用 (如:變壓器、電容、電感等),進而減少系統尺寸和重量、提升功率密度,有助設計人員實現緊湊的高能效電源方案。同為寬頻元件,GaN 比 SiC 成本更低、更易於商業化,具備廣泛採用的潛力,包括:工業、電腦、通訊、LED照明及網路領域的各種高壓應用。
採用單排直插 TO-220 封裝,更易於根據客戶現有製板能力進行整合。基於同一導通電阻等級,與高壓矽 MOSFET 相較,第一代 600 V 矽基 GaN (GaN-on-Si) 元件即可提供 4 倍以上的閘極電荷、更優的輸出電荷、同級輸出電容和 20 倍以上的反向恢復電荷,未來技術水準將持續演進。Cascode 相當於由 GaN HEMT 和低壓 MOSFET 組成:GaN HEMT 可承受高電壓,過電壓能力達到 750 V,並提供低導通電阻;低壓 MOSFET 則提供低閘極驅動和低反向恢復。
HEMT 是高電子遷移率電晶體的英文縮寫,通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。使用 600 V GaN Cascode 的三大好處是:
★具有卓越的自體二極體特性:串接建立在低壓矽技術上,且反向恢復特別低;
★容易驅動:設計人員可使用像普通 MOSFET 一樣的傳統閘極驅動器,採用電壓驅動,且驅動由低壓矽 MOSFET 的閾值電壓和閘極電荷決定;
★高可靠性:透過長期應用級測試,且符合 JEDEC 行業標準——零個擊穿、最終的漏電流和導通電阻皆低於規格門檻。
在連續導電模式 (CCM) 升壓 PFC 拓墣中,在 200 KHz 和 120 Vac 輸入的條件下,Cascode GaN 較超結合Si (SJ Si) 提升近 1% 的效率;隨著頻率升高,GaN 的優勢將更明顯。採用 GaN還可實現「圖騰柱」(Totem Pole) 電路,較傳統 CCM 升壓 PFC 提供更高能效。高能效的電源轉換有利於軟切換電路拓墣結構回收能量,如:相移全橋、半橋或全橋 LLC、同步升壓等。受惠技術發展和市場成長,有望降低 GaN 的採用成本。
延伸閱讀:
《安森美半導體推進更快、更智慧和更高能效的GaN電晶體》
http://compotechasia.com/a/ji___yong/2016/0428/31784.html
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圖檔取材:pixabay.com
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