#電源設計 #電壓基準 #能隙參考電壓 #帶差電壓參考電路 #低壓差線性穩壓器LDO
【能隙參考電壓 vs. 埋藏式齊納二極體基準】
在混合訊號電路中，欲實現較高性能就需要更好的電壓基準 (電壓參考)；然而，以往最高性能的基準是不適合的，因為它們通常是極少額外特點的簡單產品。在所有電壓基準類型中，能隙參考電壓 (Bandgap Voltage Reference，又稱「帶差電壓參考電路」) 因結合了性能和特性優勢，一直是最佳選項。能隙參考電壓的架構可實現具有眾多優勢的基準設計，包括：低壓降、寬溫度範圍、低功耗、小尺寸、寬運行範圍和寬負荷電流能力。
這些特性，促生大量低壓差線性穩壓器 (LDO) 以及精準電壓基準。不過，與埋藏式齊納二極體 (Buried Zener) 基準相比，能隙參考電壓性能未必最佳；但隨著高性能基準的發展與製程技術的改進，它們具有低壓差、寬電源範圍、卓越的電壓和負載調節、高輸出電流、低雜訊和低漂移能力，並擁有自我保護功能，例如：電流和熱限制，以及諸如反向電源保護此類的故障保護。由於能隙參考電壓性能的提高，其穩定性和低雜訊表現都超過了齊納基準，也保障靈活性。
演示視頻：
《Linear－－電壓基準：性能和特點》
http://www.compotechasia.com/a/CTOV/2017/0409/35107.html
#亞德諾ADI #凌力爾特Linear #LT6654 #LTC6655
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帶差電壓參考電路 在 Re: [問題]幾種不同的bandgap voltage電路- 看板Electronics 的推薦與評價
你順序弄反了。
概念是由第三種 -- > 第一種 --> 第二種
第三種得很簡單直覺，問題在於 Q3 與 Q2.Q1 之間、以及 M3.M4 之間的 mismatch 將會
決定性的影響你的 bandgap voltage reference circuit 的 performance
再者，他多了 M5 這個電流路徑，多一個路徑就多一條電流就加了一個功耗上去
這個電路是建立基礎概念的電路
再來是第一種，因為它使用了 OP ，所以只要你的 OP Gain 夠大，又是負回授架構，
可以降低 OP 的兩端 input 之間的 offset ，讓 I1.I2 的電流之間的 mismatch 變小
讓 bandgap 的 performance 更好。
但是它有個嚴重的問題，那就是他的 OP 輸出級直接接到電阻性負載。
一般而言，你的 OP 為了追求 high gain ，你的輸出阻抗會很大，再接到一個電阻性的
輸出負載，會導致你的 gain 大幅下降。
第二種是第一種的改良，OP 輸出看到 MOS 的 Gate，無限大(實際上也是數百 Mega 的數
量級)的輸出阻抗可以有效的讓 OP Gain 維持在高增益，降低 Q2.Q4 之間的 mismatch。
所以真實的 Bandgap 電路中 OP 輸出接法大多都是第二種這種架構。
但是第二種仍然不好用，因為太多條電流路徑。
實務上，Bandgap 電路的架構會是第二種拿掉 M3.M4 這兩條路徑，然後在 X點跟 M1
的汲極之間再加上一串電阻，對功耗更要求的會把 M1.M2 再合併為一個 MOS。
※ 引述《woko (孤.獨.一.痕)》之銘言：
: 最近在研究bandgap voltage的電路設計,
: 主要是以Razavi那本書為主(Ch.11),
: 目前發現Razavi大師好像提到了以下幾種結構
: 第1種 : 用OP鎖電壓輸出
: https://ppt.cc/~WjB
: 第2種 : 用OP鎖電壓再加CS當buffer輸出
: https://ppt.cc/gkEu
: 第3種 : 用PTAT電流
: https://ppt.cc/7KKJ
: 小魯不才,
: 讀完這個章節沒有能心領神會,
: 想請問有沒有人比較過這三種電路架構特性跟應用場合呢?
: 感激不盡~
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思念，就是從記憶深處傳來的熟悉香味
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