【工業物聯網的“破圈”之道!】
📣今天 上午10:00 準備開播啦!
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工業物聯網正成為推動製造業高品質發展的一大助力,但工業是一個既龐雜又碎片化的行業,產品和方案要如何更廣泛的適配不同行業需求🛒呢?工業智慧又要如何從單點智慧快速躍遷到全域智能?本次 #線上研討會 將邀請到多家廠商一起探討相關問題的解決之道!💥
本次演講涵蓋 國民技術 將分享在工業智慧與安全互聯方向的市場策略及成功案例、 德州儀器 TI 將分享 TSN 技術及 #工業機器人 設計,最後 是德科技 將為大家剖析工業物聯網 #測試 面臨的各種挑戰!
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演講日期:2021年7月23日 (五)
演講時間:10:00 a.m. - 12:00 p.m.
演講嘉賓:
✨國民技術 方案開發部執行總監 趙永剛
✨德州儀器半導體 華西北區技術支援經理 付楊
✨是德科技 中國區IoT行業市場經理 耿如才
✨ASPENCORE 中國區首席分析師 邵樂峰
抽獎好禮:7-11 禮券與LINE POINTS!
德州儀器遷廠 在 財經新報 Facebook 的最佳解答
德州因暴風雪大停電,讓全球晶片更加緊缺。
馬斯克不久前才將工廠遷至德州,對此狀況也發文砲轟。
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#電源設計 #功率器件 #智慧功率模組IPM #寬能隙WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #閘門驅動器
【高壓、大動力系統,SiC 撐場】
當人們將 SiC 與 GaN 相提並論時,除了高效率、低損耗、小型化等共通優點外,就功率器件而言,現階段在應用取向仍有分野:SiC 多用於消耗大量二極體的功率因素校正 (PFC)、尤其是上千伏特 (V) 的高壓電源產品;而 GaN 多用於高功率密度 DC/DC 電源的高電子遷移率電晶體 (HEMT) 以及 600V 以上的 HEMT 混合串聯開關。
SiC 在相同尺寸下可帶來更高的電壓擊穿性能,在失效前可承受更高的溫度,即使在高溫或低電流下也能實現「低導通損耗」,使得 SiC 器件能耐受 200℃ 工作溫度,也可避免低負載或空載時的無謂浪費,因而成為太陽能和汽車的新勢力;SiC SBD 常用於太陽能,而 SiC MOSFET 則用於高功率電源、驅動電子開關、智慧工控和車輛電氣化等。
SiC 功率器件的較高 dV/dt 額定值也帶動「隔離」需求,意在更好地控制電磁干擾 (EMI) 標準。利用電容隔離技術大幅延長絕緣層 (insulation barrier) 的使用壽命、簡化設計並實現更高的系統可靠度,大幅節省能耗、監控高壓系統,並對過電流事件提供有效保護。值得留意的是,SiC 在 PFC、UPS、消費電子和電動汽車等 900V 以下低電壓產品正面對 GaN 的強悍搶市,轉攻 1200V 以上市場;為彌補成本並最大化利潤,供應商正努力提供系統級解決方案、而非單純組件。
高性能材料亦會導致印刷電路板 (PCB) 佈局變得更加困難,「虛擬原型」的佈局後分析是管理這一挑戰的理想選擇,但前提是須具備複雜的通用電磁場解算專業。為簡化開發工作,量測廠商將開關模式電源 (SMPS) 設計的效果予以「可視化」,讓工程師無需花費時間建構和測試原型。
延伸閱讀:
《碳化矽:損耗低、導熱佳,支撐 kV 等級的高壓應用》
http://compotechasia.com/a/feature/2019/0409/41525.html
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