羅崴詩 九排式兩用電熱造型梳
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輕巧設計方便攜帶,輕鬆梳理糾纏打結的頭髮,
梳直、內彎兩用造型,十足安心又方便
一、特點
加熱時間快速。 輕鬆梳理造型,亂髮立即柔順有型。
使用過程輕鬆容易,適合任何長度頭髮。
360旋轉尾電源線,方便使用。
二、外觀與各部位名稱
1.兩段式控溫及開關
(1) Ⅰ檔約3分鐘,溫度約180℃
(2) Ⅱ檔約5分鐘,溫度約200℃
2.360度防纏繞尾線
3.防燙隔熱前端
4.金屬底板,導熱快速
5.背面排梳設計,梳理更立體
6.指示燈
三、使用方法
建議請於乾髮時使用本產品。
1. 接通電源插頭在額定電壓電源上。
2. 將開關撥至溫度檔(開檔),指示燈亮起產品開始加熱,約3分鐘後即可開始使用。
3. 可根據髮質情況,選擇適合的溫度進行造型操作選用Ⅱ檔溫度。
4. 加熱造型前,先將頭髮進行梳理,切勿在產品長時間加熱時進行梳理,以免燙傷。
5. 加熱造型時,從臉部及頭部的外側,頭髮的裡側向進行捲髮造型。定型時間可因髮質不同而定,建議不超過5秒。
6. 長時間加熱後,手柄靠近梳子加熱位置會變的燙手建議手持手柄時不要超過開關位置。
7. 使用完畢後,將開關撥回關閉檔(關檔),拔出電源插頭,待產品完全降溫冷卻後在進行收存。
四、注意事項
當使用電器時,應小心遵守以下 安全指示,
使用前請細讀使用說明:
01. 請小心包裝或產品上使用的膠袋,請擺放在遠離兒童的位置。
02. 請不要在嬰兒床、睡床、嬰兒車或兒童玩耍區內使用,因為膠袋的薄層有可能會堵住鼻子及口腔,阻礙呼吸。此膠袋不是玩具,敬請注意。
03. 當電器在浴室使用後,應立即拔除插頭,因為電器接近水會導致危險,即使開關已關掉。為提供額外的安全性保護,建議在浴室電源的電路中安置不超過30毫安培(mA)的漏電斷路器 (RCD);如有疑問,請向負責安裝的電氣工程師諮詢。
04. 切勿把電器放入或掉進水或其他液體中。
05. 如果電源線損壞,為了避免危險,必須由製造商、其維修部或 類似部門的專業人員更換。
06. 若電器曾跌落地或有任何不妥,請馬上停止使用。
07. 切勿將已接上電源或開啟的電器置之不理。
08. 如若在使用中有任何不妥 ,請馬上拔除插頭。
09. 請不要使用非本產品提供的任何配件。
10.每次使用完後或清潔前請先拔除插頭。
11.切勿將電器發熱的部份碰到身體,尤其是眼睛、耳朵、臉部 和頸部。
12.在無成人監管的情況下,不建議兒童或殘疾人士獨自使用此電 器。禁止兒童把此電器當作玩具把玩。
13.待電器冷卻之後才可以收藏。
14.為避免損壞電源線,收藏時切勿將電源線纏繞在電器上並確保其不被拉扯 、扭曲或屈折。否則容易損壞接入機身的可轉動部 位,導致電源線破裂或短路。
15.請經常檢查電源軟線有否破損,如發現破損、停止或間歇性停止操作,請立即停用。
16.將產品插頭插入合適的插座,再開機。開機後指示燈會亮起。
17.切勿將本產品放在會導熱的檯面上。
18.本產品有任何問題,請送到指定維修點檢修,切勿自行修理。 五、收存方式
不使用時,請拔除電源,將其收存於安全、乾燥、兒童接觸不到的地方。切勿以拉扯電源線的方式拔出插頭;要確保電源線的接入機身部分垂直,其餘部分自然放置即可。
六、商品規格
商品尺寸: 28.5X6.9X5.1cm (長X寬X高)
溫控調校:Ⅰ檔溫度約180℃,Ⅱ檔溫度約200℃
額定電壓:110-220V
額定頻率:60Hz
額定功率:37W
產品重量:354g
顏色:白色
產地:中國
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1. 使用本產品前,請詳閱說明書。
2. 烘鞋器加熱部位溫度恆溫於65℃±5%,請勿長時間接觸機身外殼,並請務必
在斷電後靜置五分鐘,再將產品從鞋裡取出,以免誤觸高溫造成皮膚不適。
3. 使用產品時,請將鞋子放置於通風空間並保持鞋口正常空氣流通,勿將鞋口堵塞或以物品覆蓋鞋子,避免鞋子內部因不通風而產生異常的溫度造成危險。
4. 一般常用鞋款均可使用,特殊材質鞋款請先測試斟酌使用,以免造成損壞。
5. 本產品無防水功能,請勿沖洗浸泡,以免導致機體故障,影響使用安全。
6. 請勿將本產品直接使用於尚有大量滴水的鞋子中,以防止水滴入產品機身而造成短路故障或產生危險。
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【台積電佈局新存儲技術】
近年來,在人工智能(AI)、5G等推動下,以MRAM(磁阻式隨機存取存儲器)、鐵電隨機存取存儲器 (FRAM)、相變隨機存取存儲器(PRAM),以及可變電阻式隨機存取存儲器(RRAM)為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入,最具代表性的廠商包括台積電、英特爾、三星和格羅方德(Globalfoundries)。
那麼,這些新興存儲技術為什麼會如此受期待呢?主要原因在於:隨着半導體制造技術持續朝更小的技術節點邁進,傳統的DRAM和NAND Flash面臨越來越嚴峻的微縮挑戰,DRAM已接近微縮極限,而NAND Flash則朝3D方向轉型。
此外,傳統存儲技術在高速運算上也遭遇阻礙,處理器與存儲器之間的「牆」成為了提升運算速度和效率的最大障礙。特別是AI的發展,數據需求量暴增,「牆」的負面效應愈加突出,越來越多的半導體廠商正在加大對新興存儲技術的研發和投資力度,尋求成本更佳、速度更快、效能更好的存儲方案。
從目前來看,最受期待的就是MRAM,各大廠商在它上面投入的力度也最大。MRAM屬於非易失性存儲技術,是利用具有高敏感度的磁電阻材料製造的存儲器,斷電時,MRAM儲存的數據不會丟失,且耗能較低,讀寫速度快,可媲美SRAM,比Flash速度快百倍,在存儲容量方面能替代DRAM,且數據保存時間長,適合高性能應用。
MRAM的基本結構是磁性隧道結,研發難度高,目前主要分為兩大類:傳統MRAM和STT-MRAM,前者以磁場驅動,後者則採用自旋極化電流驅動。
另外,相較於DRAM、SRAM和NAND Flash等技術面臨的微縮困境,MRAM可滿足製程進一步微縮需求。目前,DRAM製程工藝節點為1X nm,已接近極限,而Flash走到20 nm以下後,就朝3D製程轉型了。MRAM製程則可推進至10nm以下。
在過去幾年裏,包括台積電、英特爾、三星、格羅方德等晶圓代工廠和IDM,相繼大力投入MRAM 研發,而且主要着眼於STT-MRAM,也有越來越多的嵌入式解決方案誕生,用以取代Flash、EEPROM和SRAM。
- 台積電
早在2002年,台積電就與工研院簽訂了MRAM合作發展計劃。近些年,該公司一直在開發22nm製程的嵌入式STT-MRAM,採用超低漏電CMOS技術。
2018年,台積電進行了eMRAM芯片的「風險生產」,2019年生產採用22nm製程的eReRAM芯片。
2019年,台積電在嵌入式非易失性存儲器技術領域達成數項重要的里程碑:在40nm製程方面,該公司已成功量產Split-Gate(NOR)技術,支持消費類電子產品應用,如物聯網、智慧卡和MCU,以及各種車用電子產品。在28nm製程方面,該公司的嵌入式快閃存儲器支持高能效移動計算和低漏電製程平台。
在ISSCC 2020上,台積電發佈了基於ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT-MRAM。該技術基於台積電的22nm ULL(Ultra-Low-Leakage)CMOS工藝,具有10ns的極高讀取速度,讀取功率為0.8mA/MHz/bit。對於32Mb數據,它具有100K個循環的寫入耐久性,對於1Mb數據,具有1M個循環的耐久性。
它支持在260°C下進行90s的IR迴流焊,在150°C下10年的數據保存能力。它以1T1R架構實現單元面積僅為0.046平方微米,25°C下的32Mb陣列的漏電流僅為55mA。
目前,台積電已經完成22nm嵌入式STT-MRAM技術驗證,進入量產階段。在此基礎上,該公司還在推進16 nm 製程的STT-MRAM研發工作。
除了MRAM,台積電也在進行着ReRAM的研發工作,並發表過多篇基於金屬氧化物結構的ReRAM論文。
工研院電光所所長吳志毅表示,由於新興存儲技術將需要整合邏輯製程技術,因此現有存儲器廠商要卡位進入新市場,門檻相對較高,而台積電在這方面具有先天優勢,因為該公司擁有很強的邏輯製程生產能力,因此,台積電跨入新興存儲市場會具有競爭優勢。
據悉,工研院在新興存儲技術領域研發投入已超過10年,通過元件創新、材料突破、電路優化等方式,開發出了更快、更耐久、更穩定、更低功耗的新一代存儲技術,目前,正在與台積電在這方面進行合作。未來,台積電在新興存儲器發展方面,工研院將會有所貢獻,但具體內容並未透露。
- 三星
三星在MRAM研發方面算是起步較早的廠商,2002年就開始了這項工作,並於2005年開始進行STT-MRAM的研發,之後不斷演進,到了2014年,生產出了8Mb的eMRAM。
三星Foundry業務部門的發展路徑主要分為兩條,從28nm節點開始,一條是按照摩爾定律繼續向下發展,不斷提升FinFET的工藝節點,從14nm到目前的7nm,進而轉向下一步的5nm。
另一條線路就是FD-SOI工藝,該公司還利用其在存儲器製造方面的技術和規模優勢,着力打造eMRAM,以滿足未來市場的需求。這方面主要採用28nm製程。
三星28nm製程FD-SOI(28FDS)嵌入式NVM分兩個階段。第一個是2017年底之前的電子貨幣風險生產,第二個是2018年底之前的eMRAM風險生產。並同時提供eFlash和eMRAM(STT-MRAM)選項。
該公司於2017年研製出了業界第一款採用28FDS工藝的eMRAM測試芯片。
2018年,三星開始在28nm平台上批量生產eMRAM。2019年3月,該公司推出首款商用eMRAM產品。據悉,eMRAM模塊可以通過添加三個額外的掩膜集成到芯片製造工藝的後端,因此,該模塊不必要依賴於所使用的前端製造技術,允許插入使用bulk、FinFET或FD-SOI製造工藝生產的芯片中。
三星表示,由於其eMRAM在寫入數據之前不需要擦除週期,因此,它比eFlash快1000倍。與eFlash相比,它還使用了較低的電壓,因此在寫入過程中的功耗極低。
2018年,Arm發佈了基於三星28FDS工藝技術的eMRAM編譯器IP,包括一個支持18FDS (18nm FD-SOI工藝)的eMRAM編譯器。這一平台有助於推動在5G、AI、汽車、物聯網和其它細分市場的功耗敏感應用領域的前沿設計發展。
2019年,三星發佈了採用28FDS工藝技術的1Gb嵌入STT-MRAM。基於高度可靠的eMRAM技術,在滿足令人滿意的讀取,寫入功能和10年保存時間的情況下,可以實現90%以上的良率。並且具備高達1E10週期的耐久性,這些對於擴展eMRAM應用有很大幫助。
2019年底,Mentor宣佈將為基於Arm的eMRAM編譯器IP提供IC測試解決方案,該方案基於三星的28FDS工藝技術。據悉,該測試方案利用了Mentor的Tessent Memory BIST,為SRAM和eMRAM提供了一套統一的存儲器測試和修復IP。
- Globalfoundries(格羅方德半導體股份有限公司)
2017年,時任Globalfoundries首席技術官的Gary Patton稱,Globalfoundries已經在其22FDX(22nm製程的FD-SOI工藝技術)製程中提供了MRAM,同時也在研究另一種存儲技術。
由於Globalfoundries重點發展FD-SOI技術,特別是22nm製程的FD-SOI,已經很成熟,所以該公司的新興存儲技術,特別是MRAM,都是基於具有低功耗特性的FD-SOI技術展開的。
今年年初,Globalfoundries宣佈基於22nm FD-SOI 平台的eMRAM投入生產。該eMRAM技術平台可以實現將數據保持在-40°C至+125°C的温度範圍內,壽命週期可以達到100,000,可以將數據保留10年。該公司表示,正在與多個客户合作,計劃在2020年安排多次流片。
據悉,該公司的eMRAM旨在替代NOR閃存,可以定期通過更新或日誌記錄進行重寫。由於是基於磁阻原理,在寫入所需數據之前不需要擦除週期,大大提高了寫入速度,宏容量從4-48Mb不等。
- 英特爾
英特爾也是MRAM技術的主要推動者,該公司採用的是基於FinFET技術的22 nm製程。
2018年底,英特爾首次公開介紹了其MRAM的研究成果,推出了一款基於22nm FinFET製程的STT-MRAM,當時,該公司稱,這是首款基於FinFET的MRAM產品,並表示已經具備該技術產品的量產能力。
結語
由於市場需求愈加凸顯,且有各大晶圓廠大力投入支持,加快了以MRAM為代表的新興存儲技術的商業化進程。未來幾年,雖然DRAM和NAND Flash將繼續站穩存儲芯片市場主導地位,但隨着各家半導體大廠相繼投入發展,新興存儲器的成本將逐步下降,可進一步提升 MRAM等技術的市場普及率。
原文:
https://mp.weixin.qq.com/s/sMZ0JwclWf1zAEPkW8Rn0Q
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漏電斷路器
最常安裝於 浴室插座 或 電熱水器 或 浴廁小便斗
等等有水源及電源交會處
是用於偵測電器對大地之漏電 用電容量保護次之
通常這個開關跳電 都是漏電居多
除錯方式
1.請將同層 或是斷電的電器插頭 (浴室插座 除霧鏡 免治馬桶座墊)
房間 燈源 插座 電器 全部切於關閉 或是拔除
2.試將斷路器 開回啟動位置 看看是否跳脫
3.確認均無電器使用 或 開關插座使用 (仍然跳脫)
判定為線路漏電 請專業水電人員來查修
4.無電器使用 可將漏電斷路器開於on的位置 並可測試按使其跳脫
漏電斷路器正常 (可執行第5項)
5.一樣一樣電器 電燈開啟 試試是否跳脫
若開啟某樣電器 或是電燈時 開關跳脫 則其電器有漏電危險
請勿使用 或請專業電器人員查修
6.用電請小心 ︿︿
※ 引述《PttYes (PttYes)》之銘言:
: ﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉﹉
: 1.問題類型(a.規劃 b.修繕 c.知識 d.技術支援 e.其他) : ()←請填入
: b
: 2.問題描述(請詳述問題在哪):
: 租屋處四間雅房合住,住了四五年了沒遇過跳電的狀況,
: 但前幾天,剛入住不久的那間房間及洗手間突然沒電了,
: 試著打開電箱將全部電源開關逐一關掉再重開,成功
: 昨晚他那間房又突然沒電了,我就重做上回步驟,結果無效
: 發現有一個漏電斷路器跳至OFF,扳至ON無法定住又彈回OFF
: 請問這是怎麼回事,有辦法自行解決嗎?
: 今天一早再試,已可扳至ON,所以他那間又來電了
: 這到底怎麼回事呢?他那間用電過多嗎?
: 新室友說他房間只用電腦而已?
: 或者是真有漏電了呢?
: 可是目前屋子裏插的電器仍跟跳電前一樣了,
: 如果依然有漏電,它不是又該跳回OFF才對嗎?
: 3.問題存在時間:
: 三天前曾發生,這次第二次
: 4.照片連結:
: https://i760.photobucket.com/albums/xx246/pttrentya/e.jpg
: 現在在ON,但那房無電時是跳至OFF,扳到ON就跳回OFF
: 5.其他 :
: 謝謝
: ※ 編輯: PttYes 來自: 219.85.243.201 (01/22 09:44)
: 推 Aixtron:會不會中間有短路 電流過大 最好找專業的看一下 01/22 11:55
: → Aixtron:要不然去買一顆士林的NFB一百多換換看 不過漏電就白買了 01/22 11:55
: 推 saram:壞了. 換一個漏電保護器. 01/22 18:45
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https://www.wretch.cc/album/hsia1800
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.64.113.9
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