【西安電廠爆炸對於2016年第三季Nand Flash供需狀況或將造成預期性的心理影響】
根據中國媒體報導，2016年6月18日凌晨位於西安市南郊一處的變電站疑似因故障而引起爆炸起火，所幸無人受傷。由於該變電站供應附近多處半導體廠用電，使得設置於該區的Samsung、力成等半導體廠分別都受到不同程度的影響，TRI初步對西安電廠爆炸對半導體廠的影響分析結論如下。
TRI觀點：
1. 爆炸造成停電數秒，對Fab廠的產品交期與損失影響不大
晶片製造是一種不可中斷的製造流程，因此只要發生斷水斷電，甚至只是電壓壓降不穩，皆可能會對Fab廠產生影響，此次爆炸造成Fab廠出現電源閃斷數秒的狀況，依Fab廠正常流程。
(1)斷電發生後廠務工程人員需優先確認Fab內部沒有出現氣體外洩等會造成危害人員的情形，確保廠內安全無虞。
(2)設備工程人員進入Fab確認機台實際狀況，狀況正常的設備則通知製程工程師進行晶圓製程確認，而設備狀態異常的設備則由設備工程師繼續處理。
(3)機台狀況異常排除後製程工程師才進行晶圓的製程確認，製程正常的晶圓予以放行繼續接下來的製程，異常的晶圓視情況予以報廢。
而停電一般最常出現的損失有以下幾種。
(1)供電異常造成機械手臂無法吸附住晶圓造成晶片破片產生損失。
(2)晶片因製程中斷且無法人為補救造成損失。
(3)因製程超過時效性(Q-time)使得該晶圓良率不佳。
其中狀況(1)、(2)通常損失的僅為單一片晶圓影響程度較小，狀況(3)則整批25片的晶圓皆報廢損失較大，但該狀況僅可能發生在少數製程。
據了解爆炸發生後設備人員被緊急召回工廠，廠內並無嚴重災害發生，僅為一般停電處理流程，估計半天之內即可全線復活。事後在工程師搶修設備，並快速進行線上晶圓損害清查後，在2016年6月18日部分產能已恢復生產，而現階段Samsung西安廠投產規模達到每個月10萬片，全數為先進的3D-NAND Flash，主要應用在固態硬碟，目前Samsung在3D-NAND Flash的轉進與產品布局均領先其他NAND Flash廠商。
根據評估，在事發1日內部分產能已可恢復生產的進度來看，對於Samsung整體的NAND Flash產出影響有限，然事出突然，若推測當日線上晶圓(Wafer-In-Process)受損部分約占整體產出約1～3%，則後續需透過擴大投片規模及縮短製作時程可大致彌補，但此影響將加深第三季供不應求的預期心理；倘若受損程度高於預期，則不僅3D-NAND Flash的SSD供應將出現問題，同時後續2D-NAND與3D-NAND產能調配的效應也會讓第三季供貨吃緊的情況更為顯著。
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