滿猛的,一篇新聞把重點都寫完了,我順便做個整理。
1. 關鍵材料基板主要都是由海外大廠壟斷,CREE, II-VI, Rohm. ST...,主要玩家也多是外國 IDM 廠。
2. 穩懋的法說會也有提到 GaN 營收比重逐年大幅度成長,但比起 GaAs 仍屬於較利基型,single digit 成長幅度。應用方面,通訊及資料中心、新能源汽車的毛利大於消費性電子(充電),我會看產品組合來挑公司投資。
3. SiC 成長也很不錯,最大應用是新能源車,裡面比較知名的就是 Tesla 用的 ST 逆變器;意法半導體也因此鞏固優勢,股價表現也很好,大家才漸漸注意到這材料 (之前比較像炒股題材)。
4. 中美晶集團環球晶開始小量出貨碳化矽基板,且將從基板擴向磊晶,徐董表示雖然在集團佔比約 1% 營收而已,但成長快速。
5. 台灣在三類半導體的重要性不像矽那樣舉足輕重,但有矽基經驗的優勢,還是追看看成長性。
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"...GaN功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。...三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%..."
"...SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元,年複合成長率達38%,其中前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%,新能源車產業中又以主驅逆變器、車載充電機(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗..."
"...關鍵基板多數仍由歐美日IDM大廠掌握....多數材料仍集中於美國科銳(Cree)及貳陸(II-VI)、日本羅姆(Rohm)及歐洲意法半導體(STMicroelectronics)等IDM大廠手中..."
"...漢民集團的嘉晶(EPI)、漢磊科(EPISIL)與中美晶集團的環球晶(GW)、宏捷科(AWSC)、兆遠(CWT)、朋程(ATC)等兩大聯盟,透過合作策略希冀在稀缺的基板區塊發揮最大整合效益...
"廣運集團與太陽能廠太極(TAINERGY)共同投資的盛新材料(TAISIC),除了目前在送樣驗證的4吋SiC基板,也積極投入6吋SiC基板的研發"
https://www.trendforce.com.tw/presscenter/news/20210903-10921.html
羅姆半導體股價 在 股民當家 幸福理財 Facebook 的最佳解答
【新一代護國神山】
時間:2021/3/25(四)
貼文:NO.1215篇
大家早,我是 LEO
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第一代半導體材料矽 Si
第二代半導體材料砷化鎵 GaAs
第三代半導體材料碳化矽 SiC、氮化鎵 GaN
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為什麼要一直進步?換新材料
因為新的產業趨勢推動新材料需求
未來5到~10年電動車產業大爆發
第三代半導體材料必定發光發熱
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●從中國在 2020年發佈的「145計畫」(第14個5年規畫),也將第三代半導體納入,預計將投資10兆台幣,顯見未來這個領域的競爭提升到國與國的競爭,進入白熱化階段。
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●各國🈲售汽柴油車時間表
2025年--挪威、荷蘭
2030年--德國、印度
2040年--英國、法國、台灣
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更狠的是挪威、荷蘭在2030年就禁止氣柴油車的路權,換句話說,不開電動車你就走路吧~2025年只剩4年,2030年只剩9年,汽車產業正在重新洗牌,【車用半導體】的需求只會越來越大,很多新公司會走出長多格局!成為半導體界的超新星!
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【碳化矽、氮化鎵】
新材料符合〈尺寸小、效率高、散熱迅速〉特性,只有第三代半導體材料氮化鎵可滿足高頻、低雜訊、高功率、耐高壓及低耗電需求,所以成為5G基地台的主要材料。在快充領域以及電動車充電樁...都是關鍵材料。
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【國際大廠】
科銳Cree、英飛凌Infineon、羅姆ROHM
都已經進入量產碳化矽階段
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【台灣】
雖然台積電這座護國神山股價表現有點黯淡,但是在第三代半導體的佈局,正在鴨子划水積極運作。
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台積電子公司《世界先進》,在氮化鎵與碳化矽領域代工生產,已布局4年預計今年進入量產,集團旗下《精材》,也投入氮化鎵射頻功率放大器的商機,今年也將進入量產階段。
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還有一家神秘的公司在第三代半導體業務上,最近已獲得台積電認證為「氮化鎵快充」製程外包廠。這個以後我們再說!目前正在佈局中。
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《漢磊》(3707)在碳化矽、氮化鎵領域,著墨最深、最早的關鍵大廠,至今已經10年。漢磊的 650伏特高壓氮化鎵已通過電動車的車用標準認證,並且開始導入,漢磊晶圓代工,據了解氮化鎵良率已達9成以上。
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漢磊在車用半導體的領域上,已經供不應求,領先的技術讓英飛凌三不五時就跑來看工廠,團隊認為從產業趨勢來看,有機會成為新一代的護國神山!
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羅姆半導體股價 在 財訊快報 Facebook 的精選貼文
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第三代半導體布局效益顯現,漢磊股價盤中亮燈漲停
【財訊快報/研究員莊家源】漢磊(3707)為6吋晶圓代工廠,以生產第三代半導體材料是以碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)材料為主,其具備高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度及高頻等特性,更能因應電動車、綠能、5G基站、雷達及快充等發展趨勢,其中以SiC-on-SiC、GaN-on-SiC、GaN-on-Si最具發展性。從國際大廠來看,包括科銳(Cree)、Ⅱ-Ⅵ、英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、羅姆半導體(ROHM)、三菱電機、富士電機(Fuji Electric)等已在碳化矽領域卡位,漢磊布局碳化矽與氮化鎵等化合物半導體已多年,預估今年效益可逐步發酵。
今日股價開高急拉盤中達漲停價50.8元,以長紅棒站回所有均線。近期法人多在調節持股,但由於產業前景持續看好,帶動營運逐步轉佳,股價有望再創新高。短期支撐為45元。
http://www.investor.com.tw/onlineNews/NewsContent.asp?articleNo=14202102220048
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