這個合作案不容小覷!為防堵中國大陸業者一波波的高功率絕緣閘雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件發展攻勢,茂矽電子、富鼎先進將與工研院光電所合作,透過透過雷射退火(Laser Anneal)製程開發適用於電動車的高功率IGBT,鞏固台灣電動車半導體零組件實力。
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這個合作案不容小覷!為防堵中國大陸業者一波波的高功率絕緣閘雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件發展攻勢,茂矽電子、富鼎先進將與工研院光電所合作,透過透過雷射退火(Laser Anneal)製程開發適用於電動車的高功率IGBT,鞏固台灣電動車半導體零組件實力。