關於 duv製程 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. ASML表示不需美國批准DUV微影機可賣給中國

目前微影機主要分為DUV微影機(deep ultraviolet)和EUV微影機(extreme ultraviolet)。其中以EUV微影機的技術最先進，可突破5nm晶圓製程節點的重要工具。

#12. 陸半導體有解？ASML光刻機是解藥還是毒藥 - 工商時報

2020年11月9日 — 據大陸媒體報導，半導體生產設備大廠ASML在上海國際進口博覽會展出號稱能用於7奈米製程的DUV(深紫外光)光刻機，不像目前最先進EUV(極紫外光)光刻機受 ...

#13. 中國半導體企業改為大力加強DUV 成熟製程產品生產

EUV 光刻機主要可生產10nm 或更先進製程，而DUV 光刻機則用作生產現時的成熟製程所使用的，主要生產汽車電源管理晶片(PMIC) 和微控制器(MCU) 等成熟 ...

#14. DUV和EUV光刻机的区别在哪？ - 中国科学院微电子研究所

在光刻机领域，ASML开始奋起反超Nikon；台积电也成为第一家实现ArF浸没式量产的公司。 因为ArF系列光刻机可用于制造7nm-130nm制程的芯片，而且该制程范围 ...

#15. 微影光罩的不同清洗方法的效果比較 - 國立交通大學機構典藏

深紫外光（Deep ultraviolet, DUV）微影製程、極短紫外光（extreme ultraviolet, EUV）微影製程以及X-光微影，另外配合成像解析度的效. 果，進而發展出不同類型的PSM， ...

#16. 極紫外光微影—延續摩爾定律的重要技術 - 能源資訊平台

爾後隨製程線寬不斷微縮，光源波長也從i-line(365 nm 波長)到利用惰性氣體和鹵素分子結合激發的深紫外光(DUV)準分子雷射光源，如氟化氪(KrF)產生的248 nm波長和氟化 ...

#17. Ch 6: Lithography

減少DOF 及造成製程困難度. ▫ 降低波長. ▫ 需開發新光源，光阻及設備. ▫ 降低波長的限制. ▫ UV 到DUV, 到EUV, 甚至X-Ray. ▫ 降低K. 1. ▫ 相轉移光罩 ...

#18. 微影製程開發資深工程師/專案副理/專案經理(華亞廠 - 104人力 ...

職務類別：生產技術／製程工程師、半導體製程工程師、半導體工程師。 ... 具有黃光/微影製程3年以上工作經驗者佳2.具有DUV製程開發實際經驗者佳3.TOEIC 500分； 4.

#19. ASML DUV光刻機有多快？加速度高達7g、12秒完成一整片晶 ...

DUV 是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。 從製程工藝來看，DUV只能用於生產7nm及以上製程晶片。

#20. 價值知識 - iQVALUE 智股網

例如，華為麒麟9000晶片為最先進5奈米製程，主要是台積電代工，這項先進製程只有荷商艾司摩爾 ... EUV的價格是每台1-3億美金，DUV的價格為每台2000萬-5000萬美金不等。

#21. 採購EUV已無望，中國半導體企業擴大採購DUV提升成熟製程

報導強調，與用於10 奈米以下先進製程的EUV 曝光設備不同，過去DUV 曝光設備用於相關的成熟製程中。因此，它主要用於生產汽車的電源管理晶片(PMIC) 和微 ...

#22. 〈家登展望〉EUV、DUV、晶圓載具三箭齊發今年營運樂觀 - 鉅亨

家登(3680-TW) 今(25) 日表示，受惠EUV 技術持續導入先進製程，加上DUV 需求同步暢旺，以及晶圓載具切入中國8 吋與12 吋廠，家登看好，今年三箭齊發下 ...

#23. 「duv原理」懶人包資訊整理 (1) | 蘋果健康咬一口

光學系統（optics）與光阻材料及計上亦與深紫外光（DUV）微影截然不同。,當光阻受DUV光線照射時，光阻會形成. 光酸. •在曝光後烘烤(PEB)製程中，熱能驅使光.

#24. 極紫外光微影之高階材料檢測分析 - 材料世界網

與193 nm浸潤式微影製程相較之下，極紫外光微影(EUV)具有更短之波長，因此， ... DUV)之穿透/折射光學元件架構進行製備，必須改以反射式進行EUV光罩 ...

#25. 烏俄衝突效應半導體晶片生產成本恐上漲民眾網(2022-02-15 17 ...

惰性氣體主要應用於半導體微影製程，該製程線寬需進一步微縮至220nm以下時，即開始進入DUV（深紫外光）光源準分子雷射世代，以惰性混合氣體與鹵素分子 ...

#26. TrendForce：烏俄衝突影響半導體氣體供應晶片成本恐上漲

DRAM方面，除了美光（Micron）外，韓廠正逐步加大1alpha nm（使用EUV製程）占比，但目前仍有超過九成的產能採用DUV製程；而NAND Flash則全數採用DUV微影 ...

#27. CS - DUV Customer Support Engineer(客戶支援工程師) - Tainan

台南市新市區工作職缺｜CS - DUV Customer Support Engineer(客戶支援工程師) ... 藉由該培訓課程，學員未來可從事半導體製程工程師、半導體封裝設備 ...

#28. 玻璃成瓶頸EUV微影設備缺貨將持續3年？ - 電子工程專輯

目前其DUV微影設備未交付訂單超過了500台，所以購買全新DUV微影設備(包括用於成熟和尖端製程節點)的訂單交付期(或者說間隔期)大約是2年。

#29. 先進光學曝光系統與極紫外光(EUV)就? | Ansforce

奈米製程. 紫外光. UV. Ultraviolet. 汞燈. Mercury lamp. G-line. H-line. I-line. 深紫外光. DUV. Deep Ultraviolet. 準分子雷射. Excimer laser. 極紫外光.

#30. 邏輯、記憶晶片產線需求聲聲催ASML EUV／DUV左右逢源

英特爾(Intel)執行長Pat Gelsinger日前宣稱，將率先導入ASML新世代之高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)掃描機，預計在單一曝光EUV製程上，可望比多重 ...

#31. 自有產品/ DUV設備 - 崇翌科技股份有限公司、HORIBA STEC ...

DUV /EUV (表面改質、親水化). DUV Lamp是254nm和185nm波長的紫外線，EUV LAMP是172nm波長的紫外線，主要應用於乾洗淨製程上，去除被照射物表面之有機物質。

#32. EUV DUV 差異 - 軟體兄弟

UV, DUV)」跳到10奈米左右的「極端紫外光(Extreme UV, EUV)」。, 在台積電法說會上，EUV是近年不斷提到的微影製程名稱，也是現今能在... ASML的EUV極紫外光機台專門 ...

#33. DUV光刻機的生產速度到底有多快，網友：難在精確定位 - 頭條匯

從製程工藝技術看來，DUV只可以用作生產加工7nm及之上製程處理晶片。而僅有EUV能滿足了7nm晶圓製造，而且還能夠向5nm、3nm持續延展。

#34. 先進製程推動EUV需求ASML加速布局- 熱門新聞 - 新電子

ASML總裁暨執行長Peter Wennink表示，該公司的第一季營收超出預期，主要原因除了來自於客戶對於深紫外光(DUV)微影系統和全方位微影方案(Holistic Litho)的 ...

#35. 7nm製程工藝！國產DUV光刻機即將落地，中國院士罕見發聲

眾所周知，EUV光刻機可以生產7nm、5nm和更先進的3nm等製程晶片，正是 ... 也可以生產7nm工藝的晶片，而在DUV光刻機領域，生產廠家有ASML、日本的佳能、尼康，還有一家 ...

#36. 从EUV到DUV：先进制程离不开DUV - 电子发烧友

新一代的DUV采用了ArF（氟化氩）准分子激光源，光源实际波长突破193nm，缩短为134nm，NA值为1.35，最高可实现7nm制程节点。浸入技术是指让镜头和硅片 ...

#37. 中芯採購ASML設備美制裁似對成熟製程鬆綁

中芯國際昨天宣布，耗資12億美元向艾司摩爾（ASML）採購晶片生產設備。據報導，中芯採購的是較舊的DUV（深紫外光）光刻機。美國的科技制裁似乎對成熟 ...

#38. 跨入16奈米世代一步到位 - 科學人雜誌

國家奈米元件實驗室研發的創新技術，讓整個微影製程縮減為只需一個步驟 ... 晶體最小線寬為45奈米，是以波長193奈米的深紫外光（DUV）做為微影製程的 ...

#39. 半導體用光阻劑之發展概況

光阻劑的技術研發因先進製程的持續演進而不斷的進化中，以下內容將詳細介紹之 ... 光阻劑，和深紫外線(DUV)搭配的為KrF(248nm)與ArF(193nm)光阻劑，超 ...

#40. 新引進投資案簡介 - 竹科管理局

... 則可區分為紫外線(UV)、深紫外線(Deep UV, DUV)和超紫外線(Extreme UV, EUV)三種。 ... 奈米之前的製程；和深紫外線(DUV)搭配的為KrF(248nm)與ArF(193nm)光阻劑。

#41. MoneyDJ新聞2021-03-04 08:13:34 記者李彥瑾報導

... 深紫外光微影(DUV)機台，而非用於製造高階晶片的極紫外光(EUV)光刻機。 ... 艾司摩爾總部位於荷蘭，為世界最大半導體製程設備及技術供應商，並且 ...

#42. 烏俄戰火燒到中芯美國會議員要求禁售DUV機台 - 非凡新聞

美國參議員擔憂中芯可能向俄羅斯提供關鍵技術，要求商務部封鎖16奈米以下製程的製造能力，並禁止中芯取得深紫外光（DUV）機台，由於中芯在2020年底已被 ...

#43. 當晶片製程越來越精細，ASML微影設備的體積會越來越大！

當晶片 製程 越來越精細，ASML微影設備的體積會越來越大！ ; https://lihi1.com/ijbm0​ 2️⃣ DUV Customer Support Engineer ( DUV 客戶支援工程師)​ >> ...

#44. EUV是個什麼酷東西？ — 決定未來半導體先進製程的關鍵技術

採5 奈米EUV 製程，迎戰台積電」、「台積電掃貨EUV 光刻機，三星為什麼 ... 不過即使採用了DUV，由於這兩年台積電製程已經走到10奈米以下，不再能滿足 ...

#45. 陸半導體先進製程困境有解藥？網憂心ASML賣DUV圖謀

據大陸媒體報導，半導體生產設備大廠ASML在上海國際進口博覽會展出號稱能用於7奈米制程的DUV(深紫外光)光刻機，不像目前最先進EUV(極紫外光)光刻機受美國禁令限制，但 ...

#46. 設備廠ASML火災衝擊擴產速度專家憂「晶片荒恐再次推升」

... 也無法得知到底受影響的是EUV或DUV機台，但至少在ASML發生火災之前，目前市況上，大家都認為先進製程跟成熟製程，都至少要到2022或2023年， ...

#47. 詳解7nm工藝，三星，台積電，英特爾，格羅方德真不容易

台積電使用DUV光刻的第一代7nm FinFET已經在2017年第二季度進入試產階段。 與目前的10nm FinFET製程相比，7nm FinFET將可在電晶體 ...

#48. 真正掐住台積電脖子的企業艾斯摩爾（ASML） - 林子揚的部落格

DUV （深紫外光曝光）機台雖然主要拿來使⽤在成熟製程的晶片，但包括台積電、三星電⼦，也能拿來⽣產10奈米以下製程的晶片。例如台積電在⽣產第⼀代7奈 ...

#49. 全球半導體深紫外線(DUV)光阻市場分析 - IEK產業情報網

全球半導體深紫外線(DUV)光阻市場分析. 2010/03/12; 2828; 38. 江愛群. 電子產業供應鏈上游材料石化與新材料ITIS電子產業 · #光阻 #製程 #化學. 一、DUV光阻市場分析 ...

#50. 美國全面禁售DUV/EUV光刻機、EDA軟體？但這擋不住中國

... 傳出消息稱，為進一步限制中國半導體產業的發展，拜登政府正考慮將用於成熟製程晶片的浸潤式ArF 深紫外（DUV）光刻機列入對中國禁售的產品名單。

#51. 找來蔣爸真能有EUV機台？ 中芯與ASML簽12億美元大單

據陸媒報導，資深業界人士透露，除了EUV機台，中芯國際幾乎取得可以拿到的所有型號曝光機，包括台積電在生產第一代7奈米製程(N7)使用的深紫外光(DUV)曝光 ...

#52. euv duv差異– 艾斯摩爾福利 - Fisherie

事实上EUV光刻机的出现，确实是帮助业界突破7nm制程的一个关键。 ASML澄清与中芯国际交易EUV与DUV光刻机一字之差大不同_业… 家登3680-TW ...

#53. 特殊製程-采鈺科技股份有限公司 VisEra Technologies ...

針對光刻製程，VisEra擁有i-line（8/12吋晶圓) / DUV（12吋晶圓）光刻機台，灰階光罩（Gray Scale Mask Lithography）及奈米壓印技術（Nanoimprint Lithography , NIL）。

#54. 詳細解讀7nm製程，看半導體巨頭如何拼了老命為摩爾定律延壽

目前半導體生產中使用的是波長193nm的深紫外（DUV）光刻。實際上，在製程發展到130nm之前，人們就曾指出193nm深紫外光會發生嚴重的衍射現象而無法繼續 ...

#55. 進入接單量產階段，Samsung 推出8nm LPP 製程 - BenchLife

此外，這也會是DUV 顯影技術的最終產品，在之後的7nm LPP 製程將轉換至EUV 顯影技術。 基本上8nm LPP 製程是目前Samsung 10nm 製程的進化版，相較 ...

#56. 台積電先進製程與封裝技術發展與應用商機 - 國立成功大學化工系

台積電先進製程與封裝技術發展與應用商機. 曲建仲博士CEO ... 深紫外光(DUV)與極紫外光(EUV)在製程上的應用3. IBM領先全球宣布成功開發2奈米製程4.

#57. [新聞] 中芯DUV設備採購交期延長一年業界估成熟製程擴充放緩

中芯昨日公告未說明是何種設備採購期限延後一年，業界原先認為應該是受到出口管制的先進製程所需EUV設備遭遇障礙，而在艾司摩爾補充公告後，進一步確認是 ...

#58. duv euv 波長

[問卦] 有沒有EUV 極紫外光微影製程的八卦？ 藉由Lasertec的專利資產揭密EUV光罩檢測技術; 【晶片大曙光】荷蘭ASML係中國推銷7納米製程DUV光 ...

#59. 紫外線清洗機 - 志聖工業

C SUN > 產品資訊 > 面板/觸控製程設備 > 其他 > 紫外線清洗機 ... DUV：185nm及254nm. EUV：172nm 2.搬送型式：RobotorConveyor 3.清洗效果：水接觸角≦5∘

#60. 格羅方德為何放棄7nm製程，穩固台積電先進製程地位？

台積電初期還是使用DUV生產7nm晶片，EUV要等到明年才會完全採用，資本支出很可能更高──這筆龐大的資本支出不是每一間公司都有能力承擔的風險，盲目跟進 ...

#61. 中芯國際(00981)：向7nm的追趕之路上DUV是解決之道嗎？

而極紫外光刻機(EUV)的光源波長則爲13.5nm，是突破7nm芯片製程節點的必需 ... 在經過多重曝光後，浸潤式DUV也能達到7納米制程的門檻，甚至更進一步。

#62. Gartner：晶片可能於2023年出現產能過剩- 新聞 - MoneyDJ ...

在產能供不應求情況下，對於製程相對簡單之晶片，由於利潤較低，通常較無法 ... 亦為半導體製程中關鍵原料，應用於微影製程所需的深紫外光（DUV）及極 ...

#63. ASML中國展示DUV光刻機可生產7nm及以上製程芯片 - Xoer

ASML中國展示DUV光刻機可生產7nm及以上製程芯片正在進行的第三屆進博會上，光刻機巨頭ASML也參展了，並且還在自己的展台上曬出展示了DUV光刻機。

#64. 中芯國際：向7nm的追趕之路上DUV是解決之道嗎？ - 壹讀

智通財經APP了解到，在目前的光刻機種類中，深紫外光刻機(DUV)採用的光源波長為193nm，通常只能用到25nm製程。而極紫外光刻機(EUV)的光源波長則 ...

#65. 美加大力道打中芯國會議員提案禁售DUV機台 - 新唐人亞太電視台

業界人士指出，如果美方擴大制裁中芯，將有助舒緩晶圓代工成熟 製程 ... 為理由，希望商務部禁止銷售，用在成熟 製程 的深紫外光（ DUV ）機台給中芯。

#66. 財團法人國家實驗研究院台灣半導體研究中心110 年度晶片製作 ...

imec's 200mm wafer fab, using 0.13um mask technology and 193nm DUV lithography, ... (6) CMOS MEMS 晶片包含於TSMC 0.35um 以及UMC 0.18um COMS 製程內(梯次代號 ...

#67. 【美股研究報告】ASML艾司摩爾，光刻機市場壟斷者

現階段因DUV 產品發展歷史較久且較EUV 產品成熟，故DUV 的毛利率較EUV 要高。 先進製大廠已踏入4nm以下製程，EUV成為必備工具. 資料來源：ASML. 安裝管理( ...

#68. 中芯花12億美元買DUV設備恐衝擊台廠晶圓代工？

... 金額高達12億美元，不過艾司摩爾也發聲明釐清，合約所出售的機器不是先進製程使用的EUV極紫外光微影設備，而是使用較舊型技術的深紫外光DUV機台。

#69. 黃光微影製程技術

黃光微影製程技術 ... 負光阻的特性: 照光之後不溶於顯影劑適用於3µm以上的製程 ... DUV. 100 nm ~ 300 nm KrF(248nm); ArF(193nm); F2(157). EUV. 10nm ~ 100 nm.

#70. 烏克蘭，半導體原物料命脈？俄烏交火，4大產業首當其衝

晶圓代工業氖氣是曝光製程的關鍵化學品，有助產生雷射光源，用於先進製程極紫外光（EUV）及成熟製程氟化氬（ArF）深紫外線（DUV）波長等曝光環節， ...

#71. 中芯先進製程欠火候難撼動台廠晶圓代工領先優勢｜非凡財經 ...

... 不過艾司摩爾也發聲明釐清，合約所出售的機器，不是先進 製程 使用的EUV極紫外光微影設備，而是使用較舊型技術的深紫外光 DUV 機台。#非凡新聞...

#72. 優勢產業- 找人才-半導體

半導體設備具體需求項目：. （1）前段晶圓製程設備：鍍膜沉積技術、乾式蝕刻技術、曝光DUV 與 ...

#73. 7奈米製程大亂鬥，台積電與三星技術訴求各不同 - 數位時代

等到DUV穩定後，再轉換到極紫外光（EUV）曝光10奈米以下製程，針對EUV最佳化布線密度可減少10%到20%的面積，或在電路複雜度相同的情況下，比第一代7奈米 ...

#74. EUV是個什麼酷東西？ — 決定未來半導體先進製程的關鍵技術

採5 奈米EUV 製程，迎戰台積電」、「台積電掃貨EUV 光刻機， ... 不過即使採用了DUV，由於這兩年台積電製程已經走到10奈米以下，不再能滿足現在的微影 ...

#75. 中芯国际为什么非要买7nm的EUV光刻机呢 - 知乎

TSMC确实用DUV做到了7nm，因为那会儿EUV都还没到货，所以网上有人说人家DUV就能 ... 限制光刻设备，材料的意义并不是很大，一个现在smic对7nm以及以下制程的依赖度是 ...

#76. 半導體製程的發展越來越迅猛

由於 DUV 曝光的解析度較差，晶片的電氣效能不如使用 7 奈米EUV，所以三星為其商業命名為 8 奈米。從這點看來，8 奈米相比現有的 10 奈米，很可能在電晶體 ...

#77. 美中緊張恐釀設備供應中斷三星、海力士中國廠DUV設備可能被 ...

在此前艾斯摩爾（ASML）可從荷蘭直接向中國出口DUV光刻機，且不受美國的限制，中芯國際將擴充14至40奈米成熟製程，以支援5G、WiFi6/6E等通訊技術更迭的 ...

#78. EUV 極紫外光！一個你應該知道與台積電相關的技術

新聞常在報的五奈米、三奈米先進製程、EUV微影技術等等， ... 影響半導體廠的生產良率，而EUV光刻機對於防塵的要求又比過去採用DUV光刻機時更高，因此 ...

#79. 半導體光阻市場與技術發展 - ITIS智網

半導體微影製程依使用光源的不同，可區分為紫外線(UV)、深紫外線(Deep UV, DUV)和超紫外線(Extreme UV, EUV)三種，而相對應和紫外線搭配的為g-line ...

#80. 【晶片大曙光】荷蘭ASML係中國推銷7納米製程DUV光刻機

【晶片大曙光】荷蘭ASML係中國推銷7納米製程DUV光刻機. 打邊爐靠個爐，做晶片就靠光刻機，美國係特朗普圍堵政策下將最先進EUV 光刻機技術封鎖無法出口 ...

#81. 簡單的光學突破3C 科技瓶頸：浸潤式微影

半導體元件製程技術發展到65 nm 技術節點時，現有光學微影製程註一. ( photolithography ) 的曝光技術到達了瓶頸。以水為介質的「浸潤式微影」，在微.

#82. 【歷史上的今天】搭上EUV熱潮的家登EUV光罩盒很了不起嗎？

光罩是半導體製程中不可或缺的一項工具，由於現今的IC晶片已進入的奈米 ... 因此不論是先進製程EUV光罩盒、傳統DUV光罩盒（現多用於DRAM或是繪圖 ...

#83. ASML中国展示DUV光刻机可生产7nm及以上制程芯片 - cnBeta ...

EUV光刻机采用13.5nm波长的光源，是突破10nm芯片制程节点必不可少的工具。也就是说，就算DUV（深紫外线）光刻机能从尼康、佳能那里找到替代，但如果 ...

#84. [2019/2/13] 台積電搶下2019 年EUV 過半出貨量，力拚二代7 奈 ...

目前，台積電首代的7 奈米製程的晶片，包括蘋果的A12、華為麒麟980 等行動處理器。不過，台積電的首代7 奈米製程採用的DUV 技術。在目前DUV 技術在7 ...

#85. Centura® Tetra™ EUV 先進光罩蝕刻系統

極紫外線(EUV) 光罩是以新式微影系統，透過高能量、短波長的光源，將電路圖案轉印到晶圓。EUV 光源波長比目前深紫外線微影製程的光源波長短少約15 倍，因此能持續將線 ...

#86. 中芯採購ASML設備美制裁似對成熟製程鬆綁| 兩岸 - 中央社

中芯國際昨天宣布，耗資12億美元向艾司摩爾（ASML）採購晶片生產設備。據報導，中芯採購的是較舊的DUV（深紫外光）光刻機。美國的科技制裁似乎對成熟 ...

#87. 7奈米製程大亂鬥，台積電與三星技術訴求各不同 - T客邦

工研院IEK 指出，2018年，全球晶圓代工產業版圖出現變動，在先進製程的演進上，10 ... 等到DUV 穩定後，再轉換到極紫外光（EUV）曝光10奈米以下製程， ...

#88. 193nm波長光刻機如何刻出28nm線寬晶片？ - 電子技術設計

比如一排100nm週期的突起或者凹陷，突起的寬度20nm、空隙80nm，那麼不嚴格的說這也是一個20nm的製程。 此外， 32nm、22nm、14nm只是一個技術節點的標誌， ...

#89. 半導體製程設備 - 第 105 頁 - Google 圖書結果

施錫龍,準分子雷射晶圓步進機及其製程,毫微米通訊,三卷一期, pp . ... 楊金成等,金屬雜質於 DUV 光阻中擴散及吸附行為之研究( I ) ,毫微米通訊,六卷四期, ...

#90. 深次微米矽製程技術 - 第 61 頁 - Google 圖書結果

楊金成等,金屬雜質於 DUV 光阻中擴散及吸附行為之研究( I ) ,毫> >微米通訊七卷一期, pp . 18-23,2001 。 18.廖明吉,積體電路製程之微影技術的延伸及極限,電子月刊, ...

#91. 半導體製程設備技術 - 第 269 頁 - Google 圖書結果

而光學微影製程中,使用的光源種類如圖 5.16所示,較常使用為光源有兩大類:紫外光區(Ultraviolet Light, UV)的汞燈(Hg Lamp)及深紫外光區(Deep Ultraviolet Light, DUV) ...

#92. 从EUV到DUV：先进制程离不开DUV - 速遞大陸

新一代的DUV採用了ArF（氟化氬）準分子激光源，光源實際波長突破193nm，縮短為134nm，NA值為1.35，最高可實現7nm製程節點。浸入技術是指讓鏡頭和硅片 ...

#93. 烏凌翔：中國要多久才能掙脫被掐住的「光刻機脖子」

... 佳能（Canon）在「深紫外光刻機」（DUV, Deep Ultra-violate）總市佔率遠遠落後它，甚至到了14奈米以下製程，進入最先進的「極紫外光刻機」（EUV, ...

#94. 德邦证券：IC光刻胶迎来国产替代机遇窗口期看好本土 ... - 金融界

同时半导体产业具有协同发展的特点，未来几年我国大陆IC晶圆代工仍将在成熟制程领域深耕，相对应DUV光刻胶成为本土厂商主要攻关方向。

#95. 电子行业：国产光刻胶：破晓而生踏浪前行 - 行情中心_新浪财经

同时半导体产业具有协同发展的特点,未来几年我国大陆IC 晶圆代工仍将在成熟制程领域深耕,相对应DUV 光刻胶成为本土厂商主要攻关方向。

#96. euv和duv區別是什麼 - tw511教學網

1、製程範圍不同. duv：基本上只能做到25nm，Intel憑藉雙工作臺的模式做到了10nm，卻無法達到10nm以下。 euv：能滿足10nm以下的晶圓權制造，並且還可以向 ...

#97. euv 原理

EUV光源波長比目前DUV（ 深紫外線微影）的光源. EUV 極紫外光，一個你應該知道與台積電相關的技術. 投資台積電外也了解一下台積電的一些技術原理吧！. 奈米製程裡用到 ...