5奈米及3奈米戰爭、台積電與三星對壘
隨著半導體製程微縮技術走入3奈米或2奈米，除了採用當今的FinFET技術之外，還可以選擇採用GAA FET（gate-all-around FET）新技術。
何時採用GAA FET是根據晶圓代工廠商策略而定。台積電則是計劃首先採用FinFET 3奈米，在3或2奈米的後期階段才引入GAA。
3奈米的設計成本為6.5億美元，而5奈米的設計成本為4.363億美元，而7奈米的設計成本為2.223億美元。從面積、功耗與性能比較，三星的5奈米FinFET技術比起7奈米在邏輯面積上增加了25%，而功耗降低20%，性能提高10%。因此，廠商最終是否要採用3奈米製程，就要看其產品是否能夠承受成本上漲的壓力而定。......
http://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=16349
finfet gaa比較 在 [新聞] 三星尋求2025年量產2奈米想靠GAA技術彎- 看板Stock 的推薦與評價
原文標題：三星尋求2025年量產2奈米 想靠GAA技術彎道超車台積電
※請勿刪減原文標題
原文連結：
https://udn.com/news/amp/story/6811/6401307
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發布時間：2022-06-20 12:01
※請以原文網頁/報紙之發布時間為準
記者署名：經濟日報 編譯葉亭均／綜合外電
※原文無記載者得留空
原文內容：隨著晶圓代工龍頭台積電（2330）布局2奈米製程在2025年開始量產，南韓三星
電子為了追上台積電，押注3奈米環繞閘極技術（GAA）在晶圓代工領域會改變全局，已規劃
好未來三年的3奈米GAA製程技術，並且尋求在2025年讓2奈米GAA製程量產。
南韓BusinessKorea報導，GAA是下一代製程技術，改善半導體電晶體的結構，讓閘極能夠接
觸電晶體的四個側面，有別於當前的鰭式場效電晶體（FinFET）只能接觸電晶體三個側面的
情況。GAA結構可比FinFET製程更精準控制電流。
三星電子押注把GAA技術應用到3奈米製程，以便追趕台積電。三星電子據報導6月初在晶圓
導入3奈米GAA製程進行試驗性量產，成為第一家運用GAA技術的公司。與5奈米製程相比，3
奈米製程能將半導體的性能與能源效能分別提高15%與30%，同時讓晶片面積減少35%。
報導說，繼今年上半年把GAA技術應用於3奈米製程後，三星計劃在2023年把GAA技術導入第
二代3奈米晶片，並且在2025年量產基於GAA的2奈米晶片。台積電的策略是今年下半年進入3
奈米半導體市場並採用穩定的FinFET製程，三星電子則押注GAA技術。
BusinessKorea引述專家的說法報導，如果三星在基於GAA技術的3奈米製程取得穩定良率，
可能在晶圓代工市場帶來改變全局的效果。台積電預期從2奈米晶片開始導入GAA製程，並在
約2026年推出第一款基於GAA技術的2奈米晶片產品。對於三星電子來說，未來三年將是關鍵
期。
三星近期宣布將在未來五年內，針對半導體等關鍵產業投資450兆韓元（約3,600億美元）。
然而，該公司在3奈米製程面臨障礙。三星已將晶圓放入3奈米製程進行試驗性量產，但由於
遭遇良率低的問題，一直延後宣布正式量產。
三星電子押注GAA製程技術能協助該公司追上台積電的晶圓代工製程進度。路透
三星電子押注GAA製程技術能協助該公司追上台積電的晶圓代工製程進度。路透
報導說，台積電也遭遇類似問題。台積電原定7月起以3奈米技術為英特爾和蘋果量產半導體
，但一直無法達到想要的良率水準。繪圖晶片大廠輝達（NVIDIA）為GeForce RTX40 GPU系
列支付台積電多達90億美元採用3奈米製程生產，然而，將取得5奈米的產品而非3奈米的產
品。電子時報曾報導，台積電在3奈米取得想要的良率水準面臨困難，已數次修改技術藍圖
。
心得/評論：
※必需填寫滿30字，無意義者板規處分
彎道超車算不算支語啊 怎麼最近越來越多記者用這術語
有沒有業內人士出來分享這篇報導說的
三星2奈米 在2025量產 到底是真的還是唬爛
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