電力電子設計人員可以透過使用650V GaN FET實現低開關損耗和零反向恢復損耗...
gan fet 在 新電子科技雜誌 Facebook 的最佳貼文
ToF應用持續擴展 EPC eGaN FET提升偵測速度/準確度
#GaN FET #MOSFET #ToF #飛時測距 #EPC #光達
gan fet 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳貼文
#微波雷達通訊 #X波段 #碳化矽基氮化鎵GaN-on-SiC
【探測及防禦型雷達首選:X波段】
依發射波形區分,雷達系統有脈衝 (Pulsed) 和連續波 (CW) 兩大類。前者是以方形脈衝波偵測目標,可同時偵測多個目標為其優勢;後者強在所需設備簡單、佔用頻寬不大且發射效率高,在同等條件下可實現更遠的通訊距離。
在通訊頻段方面,頻率為 8~12GHz、波長在 3cm 以下的 X 波段雷達 (XBandRadar,縮寫:XBR),由於視角廣 (上下左右各 50 度) 且能 360 度旋轉偵查各個方向,是探測及防禦型雷達的首選。
上述雷達產品組合涵蓋:MMIC (單片微波積體電路)、IM-FET (反轉式接面電晶體) 和基礎電晶體,關鍵指標如下:
●MMIC:微型、包覆成型的 QFN 封裝為佳,且具備多種功率位準、高增益及高效率特性;
●IM-FET:高效能、50Ω 建造模組,以支援高功率系統;
●電晶體:高準確度的塑模支援,可提供最大的靈活性以優化放大器設計。
此外,擁有各種功率等級、高每級增益和高附加功率效率 (PAE),可因應尺寸、重量、功率和成本 (SWaP-C) 持續演進,以便驅動新一代陸、海、空雷達平台,例如:氣象、空中交通管制、火控及其他基於國防和商業的系統;而具有高電子遷移率的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體,可在更高頻率支援更多增益。
延伸閱讀:
《X 波段雷達產品組合》
https://www.digikey.tw/zh/product-highlight/c/cree-wolfspeed/x-band-radar-portfolio?dclid=CMCWyfLa0O4CFdgGlgod_yQMpA
#Cree #Wolfspeed #Digikey
gan fet 在 liweileev/FET-GAN - GitHub 的推薦與評價
To address these problems, we propose FET-GAN, a novel end-to-end framework to implement visual effects transfer with font variation among ... ... <看更多>
gan fet 在 TI推出業界首款GaN FET,顛覆汽車產業 - Facebook 的推薦與評價
... <看更多>