Pat Gelsinger 年初上任以來，已與 #ASML 高層進行過三次會面，未來 #英特爾 新晶圓廠應可成為全球首家部署新一代高數值孔徑極紫外光微影 (high-NA EUV) 設備的廠商，#台積電 及 #三星 都還在等候名單上。
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英特爾調整2025年製程和封裝技術藍圖──拋棄節點命名、採用兩大開創性技術
英特爾於 2021 年 7 月 26 日公佈了至 2025 年的製程技術和封裝技術藍圖。除了公佈其近十多年來，首個全新電晶體架構 RibbonFET 和業界首個全新的背部供電設計 PowerVia 之外，英特爾還重點介紹了迅速採用下一代 EUV 技術的計畫，即高數值孔徑（High-NA）EUV。
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春哥觀察名單 ASML分析
✏️公司業務簡介
ASML的標誌性產品是極紫外光微影（EUV）光刻機。極紫外光微影是能在晶片上畫出最精密線路的光罩技術，這是項能使晶片效能更高，成本更低的先進技術。能做到這項技術的設備叫光刻機。ASML有2個主要收入來源，包括售賣光刻機和其後的技術升級服務。它的主要客戶包括台積電、三星和英特爾。
✏️基本面強勁 全年收入展望樂觀
在上季財報中，ASML的同比收入增長達到78%，利潤增長達驚人的240%。ASML原本只展望在2021年能達到雙位數字的收入增長，但在第一季財報後，全年收入展望提升至30%增長，顯示市場需求大於預期。
✏️全球半導體短缺 主要客戶計劃提高產能
全球半導體短缺影響多個行業，AMSL的客戶台積電、和英特爾都表示會增加在設備方面的投資。台積電原本就計劃在美國建設6座晶圓廠，最近更宣佈加碼投資過百億。英特爾也表示會新建2座工廠。預計AMSL的訂單在未來2-3年都會有穩定增長。
✏️壟斷技術和生產鏈 擁有護城河優勢
研發和製造光刻機原本並不是單一企業能夠完成，但ASML用了10幾年時機鋪排，一路收購多件供應鏈公司，包括Carl Zeisis和HMI。ASML現時已經壟斷極紫光微影光刻機技術，其EUV光刻機市場佔有率達100%。未來還計劃生產名為High-NA machine的設備，能生產更加小的晶片，想挑戰其壟斷地位真的難上加難。
✏️技術面表現抗跌 50天線關鍵支撐
近來因通脹升溫和加息憂慮，科技股紛紛被拋售，但AMSL表現抗跌，是少數還能守住50天線的科技股，顯示投資機構不願意大幅賣出他們手中的持股。科技股大跌時，我們應該留意哪些股票表現抗跌，市況一旦改善，他們就會成為強勢股。AMSL最近在50天線出現大成交量反彈，50天線暫時確定有支撐，在貼近支撐區附近部署風險會較低。相反，一旦跌破近期的低點，趨勢將會轉弱。
✏️潛在風險
第一項要注意的風險是最近2個月科技股都因為經濟週期轉變和資金輪轉被拋售，ASML雖然暫時能站穩腳，但要需要持續留意通脹升溫和加息憂慮會否進一步導致科技股下跌，拖累AMSL下跌。
另一項風險則是中美貿易戰，ASML容易成為磨心。在2019年中芯國際曾想AMSL下訂單買入最新的EUV設備，但AMSL應美國要求至今未出貨給中芯國際。目前中美兩國正專注處於疫情和經濟復甦，難以預計貿易戰會否捲土重來，但仍需注意該風險。
✏️總結
雖然ASML股價已經屢屢創新高，但強勁的業績增長和未來展望繼續支持股價向上。AMSL在半導體生產鏈扮演重要並且幾乎壟斷的角色，而這間半導體設備供商正進入超級成長週期。總的來說是長線投資非常具吸引力的選擇。
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邁入3奈米，EUV與相關周邊設備也須跟上晶片製造商腳步才是關鍵
https://bit.ly/2HQOdUN
台積電與三星規劃2022年進入3奈米(nm)量產階段，而半導體廠商為了進入3nm以及更先進
製程，都積極搶奪極紫外光（EUV）微影機設備，但是一台造價高達3億美元的設備，到底
能否即時推出，ASML也不能給出答案。
2021年，ASML將提供為EUV掃描儀進行升級版，並且在藍圖中添加了另一個系統。ASML為
下一代EUV掃描儀取了一個名稱high-NA EUV。根據ASML表示其新的光阻劑和光罩仍正在研
發中。為了搶奪EUV市場，現今一些半導體設備供應商也正在開發新EUV相關設備。
EUV在5nm晶片的線路圖案（Pattern）技術下，使用單一圖案化方法，即可透過光罩將線
路圖印在晶圓上。但是到了3nm製程之時，同一種方法不再適用，因此晶片廠商有兩種選
擇。
第一個選擇是透過EUV雙重圖案化。第二個選擇，則是等待ASML開發出high-NA EUV系統，
讓製程變得更為簡單化。可是high-NA系統不僅複雜又昂貴，而且剛剛推出時還存在一些
風險．這表示著一旦ASML研發時程不順利，很可能拖延3 nm甚至更高製程的晶片推出時程
。更重要得是，high-NA EUV系統必須等到2024年才能夠幫助3nm，這對於三星與台積電想
搶在2022年採用3nm製程是一大障礙。
因此，晶片製造商別無選擇，只能採用EUV雙重圖案化的方式，讓晶片分為透過兩次光罩
，然後將其印在晶圓上。這也是為什麼同一時間ASML也在研發EUV多重圖案化的方案。
基本上，EUV雙重圖案化需要在晶圓中執行更多製程步驟，這會影響到掃描儀的吞吐量。
因此，晶片製造商需要更快速的EUV系統。目前ASML在其藍圖中增加了兩台多的0.33 NA
EUV掃描儀。這是現今EUV掃描儀的升級版。第一個系統稱為NXE：3600D，吞吐量為160
wph。該工具計劃於2021年中推出。下一個工具的吞吐量為220 wph，計劃於2023年推出。
但是長期來說，3nm以及更先進製程仍需要high-NA EUV，以恢復到更簡單化的單一圖案模
式方法。這不僅可以降低成本還能夠強化生產效率。目前ASML第一個high-NA EUV，稱為
EXE：5000，吞吐量可達185 wph，計劃於2022年推出。至於更快版本的EXE：5200是預計
於2024年推出。
根據投資銀行KeyBanc預估，現今一台的EUV掃描儀的成本為1.534億美元，可是一台
high-NA EUV掃描儀的成本卻高達約3.186億美元。更重要的是，除了EUV之外，光阻劑、
蝕刻，以及進入線路圖案之前的塗布顯影設備（Coater Developer）都很重要，因此未來
3nm與更先進製程之戰，還有得瞧！
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