關於 mosfet通道長度調變 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. Chapter 5 The Field-Effect Transistor - 正修科技大學

KBasic MOSFET application: Switch, digital logic gate, and amplifier ... n-通道增強型MOSFET(增強型NMOS電晶體) ... 通道長度調變：飽和時，反轉電荷為零的點在通.

#12. 第5 章金氧半場效電晶體(MOSFETs)

如何分析與設計包含MOS 電晶體、電阻以及直流. 電源的電路。 ... A: 電流可由單位通道長度的電荷以及電子飄移速. 度來表示 ... 圖5.17 展示通道長度調變對v.

#13. 通道長度調變效應 - Myuhg

但MOSFET元件尺寸持續不斷縮越小，通道電阻減…. 33. 如右圖FET偏壓電路，I C 也會微微往上翹(電流升高)， 而產生通道長度調變(Channel Length Modulation)，汲極通道之 ...

#14. 通道長度調變解釋 - 軟體兄弟

Kn稱為導電... 其中λ 為正值，稱為通道長度調變參數(Channel-Length Modulation Parameter)，. ,應用電子學7-34中興物理孫允武. MOSFET的2nd order effect. 通道長度調變 ...

#15. 8-4 重點掃描習題探討

當VGS 持續增大時，通道會越高（註：通道高度. 表示為橫向），通道電阻會變小，使得ID 電流變大。 由上述說明，可知MOSFET 的基本工作原理為：利用閘極輸入. VGS 電壓產生 ...

#16. BSIM3v3 模型介紹與萃取方法

的參數，例如通道長度與寬度，因此元件模型亦需要有更新或更 ... 是描述MOS 元件的直流特性，因此無法直接預測高頻特性，因 ... 這個效應稱作通道長度調變效應。

#17. 明新科技大學校內專題研究計畫成果報告

本研究將針對奈米製程接觸窗蝕刻停止層(CESL)壓縮應變於(110)MOS 元件. 上，瞭解探究不同矽覆蓋層與溫度下，此等矽電晶體之電特性尤其在 ... 2.11.1 通道長度調變效應.

#18. 第一章類比設計導論

(a)源極和汲極電壓相同之通道電荷； ... 飽和MOSFET做為連接汲極和源極之電流源，將電流送至接. 地端或由V ... 變效應；(c)用一電阻來表示長度調變效應；(d)用一相關.

#19. 表二、高職數位教材發展與推廣計畫－電子學科單元教案設計表

4.能了解MOSFET 通道長度調變的特性。 元件. 教學活動. 教學. 時間. 編號. 類型時間. 元件內容說明. 發. 展. 活. 動. 『動畫示範』. D-MOS 電壓電流. 特性曲線與結構.

#20. MOSFET常數Kp值為1mA/V2，忽略通道長度調變效應 ... - 題庫堂

四、圖2 所示電路，若臨界電壓為Vt＝1V，MOSFET常數Kp值為1mA/V2，忽略通道長度調變效應（channel length modulation effect）（即假設λ＝0），【題組】

#21. 考試科目2(電子學) - 國立虎尾科技大學圖書館

(c) 在金氧半場效電晶體(MOSFET)元件中,何謂通道長度調變效應. (channel-length modulation effect) ? (d) 在金氧半場效電晶體(MOSFET)元件中,何謂基體效應(body ...

#22. 金屬氧化物半導體場效電晶體

MOSFET 裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數 ... 事實上在飽和區的MOSFET汲極電流會因為通道長度調變效應（channel length ...

#23. 國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授

(Short-Channel Effect) ，通道長度調變(Channel Length Modulation) 、臨界 ... (VG < VT) ，代表此時的電壓值不足以使元件產生反轉層，因此MOSFET 被.

#24. FET電路試題範例及解答Question 1

通導調變效應等. 效電阻. 150k o r = Ω 。試求解此MOSFET 電路其小訊號電壓增益o sig. v v 及其等效. 輸入電阻in. R 。 Sol: Step1: 由小訊號模型：.

#25. 通道長度調變效應 - Januarypriv

PDF 檔案. 7. 何謂通道長度調變效應，對n-MOSFET 的輸出曲線有何影響?請畫出考慮此效應的輸出特性與對應的模型。 MOSFET 在飽和區時，當DS 間偏壓愈大，靠近D 極的空乏 ...

#26. 資訊科試題

因輸出電壓Vds變化影響之金氧半場效應電晶體（MOSFET）通道長度調變特性稱為. (A)電磁感應(B)壓電效應(C)爾利效應(D)電流調變。 ( C ) 8. 如下圖所示之電路，下列敘述 ...

#27. 有關MOS電晶體的通道長度調變（channel length ... - 愛舉手

有關MOS電晶體的通道長度調變（channel length modulation）現象，下列敘述何者錯誤？

#28. 題庫/ 電子學/ 9-1.FET交流等效電路 - BLOCK 學習網

1 因輸出電壓變化影響之FET通道長度調變特性稱為？ A 壓電效應. B 電磁感應. C 電流調變. D 歐力效應. 答案. 本網站提供的試題，僅供自我練習，並不保証完全正確。

#29. 電子學系 - 銘傳大學

(2) 會發生通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect) (3) 操作 ... (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)更適合當成開關(.

#30. 0.35 微米電流鏡分析與研究 - 建國科技大學

變CH. R 便可以控制D. I ，所以FET 是一顆名符. 其實的電壓控制電流元件，特別的是FET 的G. 極絕緣層，故G ... M3 之通道長度調變可忽略時，則ID2 和ID3 與.

#31. 那一個選項對MOS 電晶體的爾利電壓（Early Volt..-阿摩線上測驗

當VDS>VDS(SAT)時，反轉層密度變成零的位置，電流由D端到S端，因等效的通道長度(L)減少，而產生通道長度調變(Channel LengthnModulation)，此特性曲線類似BJT 的厄利 ...

#32. 【channel length modulation公式】資訊整理 ... - easylife.tw

(channel-length modulation effect) ? (d) 在金氧半場效電晶體(MOSFET)元件中,何謂基體效應(body effect ? I. 2. 一儀器放大器如圖所示,若電路中的1. 通道長度調變效應 ...

#33. MOSFET - 金屬—氧化層—半導體電容

事實上在飽和區的MOSFET汲極電流會因為通道長度調變效應（channel length modulation effect）而改變，並非與且VDS全然無關。考慮通道長度調變效應 ...

#34. 電子學分類題庫第二輯 - 蝦皮

... (二) 通道長度調變效應(三) 本體效應（基板效應） (四) 通道臨界電壓問題(五) PMOS與NMOS的特性比較(六) 增強型MOS的觀念(七) 溫度效應(八) 其他特性6-3 有內建通道 ...

#35. 博碩士論文行動網

MOSFET 元件小型化的演進過程，用來檢測「臨界電壓(VT)」及「有效通道長度(Leff)」 ... 為達此一目的，以調變汲極偏壓、試片溫度、通道長度、及外加串聯電阻等四種實驗 ...

#36. SPICE 電子電路模擬

放大器電路及其應用，BJT 和MOS IC 偏壓技術、差動放大器的差模、. 共模轉換特性和小訊號分析以及輸入偏移 ... 於通道長度調變參數λ，源極寄生電阻 sr 和汲極寄生電阻.

#37. 電子學二Ch6 4A偏壓MOS

#38. 受外界機械應力下功率電晶體 - 國立中山大學

However, when the drift region of Power-MOSFET is shorter will result in the Breakdown Voltage is ... 一般實驗方式是沿MOSFET通道長度方向（Gate length, L方.

#39. Page 17 - ePF825_PVQC電機與電子專業英文詞彙全收錄

在MOSFET 電晶體電路中，channel length modulation（通道長度調變）是指增加V ds 也增加PN 接面間的偏壓，使drain 極空乏區通道延伸，減少有效的通道長度。

#40. 四、 場效電晶體原理 - Scribd

JFET)，和金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor FET, MOSFET)。 閘極(Gate)2 閘極氧化層(Oxide) ... 通道長度調變效應Channel length modulation effect

#41. 類組:電機類科目:電子學(3001)

下圖所示電路中,Rp = 10 kB,C = 50 A/VP,不考慮通道長度調變(channel- ... 差Vap=1V,且交流小信號電壓增益A. = -10 VN,請問N-MOSFET 之WL 值為多少?

#42. 電子學1題庫第四章

一增強式MOSFET之VDS＝4V，元件參數k＝0.5mA/V2，臨限電壓Vt＝2V，ID＝2mA，若忽略通道長度調變效應，問VGS值應為？(A)0V(B)3V(C)4V(D)4.5V 。

#43. 電子類、光電類

不考慮通道長度調變效應（channel-length modulation）下，試問PMOS 與NMOS 電晶體 ... (C) 在相似的電路組態下，MOSFET 放大器有較低的輸入電阻值.

#44. 電子學

MOSFET 元件之結構如圖(2)所示，若此元件為增強型N通道MOSFET，則圖中甲區與乙區分別 ... 【100電機電子二技】(A)臨界電壓與基體效應無關(B)輸出電阻與通道長度調變效應 ...

#45. 沟道长度调制效应_百度百科

沟道长度调制效应是指MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小 ...

#46. 100學年度2學期-電子學二作業-(夜四技電二甲101年4月20日)

因為MOSFET裡代表金屬「metal」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。 ... 事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（channel ...

#47. 金屬氧化物半導體場效電晶體 - 维基百科

考慮一個p型的半導體（電洞濃度為NA）形成的MOS電容，当给电容器加负电压 ... 事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（ ...

#48. 2.2MOS - 團隊合作課程

對NMOS而言，真正用來作為通道、讓載子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。 ... 若考慮通道長度調變效應，則關係式如下：: I_D = \frac{\mu_n C_{ox}}{2}\ ...

#49. 增強型mosfet

... 增強型n MOSFET於飽和時之iD-VGS特性曲線( 14-4 ) 考慮通道長度調變效應( Channel-Length Modulation Effect )時，則VDS增加，等效通道長度會縮短.

#50. 短通道效應解釋 - Jeeok

當通道長度縮小時跨在元件上電場相對會變大，因而容易造成因短通道效應(Short Channel ... 事實上在飽和區的MOSFET汲極電流會因為通道長度調變效應（channel length ...

#51. 轉移曲線並不由蕭克萊方程式所定義。 - SlidePlayer

6-8 增強型MOSFET 基本操作： (n-通道增強型MOSFET) (1)VGS = 0，VDS >0，且SS端接S端＝⇒n-型區域與p-型 ... 原因：ID 平坦化由於感應通道之D 端通道變窄之夾止過程。

#52. 電子類、電機類

超大型積體電路中，所謂0.35 微米製程指的是MOSFET 通道的：. (A) 最小長度 ... 有關N 通道增強型MOSFET 之敘述，下列何者正確？ (A) 輸出電阻與通道長度調變效應無關.

#53. Hspice元件模型序論

NMOS N通道MOSFET模型. PMOS P通道MOSFET模型. 元件對應關係 ... 金氧半場效電晶體(MOSFET) ... 本電路的優點可以提供較大的輸出電阻以及降低通道長度調變的影響.

#54. 98 年公務人員、關務人員升官等考試試題

一、 試說明MOSFET 元件中造成通道長度調變（channel-length modulation）效應及基. 底（body）效應的物理機制。（8 分）. 試繪出MOSFET 元件之四端點（source, ...

#55. mos 電流公式大學物理相關內容討論:增強型PMOS - Scsc

對N通道元件，慢慢增加vgg，Current Sense Resistor」，iD-VDS特性可由公式iD= ... 2012-05-24 MOS管的漏極飽和電流公式中， 而產生通道長度調變(Channel Length ...

#56. 金屬氧化物半導體場效電晶體

幾種常見的MOSFET電路符號，加上接面場效電晶體一起比較： ... 事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（英语：channel length modulation） ...

#57. 小訊號模型爾利效應 - Beijsy

FET 之ac小訊號等效電路有π模型與T模型兩種，分別如圖14-13與14-14所示： ... 通道長度調變效應n-MOSFET 電路的小訊號模型: (d)畫出上面電路包括通道長度調變效應的小 ...

#58. mos 飽和區

vDS>vDS(sat)：飽和區：理想MOSFET 有固定之D 極電流. ... 事實上在飽和區的MOSFET汲極電流會因為通道長度調變效應（channel length modulation effect） 而改變，並非 ...

#59. 雙指數機制運作電晶體- 未來科技館Future Tech, FUTEX

提出周圍MOS閘極控制反轉區少數載子程度耦合控制中央區MIS(p)飽和電流之電晶體結構。 ... 極等效的多數載子Schottky Barrier Height 之調變，進而得到有效之電流變化。

#60. 第7章直流暫態

除此之外，尚可應用在電子調變的RC濾波器、收音機、電視機等遙控式的音量控制器或 ... (A)MOSFET的通道長度(B)電容器的絕緣厚度(C)電路的金屬線寬度(D)金屬間的連續結 ...

#61. n-channel mosfet原理 - Cnap

N通道MOSFET在閘-源極端子上施加適當閾值的正電壓時導通；P通道MOSFET透過施加給定 ... 曲線圖14-6 增強型n MOSFET於飽和時之iD-VGS特性曲線( 14-4 ) 考慮通道長度調變 ...

#62. MOS 額定電流問題- Analog/RFIC討論區 - Chip123

如果先不談通道調變效應以及源/汲(Drain/Source)兩端的延伸側邊考慮圖一的MOS結構，那麼2 Z0 j* X0 G; j" G2 F( h: } L為通道長度' L: Y- q' y8 K+ b

#63. 電子學第4章

(A) JFET可分成N通道與P通道兩大類(B) MOSFET可分成增強型(Enhancement)與空乏型(Depletion)兩 ... 臨限電壓Vt＝2V，ID＝2mA，若忽略通道長度調變效應，問VGS值應為？

#64. 表二、高職數位教材發展與推廣計畫－電子學科單元教案設計表- 豆丁网

能了解MOSFET通道長度調變的特性。 ... VGS滑動軸與VDS 特性曲線的相對位置。1N 通道D-MOS(假設VGS(P)=-3) VGS 滑動軸位置VDS 滑動軸位置VI 特性曲線位置上(1V)下(1V) ...

#65. 金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科

因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的 ... 事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（ ...

#66. CN1808894A - 源极跟随器及其稳定电流反馈电路 - Google

第一MOS晶体管的栅极接收一输入信号，其源极输出一输出信号，且一漏极电流是流过第一MOS ... 如此，因通道长度调变效应的影响，流经NMOS晶体管M2的电流I1亦会变动，因 ...

#67. mosfet 特性

( 14-4 ) 考慮通道長度調變效應( Channel-Length Modulation Effect )時，則VDS增加，等效通道長度. PDF 檔案. 功率金氧半電晶體(Power MOS- FET) 是最常被應用於功率 ...

#68. 積體電路中的靈魂－電晶體|最新文章 - 科技大觀園

... 間則為元件的電流通道（Channel），而此通道的產生就是依靠MOS電容來調變通道的 ... 一般以晶圓直徑長度與英吋單位命名，比如4吋→6吋→8吋→12吋晶圓），而MOSFET ...

#69. 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱

因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的 ... 事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應而 ...

#70. 台灣電力公司109 年度新進僱用人員甄試試題

某P 通道增強型MOSFET，導電參數K = 0.5 mA/V2 ，臨界電壓VT = -2 V，試 ... 溫度升高時晶體穩定性變差 ... 若忽略通道長度調變效應，VGS 值為何？

#71. 經濟部所屬事業機構104 年新進職員甄試試題

如右圖MOSFET電路，|V | 1 V、μ Cox 20 μA/V 、μ Cox 10 μA/V ，若V. 6 V 、. V. 2 V，則W. L. ∶ W. L. ∶. W. L. 為何？(忽略通道長度調變效應). (A) 2:1:9.

#72. 淡江大學電機工程學系碩士班（積體電路與計算機組）

此可大幅減少晶片面積，此外可用於各種調變之中(如ASK、FSK 與 ... 過去傳統使用的MOSFET ... 流源汲極的電壓，在通道長度調變的影響下電流會增加。但是上方電.

#73. 小訊號模型爾利效應姓名 - Qztay |

MOSFET 的小訊號模型(a)畫出n-MOSFET 電路的小訊號模型: (b)畫出上面電路的小訊號模型並算出電壓增益A = d/ gs: (c)畫出包括通道長度調變效應n-MOSFET 電路的小訊號 ...

#74. 第七章串級放大電路

變大時之非線性電阻特性 ... 圖8-22 N通道空乏型MOSFET之歐姆區工作模式：很小時之線性電阻特性 ... FET小信號放大原理. 圖9-4 FET之通道長度調變（歐力效應） ...

#75. 功函數差（Work function difference ）

事實上，因為 m、 有能量差，故形成MOS結構時，氧化層就會跨有一個電位差Vox0，半導體能帶 ... L：通道長度 Z：通道寬度 ... VG可調變通道電導，進而決定通道電流。

#76. 從出國旅遊一次理解電晶體的IV 特性曲線 - YOTTA

另外，隨著VCE 變大，IC 也會微微往上翹(電流升高)，這個現象來自於厄立效應 （MOSFET 則有通道長度調變效應）， 在此就不多談下去了。

#77. 短通道效應ptt - Paxhg

Narrow Channel Effect 元件通道長度對一個理想的臨界電壓而言是不會造成改變。 ... 為什麼一樣是逆偏使空乏區變大， 但一個解釋成通道變短，另一個解釋成通道受損?

#78. 三年級第二節「電子學」試題 - 銘傳大學圖書館

3. 下列何者敘述是對的? (1) BJT 的基極電流I很大(2) BJT 會發生通道長度調變效應. (Channel Length Modulation Effect) (3) MOSFET 會發生厄利效應(Early Effect) (4).

#79. Ce1314 試閱頁by 曾斌涵- Issuu

電壓增益高功率高. 名師密技MOSFET因從閘極看入. ro＝. g m＝. 基極寬度調變. 通道長度調變爾利效應. / VT. 兩者放大器特性對應關係如下表MOSFET BJT.

#80. 中華電信股份有限公司96 年新進從業人員遴選試題年新進從業 ...

有關MOS 電晶體的通道長度調變(channel length modulation)現象，下列敘述何者錯誤？ ①通道長度越長此現象越明顯. ②通道發生pinch-off 所造成.

#81. MOS的Surface potential之探討 - 9lib TW

由於MOSFET 的結構特別適合被縮小化，而且功率需求也小，在同一晶片上製作上千萬個電晶體開關變得可行。 MOSFET控制通道的方式和JFET不同，但元件特性有許多相同之處。這裡 ...

#82. 通道效應解釋 - Smuzp

30/11/2007 · 通道長度調變MOSFET在飽和區操作的電流與電壓關係式中。飽和區的MOSFET汲極電流會因為通道長度調變效應（channel length modulation effect）而改變， ...

#83. 短通道效應解釋 - Bpsft

場效電晶體元件微縮，通道的長度也隨著縮短，電晶體的操作速度會加快。 ... 飽和區的MOSFET汲極電流會因為通道長度調變效應（channel length modulation effect）而 ...

#84. 奈米範圍之場效電晶體臨界電壓對摻雜質濃度變異的敏感度

如果這個答案是肯定的，未來在元件的設計上，我們很可能會面臨到準確控制臨界. 電壓的問題。因此，我們深入此問題，研究當MOSFET 元件的閘極長度從次微米微縮至幾十奈米的 ...

#85. (19) 中華民國智慧財產局

Transistor, MOSFET)相似,且其通常係用以選擇性測量溶液中的離子. 活性,例如可以將溶液中的氫離子 ... 是基於由一金氧半導體電容所形成之電荷濃度調變(及通道傳導性),.

#86. 微電子電路分析與設計 - SlideServe

預覽MOS 場效電晶體基本金氧半場效電晶體應用: 開關、數位邏輯閘與放大器 ... 是獨立的• 實際上MOSFET, 飽和區的斜率不是零• 通道長度調變效應：反轉 ...

#87. 《微电子电路》笔记——集成电路放大器的模块篇 - 知乎专栏

第八章基础MOSFET电流源电流镜电流镜的Q_{2}要在饱和区： V_{O}\geq V_{GS}-V_{tn} 或等效成： V_{O}\geq V_{OV} 通道长度调变效应会显著影响电流镜的 ...

#88. 高普考(普考)電子工程 - 鼎文補習班

4-2-2.1通道形成與電流形成. 4-2-2.2特性曲線與各區特性分析. 4-2-3 FET半導體高階效應. 4-2-3.1 通道長度調變. 4-2-3.2 本體效應與CMOS製造技術. 4-3 空乏型-MOSFET.

#89. PDF檔僅限學校教師搭配紙本教材用於課堂教學

關於BJT（雙極性電晶體）與MOSFET（金屬氧化物半導體場效應電 ... 在MOSFET 電晶體電路中，channel length modulation（通道長度調變）是指增加Vds.

#90. 混合式錯誤更正碼晶片設計研究(第2 年) 研究成果報告(完整版)

1.2. 簡單電流鏡(Simple Current Mirror, SCM). 整個電路架構如圖六所示，其中MOS 均操作在飽. 和區，若忽略通道長度調變效應(Channel Length. Modulation)，可得到：.

#91. 國立勤益科技大學電子工程系研究所碩士論文

及選擇較長的通道長度以提高爾利電壓VA(Early Voltage)[12]都可以提 ... 道長度調變效應的影響，M5、M6 的汲極電流會產生一差值，這個差.

#92. <建弘>電子學分類題庫(第二輯) 林昀9789868804043 亞鑫

(二) 通道長度調變效應. (三) 本體效應（基板效應） ... 6-5 FET與BJT的元件特性比較 ... (二) PMOS型8-6 MOS威爾森電流鏡電路. (一) 未修正型.

#93. 中華大學碩士論文

介電層摻雜(dielectric doping)這幾個方法調變功函數(effective work function)維持 ... 在MOSFET 的閘極通道長度為40 nm，模擬SiO2 (k=3.9)和另一種材料介電.

#94. TW449960B - RF amplifier - Google Patents

... 次效應'如基體效應（body effect)及通道長度調變(channel length modulation)。 ... 本發明將ATG-M0SFET應用於射頻（RF)放大器電路中， 利用ATG-MOSFET之特性減小 ...

#95. (PDF) Interactive tool for quick calculation of design oriented ...

Calculates the relevant small-signal parameters of MOS Transistors in ams' CMOS processes. 2. ... 同時，通道長度調變效應也是作為補償。而整體電路所佔據的面積 ...

#96. MOS元件原理及參數介紹@ 電動產業的世界 - 隨意窩

MOS 元件原理及參數介紹MOS製程可以分成以下三種：pMOS、nMOS和CMOS。 (一) pMOS在MOS製程技術中是最簡單，所以被應用的最早。其是利用電洞來導電，所以速度會變得較慢 ...

#97. 如何為邏輯電路或閘極設計選擇MOSFET - DigiKey

就配置而言，MOSFET 的內部工作原理與BJT 明顯不同，但仍使用增強型或空乏型通道的N 與P 接面，而此位置即是導電處。如需瞭解MOSFET 結構與運作的一般 ...

#98. 五分鐘讓你看懂FinFET

MOS 的全名是「金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide ... 是否能由源極流到汲極是由閘極電壓來控制的，但是閘極長度愈小，則閘極與下方通道之 ...

#99. 反激变压器设计过程-面包板社区 - 电子工程专辑

5、计算变压器匝数、有效气隙电感系数及气隙长度。 6、选择绕组线圈线径。 7、计算变压器损耗和温升 ... 1、超全超详细Mos管元件特性及工作原理介绍；.

#100. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 159 頁 - Google 圖書結果

簡單地說,DIBL 效應是指當短通道 MOSFET 元件的汲極電壓增加進入飽和區時,臨界電壓會降低,因此汲極電流 I 會變大。) 5.1.1 通道長度調變(channel length modulation) ...