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台灣半導體研究中心（TSRI）與日本產業技術總合研究所（AIST）合作，開發新型電晶體結構，有助製造2奈米以下線寬、規劃應用在2024年後的新一代先進半導體。
相關技術是將矽（Si）和鍺（Ge）等不同通道材料從上下方堆疊、使「n型」和「p型」場效應電晶體（FET）靠近、名為CFET的結構。
台積電規劃3奈米採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，2奈米之後轉向環繞閘極（GAA）架構。
同時日本經產省投資補助420億日圓，並也打算和台積電建立合作體系....
http://tokiox.com/wp/aist-japan-taiwan-collaborate-for-2nm-generation-hcfet/
2018功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇
2018 Symposium on High Power Semiconductor Materials (GaN & SiC) and Devices
學生論文海報競賽徵文啟事
Poster Competition
一、 會議主題：
全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術，由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限，具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術，將成為次世代功率電子產品及應用重要平台。國家中山科學研究院執行政府晶片及半導體產業科技研發專案，進行高功率模組應用之半導體材料及元件製造技術開發，為台灣功率半導體產業注入一股新動能。為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關研究，將於2018功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇活動配合舉辦學生論文海報競賽，期能促成我國學研各界交流研討及合作研究。
二、 會議時間：107年10月18日(四)
三、 會議地點：集思交通部會議中心－國際會議廳(台北市杭州南路一段24號)
四、 主辦單位：國家中山科學研究院、台灣經濟研究院
五、 學生論文競賽主題說明
(1) 功率電子元件技術:
本主題範圍涵蓋各類功率電子元件的最新發展與新型材料元件應用研發，特別是碳化矽/氮化鎵功率電子相關之技術、新型材料、物理與可靠性分析等等，包含(但不限定)以下領域之論文：(1) 高電子遷移率材料; (2) 功率電子元件製造技術; (3) 元件結構設計與模擬; (4) 元件可靠性分析與壽命預估。
(2) 功率電子封裝與功率模組應用技術:
本主題範圍涵蓋功率電子元件之散熱封裝及電源轉換功率模組應用技術研發，特別是碳化矽/氮化鎵功率電子封裝設計與模擬、電路構裝散熱分析與量測；以及碳化矽/氮化鎵功率模組/電源轉換應用相關之模組電路架構設計與製造、應用電路效能分析等等，包含(但不限定)以下領域之論文：(1) 功率電子封裝材料; (2) 模組構裝散熱分析與量測; (3) 功率模組設計技術; (4) 電源轉換器應用研發。
(3) 新穎功率半導體材料與元件分析技術:
本主題範圍涵蓋功率電子材料或元件相關之檢測分析及檢測技術最新發展與應用，包含(但不限定)以下領域之論文：(1) 材料影像分析技術：SEM、AFM、C-AFM、SCM、STM、SSRM、MFM、TEM 及 SNOM; (2) 材料晶體結構分析技術：TEM 及XRD; (3) 材料成分分析技術：EDS、AES、XPS、SIMS 及 FTIR。
六、 投稿原則：
(1) 欲投稿者請先至下列網址登記：https://goo.gl/qGt1fF
(2) 格式：論文以中英文撰寫均可、A4紙 single-space two column、字體大小10之格式打字，圖、文合計以4頁為限。
(3) 投稿方式：一律以 pdf 格式投稿至E-mail: d32955@tier.org.tw。
(4) 日期：即日起開始受理投稿；徵文截止日期至2018年8月24日；預計2018年9月10日前通知論文審查結果。
(5) 發表方式：本次競賽之投稿論文皆以壁報方式發表，中、英文解說皆可。
(6) 論壇當日將會進行投稿者之論文海報展覽，請自行設計並輸出海報(海報尺寸將會另行告知)，並於會議當日指定時間至現場張貼，並於海報交流時間於自己的海報前為與會者及評審提供解說。
Post time: 2018年10月18日(星期四)10:40~11:10
七、 評分方式：
評分項目將分為論文內容（ 60% ）與現場答詢（ 40% ）兩部分，分別由兩組評審委員給分之總和為該論文之總得分，得分由高至低排序，若總得分相同，則由原創性部分的得分高低決定名次之先後次序。
八、 獎勵方式：
各主題將不分領域擇優評選取前6名，頒發獎狀及獎金以玆鼓勵，並於論壇會閉幕時頒獎。
(1) 頭等獎：獎金10000元，一名
(2) 特優獎：獎金6000元，二名
(3) 優等獎：獎金3000元，三名
九、 聯絡人：
(1) 台灣經濟研究院 李宜軒 副組長
電話：02-2586-5000 #808
EMAIL：d32955@tier.org.tw
(2) 台灣經濟研究院 黃威菁 行政助理
電話：02-2586-5000 #875
EMAIL：d33581@tier.org.tw
#高功率電源設計 #電源管理 #氮化鎵GaN
【不可不知的材料界新星：氮化鎵】
「氮化鎵」(GaN) 可望逐漸成為「高功率模組」的首選；未來更將擴及低電壓應用，如：高端音訊放大器、無人機、電動車、照明、運算、太陽能板、汽車影像技術，以及任何能接上插座的電器裝置。GaN 是一種由「鎵」和「氮」兩種元素合成的超高速半導體材料，近年來成為學術界和產業界共同關注和著力研發的熱點，矽基 GaN 功率器件更被視作聖杯。與傳統矽元件相較，GaN 在物理特性上具有明顯優勢：
1. 轉換效率高：GaN 的禁帶寬度是矽的 3 倍、臨界擊穿電場是矽 10 倍，意謂在同樣額定電壓下，GaN 的導通電阻約比矽元件低 1,000 倍，大幅降低開關的導通損耗、使功率密度倍增；
2. 工作頻率高：GaN 的電子渡越時間比矽低 10倍，電子速度比在矽中高兩倍以上、反向恢復時間基本可以忽略，因此 GaN 開關功率器件的工作頻率是矽的 20 倍以上！大幅減少電路中電容、電感等儲能元件的體積、模組尺寸可縮小 50%，連帶減少設備體積和原材料消耗，而開關頻率高可減少開關損耗，進一步降低總功耗；
3. 耐受溫度高：GaN 的禁帶寬度高達 3.4eV，本徵電子濃度極低，電子很難被激發，理論上 GaN 可耐受 800℃ 以上的高溫。
為降低 GaN 元件成本，業界設法從製程尋求變通：透過外延技術在更大尺寸的矽基取得 GaN 外延片。如此便可使用成熟的矽製程和設備大量生產，再將矽基 GaN 與光電元件、數控電路整合，集成直接面向終端應用的功能性模組。GaN-on-Si 晶圓仍有三大技術瓶頸待克服：一是失配問題，矽基與 GaN 之間存在晶格常數、熱膨脹係數和晶體結構不匹配；二是極性迥異，由於矽原子間形成的是「純共價鍵」，屬非極性半導體，而 GaN 原子間卻是極性鍵、屬極性半導體；三是矽基上的矽原子擴散，會降低外延層的晶體品質。
或許能以「增壓引擎」來比喻 GaN，只要搭配適合的驅動程式、封裝與其他元件，確實能提升伺服器和資料中心的系統效能；且可避免電子裝置或設備「散熱不佳」，拖累系統運作。當連網已成為日常生活的一部分，人們對高耗電的數位裝置，以及電力和發電廠的依賴也隨之激增；藉由 GaN 改善電路效率，既環保又節能。此外，小自手機，大至高端工業機具和伺服器，各種系統的電路皆需切換數百萬計的小型開關；每一次動作，都會產生熱能、減損供電效率。GaN 可減少生熱，讓開發者能在更小的電路板空間、納入更多的開關設計。
延伸閱讀：
《TI：製程、封裝相助集成，氮化鎵伺機而起》
http://compotechasia.com/a/____/2016/0706/32426.html
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#德州儀器TI #http://compotechasia.com/microsite/view.php?aid=32761
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