千空回: : "半導體是地獄阿" : "需要5年,不,10年的時間" : 10年. ... LDD離子布植現在要做n/p-doped well上面往gate oxide靠近的n+/p+部分，做法跟2-a ... ... <看更多>

LDD 離子布植、側壁(Spacer)成長、蝕刻5. 源極(Source)、汲極(Drain)離子布植6. 金屬矽化物(Silicide)成長7. 配線成長懶得畫圖了，借用一下維基的圖做 ... ... <看更多>

LDD 離子布植、側壁(Spacer)成長、蝕刻5. 源極(Source)、汲極(Drain)離子布植6. 金屬矽化物(Silicide)成長7. 配線成長懶得畫圖了，借用一下維基的圖做 ... ... <看更多>

LDD 離子布植、側壁(Spacer)成長、蝕刻5. 源極(Source)、汲極(Drain)離子布植6. 金屬矽化物(Silicide)成長7. 配線成長懶得畫圖了，借用一下維基的圖做 ... ... <看更多>

... 解釋為甚麼要有LDD；也可考慮body effect（Vt受到body沒有與source接在 ... 甚麼: 在半導體製程很多時候都是電性要求是首要考量然後才是結構最後 ... ... <看更多>

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