【台積電一舉一動 日媒都重視】
日經中文網今天(14日) 報導,台積電(TSMC)研究在高雄市新建2座尖端工廠。預定生產電路線寬為6奈米和7奈米的半導體,計劃2025年啟動量產。台積電將加快應對全球半導體短缺。
#台積電
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【相控陣列變頻微波技術開發】❄低溫退火技術助攻產業升級再進化!
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隨著半導體製程的演進,元件線寬及膜厚均達10奈米左右之尺吋,容易因傳統超過攝氏900度以上🔥高溫退火帶來的副作用,導致元件失效。 經濟部技術處偕同工研院,研發微波退火環節中的技術創新,透過微波相位與變頻整合控制,可直接均勻加熱半導體薄膜材料,不僅將溫度降至攝氏500度以下,成本還可節省近一半,極具產業競爭力💪。
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台灣半導體研究中心(TSRI)與日本產業技術總合研究所(AIST)合作,開發新型電晶體結構,有助製造2奈米以下線寬、規劃應用在2024年後的新一代先進半導體。
相關技術是將矽(Si)和鍺(Ge)等不同通道材料從上下方堆疊、使「n型」和「p型」場效應電晶體(FET)靠近、名為CFET的結構。
台積電規劃3奈米採用鰭式場效電晶體(FinFET)架構,2奈米之後轉向環繞閘極(GAA)架構。
同時日本經產省投資補助420億日圓,並也打算和台積電建立合作體系....
http://tokiox.com/wp/aist-japan-taiwan-collaborate-for-2nm-generation-hcfet/
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