據天下雜誌報導，台積自製的光罩基板（mask blank），造價數百萬，上頭80層多層膜反射層，只要有幾顆奈米級的灰塵，就會對晶片良率造成莫大影響。EUV量產階段的最關鍵技術，就是一片50奈米厚度的光罩護膜（pellicle），用在晶圓生產的光罩上頭，只要一顆灰塵掉落，就足以讓整批晶圓報廢。
ASML研發副總經理嚴濤南表示，後來台積電在光罩盒加上一種特殊的防塵設計，並大膽量產，台積電從此突破瓶頸，大量使用EUV微影技術製程，技術也遠拋其他對手。
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原文標題：
台積EUV產能 下半年爆發
原文連結：
https://ctee.com.tw/news/tech/478807.html
發布時間：
工商時報 涂志豪 2021.06.24
原文內容：
隨著蘋果A15應用處理器及M1X／M2電腦處理器、聯發科天璣2000系列5G手機晶片、超微Zen 4架構電腦及伺服器處理器等新款晶片，下半年開始陸續採用支援極紫外光（EUV）技術的5奈米量產，台積電預期5奈米2021年產能將較2020年增加逾二倍，2021年EUV光罩護膜（Pellicle）產能是2019年的20倍，亦即台積電EUV產能將在下半年進入大爆發周期循環。
台積電5奈米及3奈米新建置產能將在明、後兩年逐季放量投片，採購EUV曝光機毫不手軟。法人看好EUV設備及材料供應鏈強勁需求，包括極紫外光光罩盒（EUV Pod）供應商家登，設備模組及零組件代工廠帆宣及公準、EUV曝光機用真空吸盤供應商意德士等EUV概念股營運將續旺三年。
台積電近年來積極擴大資本支出擴充先進製程產能，今年資本支出上看300億美元，九成將用於7奈米及5奈米等先進製程產能擴建，以及興建3奈米新晶圓廠等。台積電預期16奈米及更先進製程產能，在2018～2021年的年複合成長率（CAGR）將超過30％。
而在7奈米產能建置部份，台積電預期2021年產能將是2018年的四倍以上。5奈米已進入量產，Fab 18第四期亦將建置5奈米及4奈米產能，台積電預期未來3年5奈米產能將出現大幅成長，2021年5奈米產能將是2020年的二倍以上，而5奈米及4奈米2023年總產能將會達到2020年的四倍以上。
台積電於日前召開的技術論壇中指出，以EUV曝光機的累計裝機數量來看，到2020年已占全球總機台數量的50％，2020年為止採用台積電EUV技術生產的晶圓，占累計EUV曝光晶圓數的65％，已有愈來愈多的經驗累積且走過學習曲線。而隨著製程推進至5奈米，每片晶圓採用EUV光罩層大幅拉升，台積電預估2021年EUV光罩護膜產能將是2019年的20倍。
而根據艾司摩爾（ASML）統計，自2017年推出可支援量產的NXE: 3400B曝光機後，至2020年底為止，NXE: 3400x系列EUV曝光機累計出貨數達85台，累計EUV曝光晶圓數則高達2,600萬片。隨著台積電Fab 18廠第五期至第八期的3奈米產能在未來2～3年逐步完成建置並進入量產，除了再擴大採購EUV曝光機，EUV曝光晶圓數亦將呈現等比級數成長，坐穩全球擁有最大EUV產能的半導體廠寶座。
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台積電預期未來3年5奈米產能將出現大幅成長，2021年5奈米產能將是2020年的二倍以上，而5奈米及4奈米2023年總產能將會達到2020年的四倍以上。
台積電的股價，下半年隨著先進製程產能開出，應該也要爆發了吧？
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