與英特爾、三星共同PK!🤼♂工研院發表新世代記憶體技術⚙
工研院在美國IEEE國際電子元件會議👩💼,發表鐵電記憶體(FRAM)和磁阻隨機存取記憶體(MRAM)相關技術重要論文📄,與英特爾、台積電和三星一起競爭!✈新興的FRAM及MRAM讀寫速度比快閃記憶體快上百倍、甚至千倍,讀寫速度可達奈秒(nano second)等級💫,被稱為更快、更穩、不失憶的新世代記憶體☄非常適合物聯網以及5G時代的應用💥
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工研院發布新世代MRAM/FRAM技術
推動新興記憶體發展
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工研院在 #IEDM 上發表 #FRAM 、 #MRAM 技術論文! #5G 與 #AI 時代來臨使 #半導體 走向 #異質整合 ,能突破既有運算限制的新世代記憶體或將扮演重要角色...
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